Art: | Halle Typ |
---|---|
Ausgangssignaltyp: | Analogausgang |
Fertigungsprozess: | Integrierte Halbleiter |
Material: | Mixture |
Genauigkeitsklasse: | 0.5G |
Anwendung: | Schaltnetzteil |
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
Elektrische Daten:(Ta=25ºC,VC=+5,0VDC,RL=2Kilohm) | |||||||
Parmeter Ref |
CHK100 EKB5S2 |
CHK200 EKB5S2 |
CHK400 EKB5S2 |
CHK800 EKB5S2 |
CHK1000 EKB5S2 |
CHK1500EKB5S2 | CHK2000 EKB5S2 |
Nenneingang IPN(A) | 100 | 200 | 400 | 800 | 1000 | 1500 | 2000 |
Messbereich IP(A) | 0~±100 | 0~±200 | 0~±400 | 0~±800 | 0~±1000 | 0~±1500 | 0~±2000 |
Ausgangsspannung Vo (V) | 2,500±2,0* (IP/IPN) | ||||||
Ausgangsspannung Vo (V) | @IP=0,T=25 2,500 C | ||||||
Lastwiderstand RL (Kilohm) | >2,0 | ||||||
Versorgungsspannung VC(V) | +5,0 ±5 % | ||||||
Genauigkeit XG (%) | IPN, T = 25 < ±C 1,0 @ | ||||||
Offset-Spannung VOE (mV) | @IP=0,T=25 < ±C 25 | ||||||
Temperaturschwankung des VOE -DREHS (mV/C) | @IP=0,-40 ~ +85 < ±C 1,0 |
||||||
Hysterese-Offset -Spannung VOH (mV) | @IP=0,nach 1*IPN < ±20 | ||||||
Linearitätsfehler εr(%FS) | < 1,0 | ||||||
Di/dt (A/µs) | > 100 | ||||||
Reaktionszeit tra(µs) | @90 % von IPN < 5,0 | ||||||
Leistungsaufnahme IC (mA) | 15 | ||||||
Bandbreite BW (KHZ) | @-3dB, IPN DC-20 | ||||||
Isolationsspannung VD (KV) | @50/60Hz, 1min, AC 3,0 |
Allgemeine Daten: | |
Parameter | Wert |
Betriebstemperatur TA (C) | -40 ~ +85 |
Lagertemperatur TS ( C ) | -55~ +125 |
Masse M(g ) | 120 |
Kunststoffmaterial | PBT G30/G15, UL94- V0; |
Standards | IEC60950-1:2001 UHR |
EN50178:1998 UHR | |
SJ20790-2000 |
Abmessungen (mm): | ||
EKB5S2M PRÜFEN | EKB5S2S PRÜFEN | Verbindung |
Allgemeine Toleranz | ||
Allgemeine Toleranz:< ±0,5mm Primäre Durchgangsbohrung: D40,5±0,3 Anschluss der sekundären : PRÜFEN_EKB5S2M: 2510-04A (statt Molex 5045-04A) CHK_EKB5S2S: 15EDGK3.81-04P |
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen