4inch Dummy-Grad Hochreines Halbleitendes Siliziumkarbid-Wafer

Produktdetails
Anpassung: Verfügbar
Zertifizierung: CCC, CE, RoHS
ttv: ≤15μm
Gold Mitglied Seit 2024

Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen

Stammkapital
1000000 RMB
Blumenbeet
101~500 Quadratmeter
  • 4inch Dummy-Grad Hochreines Halbleitendes Siliziumkarbid-Wafer
  • 4inch Dummy-Grad Hochreines Halbleitendes Siliziumkarbid-Wafer
  • 4inch Dummy-Grad Hochreines Halbleitendes Siliziumkarbid-Wafer
  • 4inch Dummy-Grad Hochreines Halbleitendes Siliziumkarbid-Wafer
  • 4inch Dummy-Grad Hochreines Halbleitendes Siliziumkarbid-Wafer
  • 4inch Dummy-Grad Hochreines Halbleitendes Siliziumkarbid-Wafer
Ähnliche Produkte finden
  • Überblick
  • FAQ
Überblick

Grundlegende Informationen.

Modell Nr.
4inch Dummy Grade
Durchmesser
99,5~100mm
Dicke
500±25μm
Spezifikation
4 Zoll d Klasse
Herkunft
China
HS-Code
2804611900
Produktionskapazität
50000

Produktbeschreibung

Produktbeschreibung
        Halbisolierende Siliziumkarbid-Substrate sind Einzelkristallscheiben, die durch Schneiden, Schleifen, Polieren, Reinigen und andere Prozesse von halbisolierenden Siliziumkarbid-Kristallen gebildet werden. Als wichtiger Rohstoff für Halbleiter der dritten Generation können Einkristall-Substratscheiben durch heteroepitaxiales Wachstum und die Herstellung von Bauelementen zu Siliziumkarbid-basierten Hochfrequenzbauelementen hergestellt werden. Sie sind wichtige Ausgangsmaterialien für die Entwicklung der Halbleiterindustrie der dritten Generation. Um die Kundennachfrage nach 4,6-Zoll-Produkten zu decken, bietet das Unternehmen in- und ausländischen Kunden 4,6-Zoll-halbisolierende Substratprodukte mit hoher Kostenleistung in Chargen an.

Nachgelagerte Produkte und Anwendungen
     Hochreines, halbisoliertes Siliziumkarbid-Einkristall-Substrat wird hauptsächlich in 5G-Kommunikation, Radarsystem, Seeker, Satellitenkommunikation, Flugzeugen und anderen Bereichen verwendet, mit den Vorteilen der Verbesserung des Hochfrequenzbereichs, Ultra-Langstrecken-Erkennung, Anti-Interferenz, High-Speed, große Kapazität Informationsübertragung und anderen Anwendungen, Und gilt als das ideale Substrat für die Herstellung von Mikrowellengeräten. 4inch Dummy Grade High Purity Semi-Insulating Silicon Carbide Wafer4inch Dummy Grade High Purity Semi-Insulating Silicon Carbide Wafer4inch Dummy Grade High Purity Semi-Insulating Silicon Carbide Wafer4inch Dummy Grade High Purity Semi-Insulating Silicon Carbide Wafer4inch Dummy Grade High Purity Semi-Insulating Silicon Carbide Wafer4inch Dummy Grade High Purity Semi-Insulating Silicon Carbide Wafer
        Wir streben ständig nach höherer Kristallqualität und Verarbeitungsqualität, um die Kundenanforderungen besser zu erfüllen.
Derzeit können wir 4-Zoll- und 6-Zoll-Produkte in Chargen liefern.
8-Zoll-Produkte sind in der Entwicklung.   
                   
          4 Zoll High Purity Semi-isolierendes SiC-Substrat
  Elemente Einheit Produktionsqualität Dummy  -Klasse
1.Crystal-Parameter
1,1  Polytyp -- 4H 4H
1,2  Flächenausrichtung auf Achse -- <0001> <0001>
1,3 Flächenausrichtung außerhalb der Achse Nr. 0±0,2 Grad 0±0,2 Grad
1,4 (0004) (FWHM) Arcsec 45arcsec 100arcsec
2. Elektrische Parameter
2,1  Typ -- HPSI HPSI
2,2  Widerstand ohm·cm 1E10 Ohm·cm 70 % Fläche > 1E5 Ohm·cm
3.Mechanische Parameter
3,1  Durchmesser Mm 99,5~100mm 99,5~100mm
3,2  Dicke μm 500±25μm 500±25μm
3,3  Primäre flache Ausrichtung Nr. [1-100]±5 Grad [1-100]±5 Grad
3,4  Primäre flache Länge Mm 32,5±1,5mm 32,5±1,5mm
3,5 Sekundäre flache Position Nr. 90±5
90 ±CW von Primärflachschicht 5 Grad, Silizium
Druckseite nach oben
90±5
90 ±CW von Primärflachschicht 5 Grad, Silizium
Druckseite nach oben
3,6  Sekundäre flache Länge Mm 18±1,5mm 18±1,5mm
3,7  LTV μm 2μm(5mm*5mm) ENTFÄLLT
3,8  TTV μm 5μm 15μm
3,9  Schleife μm -15μm~15μm -45μm~45μm
3,10  Verformen μm 20μm 50μm
3,11 (AFM) Rauheit der Vorderseite (Si-Fläche) Nm RA0,2nm(5μm*5μm) RA0,2nm(5μm*5μm)
4.Struktur
4,1  Dichte Der Mikropipe ea/cm2 1ea/cm2 10ea/cm2
4,2 Kohlenstoffdichte ea/cm2 1ea/cm2 ENTFÄLLT
4,3  Sechseckige Leere -- Keine ENTFÄLLT
4,4  Metallverunreinigungen Atome/cm2 5E12Atome/cm2 ENTFÄLLT
5.Front Qualität
5,1  Vorne -- Si Si
5,2  Oberflächengüte -- SiCMP Si-Face CMP SiCMP Si-Face CMP
5,3  Partikel ea/Wafer 60(Größe0.3μm) ENTFÄLLT
5,4  Kratzer ea/mm , GesamtlängeDurchmesser ENTFÄLLT
5,5       
Orangenhaut/Gruben/Flecken/Streifen/Risse/Verschmutzung
Mm Keine ENTFÄLLT
5,6     Kantenspäne/Einrückungen/Bruch/Sechskantplatten   Keine Keine
5,7  Polytype-Bereiche -- Keine 30 % (kumulierter Bereich)
5,8  Vordere Laserbeschriftung -- Keine Keine
6.Back Qualität
6,1  Zurück Ende -- CCMP C-FACE CMP CCMP C-FACE CMP
6,2  Kratzer ea/mm , Gesamtlänge2*Durchmesser ENTFÄLLT
6,3           Rückdefekte (Kantenspäne/Einrückungen) -- Keine Keine
6,4  Rauheit des Rückens Nm RA0,2nm(5μm*5μm) RA0,2nm(5μm*5μm)
6,5  Laserbeschriftung hinten -- 1mm (von Oberkante) 1mm (von Oberkante)
7.  Kante
7,1  Kante --  Fase  Fase
SEMI-STDHinweise:"NA"bedeutet keine Anfrage.nicht metionierte Artikel können sich auf SEMI-Std beziehen.
FAQ

 

Q1: Wie ist die Art der Schifffahrt ?
A: Wir akzeptieren DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF und etc
Q2: Wie bezahlen?
A: T / T, PayPal und etc..
Q3: Was ist die Lieferzeit?
A: Für Warenbestand: Die Lieferzeit beträgt 10 Werktage.   Für kundenspezifische Produkte: Die Lieferzeit beträgt 10to 25 Werktage. Je nach Menge.
Q4: Kann ich die Produkte nach meinem Bedarf anpassen?
 A: Ja, wir können die Spezifikationen nach Ihren Bedürfnissen anpassen.
Q5: Wie kann die Qualität Ihrer Produkte garantiert werden?
 A: Strenge Erkennung während der Produktion.strenge Probenahme Inspektion auf Produkten vor dem Versand und intakte Produktverpackung gewährleistet.
4inch Dummy Grade High Purity Semi-Insulating Silicon Carbide Wafer

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an Lieferanten

*von:
*bis:
*Meldung:

Geben Sie zwischen 20 bis 4.000 Zeichen.

Das ist nicht das, wonach Sie suchen? Jetzt Beschaffungsanfrage Posten
Kontakt Lieferant

Ähnliche Produkte nach Kategorie suchen

Startseite des Anbieters Produkte Sic Wafer & Epitaxial Wafer 4inch Dummy-Grad Hochreines Halbleitendes Siliziumkarbid-Wafer