Glaspassivierte dreiphasige Gleichrichterbrücke VRRM=800 bis 1800V ID=100A Dreiphasengleichrichter holt Anwendungen MD100S-m2
MOQ: 1.000 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Funktion: Schalttransistor
- Stoff: Silizium
- Verpackung: Plastic Package
- Standard: Customized
- Warenzeichen: MR
-
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- Provinz: Guangdong, China
Glaspassivierte dreiphasige Gleichrichterbrücke VRRM=800 bis 1800V ID=100A Dreiphasengleichrichter holt Anwendungen MD100S-M3
MOQ: 1.000 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Funktion: Schalttransistor
- Stoff: Silizium
- Verpackung: Plastic Package
- Standard: Customized
- Warenzeichen: MR
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Glas Passivierte Gleichrichterdioden Module VRRM=800 bis 1800V ID=120A lädt ANWENDUNGEN MD120C(A/K)-D1
MOQ: 1.000 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Funktion: Schalttransistor
- Stoff: Silizium
- Verpackung: Plastic Package
- Standard: Customized
- Warenzeichen: MR
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Glaspassivierte dreiphasige Gleichrichterbrücke VRRM=800 bis 1800V ID=100A Dreiphasengleichrichter holt Anwendungen MD100S-NM2
MOQ: 1.000 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Funktion: Schalttransistor
- Stoff: Silizium
- Verpackung: Plastic Package
- Standard: Customized
- Warenzeichen: MR
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Tt2190 2021 Neue Original IC Elektronische Komponente Original Tt2190
MOQ: 10 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Gestalten: ST
- Funktion: Hohe Gegendruck Transistor,Mikrowelle Transistor,Schalttransistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Struktur: planar
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
-
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Glaspassivierte dreiphasige Gleichrichterbrücke VRRM=800 bis 1800V ID=100A Dreiphasengleichrichter holt Anwendungen MD100S-M4
MOQ: 1.000 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Funktion: Schalttransistor
- Stoff: Silizium
- Verpackung: Plastic Package
- Standard: Customized
- Warenzeichen: MR
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N-Kanal 55V 20A SMD D-Pak Auirfr4105 MOSFET Transistor Serie HEXFET
MOQ: 1 Stück
- Verpackung: Standard
- Standard: Standard
- Warenzeichen: Original
- Herkunft: Original
- Produktionskapazität: 10000PCS/Day
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Glaspassivierte dreiphasige Gleichrichterbrücke VRRM=800 bis 1800V ID=100A Dreiphasengleichrichter holt Anwendungen MD100S-M8
MOQ: 1.000 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Funktion: Schalttransistor
- Stoff: Silizium
- Verpackung: Plastic Package
- Standard: Customized
- Warenzeichen: MR
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Glaspassivierte dreiphasige Gleichrichterbrücke VRRM=800 bis 1800V ID=100A Dreiphasengleichrichter holt Anwendungen MD100S-M5
MOQ: 1.000 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Funktion: Schalttransistor
- Stoff: Silizium
- Verpackung: Plastic Package
- Standard: Customized
- Warenzeichen: MR
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Glaspassivierte dreiphasige Gleichrichterbrücke VRRM=800 bis 1800V ID=100A Dreiphasengleichrichter holt Anwendungen MD100S-NM3
MOQ: 1.000 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Funktion: Schalttransistor
- Stoff: Silizium
- Verpackung: Plastic Package
- Standard: Customized
- Warenzeichen: MR
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Siliziumkarbid Schottky-Diode VRRM=1200V IF=66A(2) QC=228nC(2) verringert die Anwendungsreduzierung EMI YJD112040NCTGG2
MOQ: 1.000 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Funktion: Schalttransistor
- Stoff: Silizium
- Verpackung: Plastic Package
- Standard: Customized
- Warenzeichen: MR
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Siliziumkarbid Schottky-Diode VRRM=1700V IF=18A QC=143nC ruft Anwendungen auf Null Rücklaufstrom YJD117010PG1
MOQ: 1.000 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Funktion: Schalttransistor
- Stoff: Silizium
- Verpackung: Plastic Package
- Standard: Customized
- Warenzeichen: MR
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Neuer Transistor Fga15n120antd der Vorlagen-Fga15n120
MOQ: 500 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Gestalten: ST
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Stoff: Silizium
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FRED Modules VRRM=600V IFAV=150A Soft Reverse Recovery Characteristics ruft Anwendungen ab Umrichter und Zerkleinerer MF150A06F2N
MOQ: 1.000 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Funktion: Schalttransistor
- Stoff: Silizium
- Verpackung: Plastic Package
- Standard: Customized
- Warenzeichen: MR
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N-Kanal 150V 18A SMD DPAK Irfr18n15dtrlp MOSFET Transistor Serie HEXFET
MOQ: 1 Stück
- Verpackung: Standard
- Standard: Standard
- Warenzeichen: Original
- Herkunft: Original
- Produktionskapazität: 10000PCS/Day
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Siliziumkarbid Schottky-Diode VRRM=1200V IF=62A(2) QC=220nC(2) verringert die Anwendungsreduzierung Von EMI YJD112030NCTGG2
MOQ: 1.000 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Funktion: Schalttransistor
- Stoff: Silizium
- Verpackung: Plastic Package
- Standard: Customized
- Warenzeichen: MR
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- Provinz: Guangdong, China
Siliziumkarbid Schottky-Diode VRRM=1200V IF=20A QC=91nC ruft Anwendungen auf Null Rücklauf-Spannung YJD112020PQG3
MOQ: 1.000 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Funktion: Schalttransistor
- Stoff: Silizium
- Verpackung: Plastic Package
- Standard: Customized
- Warenzeichen: MR
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- Provinz: Guangdong, China
Siliziumkarbid Schottky-Diode VRRM=1200V IF=40A(2) QC=182nC(2) verringert die Anwendungsreduzierung EMI YJD112030NCTQG3
MOQ: 1.000 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Funktion: Schalttransistor
- Stoff: Silizium
- Verpackung: Plastic Package
- Standard: Customized
- Warenzeichen: MR
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- Provinz: Guangdong, China
Siliziumkarbid Schottky-Diode VRRM=1200V IF=28A QC=114nC ruft Anwendungen auf Null Rücklauf Spannung YJD112020PGG2
MOQ: 1.000 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Funktion: Schalttransistor
- Stoff: Silizium
- Verpackung: Plastic Package
- Standard: Customized
- Warenzeichen: MR
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- Provinz: Guangdong, China
Siliziumkarbid Schottky-Diode VRRM=1200V IF=40A(2) QC=106nC(2) verringert die Anwendungsreduzierung EMI YJD112020NCTQG2
MOQ: 1.000 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Funktion: Schalttransistor
- Stoff: Silizium
- Verpackung: Plastic Package
- Standard: Customized
- Warenzeichen: MR
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- Provinz: Guangdong, China
Original-Thyristor Bt151 Transistoren In Hoher Qualität
MOQ: 100 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Gestalten: ST
- Funktion: Schalttransistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Leistungspegel: Hohe Energie
-
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- Provinz: Guangdong, China
Siliziumkarbid Schottky-Diode VRRM=1200V IF=33A QC=114nC ruft Anwendungen hernWesentl. Nein Schaltverluste YJD1120NGG2
MOQ: 1.000 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Funktion: Schalttransistor
- Stoff: Silizium
- Verpackung: Plastic Package
- Standard: Customized
- Warenzeichen: MR
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Juxing P6ke120A 600W 126V3.64A Überspannungsschutz (TVS/ESD) mit do-15
MOQ: 3.000 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Gestalten: Metall-Porzellan-Schlauch
- Abschirmungstyp: Remote-Cut-Off-Schlauch Abschirmung
- Kühlungsmethode: Natürlich gekühltes Rohr
- Struktur: planar
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
-
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- Provinz: Guangdong, China
Cm50rl-24NF Wechselrichter für Wechselstromantriebe und Servosteuerung IGBT-Modul CM50 Cm100dy-24t Cm300dy-24t
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Kühlungsmethode: Natürlich gekühltes Rohr
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Stoff: Silizium
- Verpackung: Standard
-
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- Provinz: Guangdong, China
Siliziumkarbid Schottky-Diode VRRM=1200V IF=20A QC=91nC ruft Anwendungen auf Null Rücklauf-Spannung YJD112015PQG3
MOQ: 1.000 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Funktion: Schalttransistor
- Stoff: Silizium
- Verpackung: Plastic Package
- Standard: Customized
- Warenzeichen: MR
-
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- Provinz: Guangdong, China
Siliziumkarbid Schottky-Diode VRRM=1200V IF=28A QC=114nC ruft Anwendungen auf Null Rücklauf-Spannung YJD112015PGG2
MOQ: 1.000 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Funktion: Schalttransistor
- Stoff: Silizium
- Verpackung: Plastic Package
- Standard: Customized
- Warenzeichen: MR
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- Provinz: Guangdong, China
Siliziumkarbid Schottky-Diode VRRM=1200V IF=33A QC=114nC ruft Anwendungen positiv ab Temperaturkoeffizient YJD112015NGG2
MOQ: 1.000 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Funktion: Schalttransistor
- Stoff: Silizium
- Verpackung: Plastic Package
- Standard: Customized
- Warenzeichen: MR
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- Provinz: Guangdong, China
Siliziumkarbid Schottky-Diode VRRM=1200V IF=20A QC=91nC ruft Anwendungen positiv ab Temperaturkoeffizient YJD112015NQG3
MOQ: 1.000 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Funktion: Schalttransistor
- Stoff: Silizium
- Verpackung: Plastic Package
- Standard: Customized
- Warenzeichen: MR
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Hgk110n20s 110n20 MOSFET MOS-Röhre mit mittlerem und niedrigdruckem MOS Hgk110n20s
MOQ: 500 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Kühlungsmethode: Wassergekühlte Rohr
- Funktion: Schalttransistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Struktur: planar
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
-
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
- Provinz: Guangdong, China
Siliziumkarbid Schottky-Diode VRRM=1200V IF=20A(2) QC=74nC(2) holt Anwendungen positiv Temperaturkoeffizient YJD112016NCTQG3
MOQ: 1.000 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Funktion: Schalttransistor
- Stoff: Silizium
- Verpackung: Plastic Package
- Standard: Customized
- Warenzeichen: MR
-
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
- Provinz: Guangdong, China