Zertifizierung: | RoHS, CE, ISO, CCC |
---|---|
Verkapselungsstruktur: | Chip-Transistor |
Installation: | Durchgangsbohrung |
Leistungspegel: | Hohe Energie |
Funktion: | Macht Triode, Mosfet Transistor |
Markenname: | Original |
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
FET-Typ | N-Kanal |
Technologie | MOSFET (Metalloxid) |
Strom - Dauerentleerung (ID) @ 25 C. | 5,5A (TC) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V |
Rds Ein (Max.) @ Id, Vgs | 1ohm @ 3,3A, 10V |
VGS(th) (max) @ ID | 4V @ 250µA |
Vgs (Max.) | ±20V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (Max.) | 74W (TC) |
Betriebstemperatur | -55 ~ 150 C (TJ) |
Montageart | Durchgangsbohrung |
Gerätepaket Des Lieferanten | TO-220AB |
Paket/Karton | TO-220-3 |
Abfluss-zu-Quelle-Spannung (Vdss) | 400 V |
Gate-Ladung (Qg) (Max.) @ Vgs | 38 Öffner @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max.) @ Vds | 700 pF @ 25 V |
Basisproduktnummer | IRF730 |
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen