Art: | Halle Typ |
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Ausgangssignaltyp: | Analogausgang |
Fertigungsprozess: | Integrierte Halbleiter |
Material: | Kunststoff |
Genauigkeitsklasse: | 0.5G |
Anwendung: | DC Panel, UPS, Charging Equipment |
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* Einfache Installation
Elektrische Daten:(Ta=25ºC,VC=+3,3VDC,RL=2Kilohm,CL=10000pF) | ||||
Parmeter Ref |
CHB25E3S6H | CHB50E3S6H | CHB100E3S6H | CHB150E3S6H |
Nenneingang IPN(A) | 25 | 50 | 100 | 150 |
Messbereich IP(A) | 0~±50 | 0~±100 | 0~±200 | 0~±240 |
Drehungsverhältnis NP/NS (T) | 1:2000 Uhr | 1:2000 Uhr | 1:2000 Uhr | 1:3000 Uhr |
Innenwiderstand RM (Ohm) | 12,5±0,1 % | 6,25±0,1 % | 3,125±0,1 % | 3,125±0,1 % |
Ausgangsspannung Vo (V) | 1,650±0,625* (IP/IPN) | |||
Ausgangsspannung Vo (V) | @IP=0,T=25 1,650 C | |||
Referenzspannung VR (V) | @interne Ref.,Ref . Aus Modell 1,650 | |||
Referenzspannung VR (V) | @Externe Ref.Ref. In Modell 1,0~2,2 | |||
Versorgungsspannung VC(V) | +3,3 ±5 % | |||
Genauigkeit XG (%) | IPN, T = 25 < ±C 0,5 @ | |||
Offset-Spannung VOE (mV) | @IP=0,T=25 < ±C 10 | |||
Temperaturschwankung des VOE -DREHS (mV/C) | @IP=0,-40 ~ +85 < ±C 0,05 |
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Linearitätsfehler εr(%FS) | < 0,1 | |||
Di/dt genau befolgt (A/µs) | > 50 | |||
Reaktionszeit tra(µs) | @90 % von IPN < 1,0 | |||
Leistungsaufnahme IC (mA) | 10+ Is | |||
Bandbreite BW (KHZ) | @-3dB, IPN DC-200 | |||
Isolationsspannung VD (KV) | @50/60Hz, 1min, AC 3,0 |
Allgemeine Daten: | |
Parameter | Wert |
Betriebstemperatur TA (C) | -40 ~ +85 |
Lagertemperatur TS ( C ) | -55~ +125 |
Masse M(g ) | 70 |
Kunststoffmaterial | PBT G30/G15, UL94- V0; |
Standards | IEC60950-1:2001 UHR |
EN50178:1998 UHR | |
SJ20790-2000 |
Abmessungen (mm): | ||
CHB-E3S6HM | CHB-E3S6HS | Verbindung |
Allgemeine Toleranz | ||
Allgemeine Toleranz:< ±0,5mm Primäre Durchgangsbohrung: D20,5±0,15 Anschluss der sekundären : E3S6HM PRÜFEN: 2510-04A (statt Molex 5045-04A) CHK-E3S6HS: 2EDG5.08-04P |
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