Art: | Halle Typ |
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Ausgangssignaltyp: | Analogausgang |
Fertigungsprozess: | Integrierte Halbleiter |
Material: | Mixture |
Genauigkeitsklasse: | 0.5G |
Anwendung: | Schaltnetzteil |
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Elektrische Daten:(Ta=25ºC,VC=+5,0VDC,RL=2Kilohm) | ||||||
Parmeter Ref |
CHK50 E5S4 |
CHK100 E5S4 |
CHK200 E5S4 |
CHK300 E5S4 |
CHK400E5S4 | CHK600 E5S4 |
Nenneingang IPN(A) | 50 | 100 | 200 | 300 | 400 | 600 |
Messbereich IP(A) | 0~+50 | 0~+100 | 0~+200 | 0~+300 | 0~+400 | 0~+600 |
Ausgangsspannung Vo (V) | +4,000* (IP/IPN) | |||||
Ausgangsspannung Vo (V) | @IP=0,T=25 0,000 C | |||||
Lastwiderstand RL (Kilohm) | >2,0 | |||||
Versorgungsspannung VC(V) | +5,0 ±5 % | |||||
Genauigkeit XG (%) | IPN, T = 25 < ±C 1,0 @ | |||||
Offset-Spannung VOE (mV) | IP = 0, T = 25 < C @ +40 | |||||
Temperaturschwankung des VOE -DREHS (mV/C) | @IP=0,-40 ~ +85 < ±C 1,0 |
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Hysterese-Offset -Spannung VOH (mV) | @IP=0,nach 1*IPN < ±20 | |||||
Linearitätsfehler εr(%FS) | < 1,0 | |||||
Di/dt genau befolgt (A/µs) | > 100 | |||||
Reaktionszeit tra(µs) | @90 % von IPN < 3,0 | |||||
Leistungsaufnahme IC (mA) | 15 | |||||
Bandbreite BW (KHZ) | @-3dB, IPN DC-20 | |||||
Isolationsspannung VD (KV) | @50/60Hz, 1min, AC 3,0 |
Allgemeine Daten: | |
Parameter | Wert |
Betriebstemperatur TA (C) | -40 ~ +85 |
Lagertemperatur TS ( C ) | -55~ +125 |
Masse M(g ) | 70 |
Kunststoffmaterial | PBT G30/G15, UL94- V0; |
Standards | IEC60950-1:2001 UHR |
EN50178:1998 UHR | |
SJ20790-2000 |
Abmessungen (mm): | ||
E5S4M PRÜFEN | E5S4S PRÜFEN | Verbindung |
Allgemeine Toleranz | ||
Allgemeine Toleranz:< ±0,5mm Primäre Durchgangsbohrung: D20,0±0,3 Anschluss der sekundären : E5S4M PRÜFEN: 2510-04A (statt Molex 5045-04A) CHK_E5S4S: 15EDGK3.81-04P |
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