Original Bss138 N-Kanal 50V 220mA (Ta) 350MW (Ta) Single MOSFET Transistor
MOQ: 100 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: SMD Triode
- Leistungspegel: Medium Power
- Stoff: Silizium
- Verpackung: Standard
-
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- Provinz: Guangdong, China
2sk2545 ursprünglicher Toshiba N Kanalmosfet-Typ Gleichstrom-Gleichstrom-Konverter
MOQ: 10 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Funktion: lichtempfindlich,Darlington Rohr,Macht Triode,Switching Triode
- Warenzeichen: CHN
- Herkunft: Chn
-
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- Provinz: Guangdong, China
Original Aon6404 N-Kanal 30V 25A (Ta) , 85A (TC) MOSFET Transistor
MOQ: 100 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: SMD Triode
- Leistungspegel: Medium Power
- Stoff: Silizium
- Verpackung: Standard
-
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- Provinz: Guangdong, China
Irfp250n Irfp250npbf N-Kanal-Leistungs-MOSFET-Transistor 30A 200V to-247
MOQ: 10 Stück
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Funktion: Macht Triode
- Stoff: Silizium
- Herkunft: China
- Produktionskapazität: 10000
-
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- Provinz: Guangdong, China
Original MOSFET P-Kanal 200 V 11A 125W Durchgangsbohrung to-220AB To220ab Irf9640
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: ISO
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Switching Triode
-
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- Provinz: Guangdong, China
BTA16-600b to-220 Chip BTA16 des Thyristor-IS
MOQ: 1.000 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Herkunft: China
- Produktionskapazität: 10000
-
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- Provinz: Guangdong, China
Juxing Mmbta44 400V300mA Sot-23 Kunststoff-verkapselte Schalttransistoren (NPN)
MOQ: 3.000 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Niederfrequenz
- Leistungspegel: Kleinkraft
- Funktion: Macht Triode,Switching Triode
-
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- Provinz: Guangdong, China
Original MOSFET Irfsl3306pbf N-Kanal 60 V 120A 230W Durchgangsbohrung To-262 Irfsl3306
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: ISO
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Overclocking
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Macht Triode
-
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- Provinz: Guangdong, China
Original Integrated Circuits Bd139 NPN Leistungstransistor
MOQ: 500 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Funktion: Macht Triode
- Struktur: NPN
- Herkunft: China
-
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- Provinz: Guangdong, China
Original Transistoren Mmbt5551 Sot-23 Kunststoff-Kapseltransistoren
MOQ: 3.000 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Installation: SMD Triode
- Struktur: NPN
- Verpackung: Carton Box
- Standard: MMBT5551 SOT-23
-
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- Provinz: Guangdong, China
Original STP55NF06 MOSFET N-Kanal 60 V 50A 110W Durchgangsbohrung To-220 STP55
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: ISO
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Overclocking
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Macht Triode
-
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- Provinz: Guangdong, China
Original Bcm847BS135 Bipolarer Transistor Array 2NPN Matched Pair 45V 100mA 250MHz Bcm847
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: ISO
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Switching Triode
-
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- Provinz: Guangdong, China
2sk1058 Transistor K1058 Mosfet-N-CH Si 160V 7A
MOQ: 100 Stück
- Verkapselungsstruktur: Gold Seal Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Macht Triode
- Struktur: NPN
- Stoff: Germanium
-
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- Provinz: Guangdong, China
Original Irf640nlpbf MOSFET N-Kanal 200 V 18A 150W Durchgangsbohrung To-262 Irf640
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: ISO
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Overclocking
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Macht Triode
-
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- Provinz: Guangdong, China
Neuer Original Mj21193G Mj21194G to-3 Bipolar Audio High Power Transistor Mj21193 Mj21194
MOQ: 100 Stück
- Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Medium Power
- Struktur: Legierung
- Stoff: Germanium
-
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- Provinz: Guangdong, China
