Hoch Vth Serie Vds 40V 800A Mosfet für DC-DC Wandler

• Zertifizierung: RoHS, ISO
• Gestalten: Metall-Porzellan-Schlauch
• Abschirmungstyp: Sharp Cutoff Schirmungsrohr
• Modell Nr.: SFS04R011UGNF PDFN5x6
• Kühlungsmethode: Luftgekühlte Rohr
• Funktion: Schalttransistor
• Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
• Struktur: planar
• Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
• Leistungspegel: Mittlere Leistung
• Stoff: Silizium
• beschreibung: Extrem geringe Schaltverluste
• Eigenschaften: Ausgezeichnete Stabilität und Gleichmäßigkeit
• applications1: pd-Ladegerät
• Applications2: Motortreiber
• applications3: Schaltspannungsregler
• applications4: dc/dc-Wandler
• applications5: Schaltnetzteil
• Transportpaket: Karton
• Spezifikation: 35 x 30 x 37 cm
• Warenzeichen: OrientalHalbleiter
• Herkunft: China
• HS-Code: 854129000
• Produktionskapazität: 20K/monatlich

Produktbeschreibung

Produktbeschreibung

Allgemeine Beschreibung

FSMOS® MOSFET basiert auf dem einzigartigen Gerätedesign von Oriental Semiconductor, das niedrige RDS(ON), niedrige Gate-Ladung, schnelles Schalten und ausgezeichnete Lawineneigenschaften erzielt. Die High Vth Serie ist speziell für den Einsatz in Motorsteuerungssystemen mit einer Antriebsspannung von mehr als 10V ausgelegt.

Funktionen

• Niedriger RDS(ein) und FOM (Abbildung des Verdienstes)
• Extrem geringe Schaltverluste
• Ausgezeichnete Zuverlässigkeit und Gleichmäßigkeit
• Schnelles Umschalten und sanftes Recovery
• AEC-Q101 qualifiziert für Automotive-Anwendungen

Anwendungen

• PD-Ladegerät
• Motortreiber
• Schaltspannungsregler
• DC/DC-Wandler
• Schaltnetzteil

Wichtige Leistungsparameter

 

Parameter	Wert	Einheit
VDS	40	V
ID, Impuls	800	A
RDS(EIN), MAX. @ VGS=10V	1,1	MΩ
Qg	75,9	NC

Markierungsinformationen

 

Produktname	Paket	Markierung
SFS04R011UGNF	PDFN5×6	SFS04R011UGN

 

Absolute Höchstwerte bei Tj=25 Grad, sofern nicht anders angegeben
 

Parameter	Symbol	Wert	Einheit
Spannung der Abflussquelle	VDS	40	V
Gate-Source-Spannung	VGS	±20	V
Dauerablauf current1^), TC = 25 Grad	ID	200	A
Gepulster Ablauf current2^), TC = 25 oC	ID, Impuls	800	A
Dauerdiode vorwärts current1^), TC=25 Grad	IST	200	A
Diode gepulst current2^), TC=25 oC	IS, Puls	800	A
Leistung dissipation3^), TC = 25 Grad	PD	202	W
Lawinenabgang mit einem Impuls energy5)	EAS	240	MJ
Betriebs- und Lagertemperatur	Tstg, Tj	-55 bis 175	GRAD

Thermische Eigenschaften
 

Parameter	Symbol	Wert	Einheit
Thermischer Widerstand, Anschlussgehäuse	RθJC	0,74	C/W
Thermischer Widerstand, Diaphragma-ambient4)	RθJA	62	C/W

Elektrische Eigenschaften bei Tj=25 oC, sofern nicht anders angegeben

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Durchschlagspannung der Abflussquelle	BVDSS	40			V	VGS=0 V, ID=250 ΜA
Gate-Schwellenspannung	VGS(th)	2,0		4,0	V	VDS=VGS, ID=250 ΜA
Widerstand der Abflussquelle im ein-Zustand	RDS(EIN)		1,0	1,1	MΩ	VGS=10 V, ID=20 A
Leckstrom der Gate-Quelle	IGSS			100	Entfällt	VGS = 20 V
				-100		VGS = -20 V
Leckstrom der Abflussquelle	IDSS			1	μA	VDS = 40 V, VGS = 0 V.
Gate-Widerstand	RG		3,2		Ω	ƒ=1 MHz, offener Drain

Dynamische Merkmale

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Eingangskapazität	Ciss		5453		PF	VGS=0 V, VDS=25 V, ƒ = 100 kHz
Ausgangskapazität	Coss		1951		PF
Kapazität der Umkehrübertragung	Crs		113		PF
Einschaltverzögerung	td(ein)		17,5		ns	VGS=10 V, VDS=40 V, RG=2 Ω, ID=40 A
Anstiegszeit	tr		25,2		ns
Verzögerungszeit ausschalten	td(aus)		48,2		ns
Herbstzeit	tf		25,7		ns

Gate-Ladeeigenschaften

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Gesamtgebühr für Gate	Qg		75,9		NC	VGS=10 V, VDS=40 V, ID=40 A
Gate-Source-Gebühr	Qgs		25		NC
Gate-Drain-Ladung	Qgd		15,3		NC
Gate-Plateauspannung	Vplateau		4,9		V

Eigenschaften Der Körperdiode

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Testbedingung
Diodenvorwärtsspannung	VSD			1,3	V	IS=20 A, VGS=0 V
Rückfahrzeit	trr		61,4		ns	VR = 40 V, IS = 40 A, Di/dt=100 A/μs
Rückfahrladung	Qrr		86		NC
Spitzenstrom für Rücklauf	Irrm		2,7		A

Hinweis

1. Berechneter Dauerstrom auf Basis der maximal zulässigen Grenzschichttemperatur.
2. Wiederholende Nennleistung; Impulsbreite begrenzt durch max. Grenzschichttemperatur.
3. PD basiert auf der max. Grenzschichttemperatur, unter Verwendung des thermischen Widerstands des Schaltgehäuses.
4. Der Wert von RθJA wird mit dem Gerät gemessen, das auf der Platine 1 in2 FR-4 mit 2oz montiert ist. Kupfer, in einer ruhigen Luftumgebung mit Ta=25 Grad
5. VDD=30 V, VGS=10 V, L=0,3 mH, Start Tj=25 Grad