4-Inch Selbsttragender GaN-Wafer (undotiert) LED China

• Anpassung: Verfügbar
• Anwendung: Diode, Leistungselektronische Bauteile
• Zertifizierung: CCC, CE, RoHS
• Modell Nr.: 4-inch P Grade
• Größe: ф 100 ± 0,3 mm
• Dicke: 650 ± 50μm
• Widerstand 300k: < 0,5 Ω*cm
• ttv: ≤ 30μm
• Schleife: ≤-30μm-≤30μm
• Spezifikation: gan-fs-c-U-c100
• Herkunft: China
• HS-Code: 2804611900
• Produktionskapazität: 50000

Produktbeschreibung

   Gan Einkristall-Substrate für HF-Elektronik
Gan-basierte HF-Geräte sind die begehrtesten Halbleiter-HF-elektronischen Geräte bis heute, mit den Vorteilen einer hohen Leistung, hoher Effizienz, hoher Temperaturbeständigkeit und Bestrahlungsbeständigkeit.
HEMT-Geräte auf Basis von GaN-Einkristallen bieten Lösungen für simultane Hochfrequenz, breites Spektrum, hohe Effizienz, hohe Leistungsdichte und hohe Zuverlässigkeit.
Halbisoliertes GaN, Fe dotiert, C dotiert          

         

FAQ

Q1: Wie ist die Art der Schifffahrt ?
A: Wir akzeptieren DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF und etc
Q2: Wie bezahlen?
A: T / T, PayPal und etc..
Q3: Was ist die Lieferzeit?
A: Für Warenbestand: Die Lieferzeit beträgt 10 Werktage.   Für kundenspezifische Produkte: Die Lieferzeit beträgt 10to 25 Werktage. Je nach Menge.
Q4: Kann ich die Produkte nach meinem Bedarf anpassen?
A: A: Ja, wir können die Spezifikationen nach Ihren Bedürfnissen anpassen.