Art: | Halle Typ |
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Ausgangssignaltyp: | Analogausgang |
Fertigungsprozess: | Integrierte Halbleiter |
Material: | Kunststoff |
Genauigkeitsklasse: | 0.5G |
Anwendung: | Elevator Current Detection |
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* Einfache Installation
Elektrische Daten:(Ta=25ºC,VC=+3,3VDC,RL=2Kilohm,CL=10000pF) | ||||
Parmeter Ref |
CHB10ES3S6H | CHB25ES3S6H | CHB50ES3S6H | CHB75ES3S6H |
Nenneingang IPN(A) | 10 | 25 | 50 | 75 |
Messbereich IP(A) | 0~±20 | 0~±50 | 0~±100 | 0~±150 |
Drehungsverhältnis NP/NS (T) | 1:800 Uhr | 1:2000 Uhr | 1:2000 Uhr | 1:2000 Uhr |
Innenwiderstand RM (Ohm) | 50±0,1 % | 50±0,1 % | 25±0,1 % | 16,5±0,1 % |
Ausgangsspannung Vo (V) | 1,650±0,625* (IP/IPN) | |||
Ausgangsspannung Vo (V) | @IP=0,T=25 1,650 C | |||
Referenzspannung VR (V) | @interne Referenz, reout 1,650 | |||
Versorgungsspannung VC(V) | +3,3 ±5 % | |||
Genauigkeit XG (%) | IPN, T = 25 < ±C 0,5 @ | |||
Offset-Spannung VOE (mV) | @IP=0,T=25 < ±C 10 | |||
Temperaturschwankung des VOE -DREHS (mV/C) | @IP=0,-40 ~ +85 < ±C 0,01 |
|||
Linearitätsfehler εr(%FS) | < 0,1 | |||
Di/dt genau befolgt (A/µs) | > 50 | |||
Reaktionszeit tra(µs) | @90 % von IPN < 1,0 | |||
Leistungsaufnahme IC (mA) | 10+ Is | |||
Bandbreite BW (KHZ) | @-3dB, IPN DC-200 | |||
Isolationsspannung VD (KV) | @50/60Hz, 1min, AC 3,0 |
Allgemeine Daten: | |
Parameter | Wert |
Betriebstemperatur TA (C) | -40 ~ +85 |
Lagertemperatur TS ( C ) | -55~ +125 |
Masse M(g ) | 13 |
Kunststoffmaterial | PBT G30/G15, UL94- V0; |
Standards | IEC60950-1:2001 UHR |
EN50178:1998 UHR | |
SJ20790-2000 |
Abmessungen (mm): | |
Verbindung | |
Allgemeine Toleranz | |
Allgemeine Toleranz:< ±0,2mm Primäre Durchgangsbohrung: D8,2±0,15mm; Sekundärer Stift: 4pin 0,65*0,65; |
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