Verkapselungsstruktur: | SOT-23 |
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Anwendung: | Elektronische Produkte |
Zertifizierung: | RoHS, CE, ISO |
Leuchtstärke: | Standard |
Farbe: | Black |
Struktur: | planar |
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
Beschreibung
Fünfte Generation HEXFETsvonInternational RectifierutilizeWeiterverarbeitungTechniken, um extrem niedrige On-Resistance Persilicon Area zu erreichen. Dieser Vorteil kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET Power MOSFETs bekannt ist, Bietet dem Designer ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.EIN kundenspezifischer Leitrahmen wurde in das StandardSOT-23-Gehäuse integriert, um einen HEXFET Power MOSFET mit dem kleinsten Platzbedarf der Branche zu produzieren. Dieses Gehäuse, genannt Micro3, ist ideal für Anwendungen, bei denen sich der Platz auf der Leiterplatte auf dem Platz befindet. Das niedrige Profil (<1,1mm) des Micro3 ermöglicht es, sich in extrem dünne Anwendungsumgebungen wie portableelectronics und PCMCLA-Karten einzupassen.
Funktionen
Generation V-Technologie
Extrem Niedriger Einlasswiderstand
P-Kanal-MOSFET
SOT-23-Stellfläche
Niedrige Bauform (<1,1mm)
Erhältlich in Band und Rolle
Schnelles Umschalten
Bleifrei
RoHS-konform, halogenfrei
Produktparameter
Basisteil-Nummer | Pakettyp | Standardpaket | Bestellbare Teilenummer | |
Formular | Menge | |||
IRLML6302 | SOT-23 | Band und Rolle | 3000 | IRLML6302 |
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