Zertifizierung: | RoHS, CE, ISO, CCC |
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Funktion: | Schalttransistor, Transistor |
Verkapselungsstruktur: | Chip-Transistor |
beschreibung: | mosfet 400V n-Kanal hexfet |
Produktkategorie: | mosfet |
Montageart: | Durchgangsbohrung |
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Polarität Des Transistors: | N-Kanal |
Anzahl der Kanäle: | 1 Kanal |
Vds – Abflussquelle: | 400 V |
Id - Kontinuierlicher Abflussstrom: | 10 A |
Rds Ein – Widerstand Der Drain-Source: | 550 MOHMS |
Vgs – Gate-Source-Spannung: | - 20 V, + 20 V |
VGS th – Grenzwertspannung der Gate-Quelle: | 2 V |
Qg – Gate-Ladung: | 63 Öffner |
Minimale Betriebstemperatur: | - 55 C |
Maximale Betriebstemperatur: | + 150 C |
Pd - Verlustleistung: | 125 W |
Kanalmodus: | Verbesserung |
Verpackung: | Rohr |
Konfiguration: | Einzeln |
Höhe: | 15,49 mm |
Länge: | 10,41 mm |
Serie: | IRF |
Transistortyp: | 1 N-Kanal |
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