Original auf Lager NTD3055L170t4g MOSFET Transistor N-Kanal 60V 9A (Ta)
MOQ: 20 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: SMD Triode
- Leistungspegel: Medium Power
- Stoff: Silizium
- Verpackung: Standard
-
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- Provinz: Guangdong, China
Neuer Bt136-600e Triac 4A 600V to-220 Transistor Bt136 600e
MOQ: 1.000 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Verpackung: Tube
- Standard: Plastic and copper
-
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- Provinz: Guangdong, China
Original Ixta34n65X2 N-Kanal 650V 34A (TC) 540W (TC) 34n65 Transistor Mosfet
MOQ: 20 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: SMD Triode
- Leistungspegel: Medium Power
- Stoff: Silizium
- Verpackung: Standard
-
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
- Provinz: Guangdong, China
13001 Leistungstransistor To92 13001 Transistor Mje13001
MOQ: 100 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Arbeitsfrequenz: Overclocking
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Macht Triode
- Struktur: Legierung
- Verpackung: Package
-
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- Provinz: Guangdong, China
Original Ncep15t14 auf Lager 150V 140A 320W N-Kanal to-220 MOSFET Transistor 15t14
MOQ: 100 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Leistungspegel: Medium Power
- Stoff: Silizium
- Verpackung: Standard
-
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- Provinz: Guangdong, China
Juxing Ss8550 -40V-1,5mA Sot-23 Kunststoff-verkapselte Schalttransistoren (NPN)
MOQ: 3.000 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Niederfrequenz
- Leistungspegel: Kleinkraft
- Funktion: Macht Triode,Switching Triode
-
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
- Provinz: Guangdong, China
H25r1203 Induktions-Kocher-Transistor der Leistungs-IGBT 25A1200V
MOQ: 10 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Overclocking
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: lichtempfindlich,Macht Triode
-
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
- Provinz: Guangdong, China
Original Ao4459 P-Kanal 30V 6,5A (Ta) 3,1W (Ta) MOSFET Transistor Auf Lager
MOQ: 100 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: SMD Triode
- Leistungspegel: Medium Power
- Stoff: Silizium
- Verpackung: Standard
-
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
- Provinz: Guangdong, China
Original BTA25-600cw3g Thyristor Triac Standard 600V 25A BTA25 Bom List
MOQ: 100 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Niederfrequenz
- Leistungspegel: Medium Power
- Verpackung: Standard
-
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
- Provinz: Guangdong, China
SPP17n80c3 bis-220 Feldeffekttransistor
MOQ: 10 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Overclocking
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Macht Triode,Switching Triode
-
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- Provinz: Guangdong, China
Tk100e08n1 Original N-Kanal 80V 100A 255W MOSFET Transistor (Wir stellen PCB-PCBA-Leiterplatten)
MOQ: 100 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Leistungspegel: Medium Power
- Stoff: Silizium
- Verpackung: Standard
-
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
- Provinz: Guangdong, China
Elektronische Komponenten Bd241c Komplementärer Silizium-Leistungstransistor
MOQ: 500 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Installation: Plug-in-Triode
- Funktion: Macht Triode
- Struktur: NPN
- Standard: Standard
- Warenzeichen: /
-
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- Provinz: Guangdong, China
Elektronik Ipt059n15n3 SMD/SMT HsoF-8 1 Kanal 150 V MOSFET
MOQ: 10 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: SMD Triode
- Funktion: lichtempfindlich,Darlington Rohr,Macht Triode,Switching Triode
- Struktur: NPN
- Stoff: Silizium
-
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- Provinz: Guangdong, China
Original Transistoren Mmbta55 Sot-23 Kunststoff-Kapseltransistoren
MOQ: 3.000 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Installation: SMD Triode
- Struktur: PNP
- Verpackung: Carton Box
- Standard: MMBTA55 SOT-23
-
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
- Provinz: Guangdong, China
Toshiba 2SA965-Y A965-Y to-92L PNP-Leistungstransistor in-Line-Transistor
MOQ: 100 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Funktion: lichtempfindlich,Darlington Rohr,Macht Triode,Switching Triode
- Stoff: Silizium
- Verpackung: Tube
-
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
- Provinz: Guangdong, China