Irf9540n P-Kanal-Feldeffekttransistor Mosfet

Produktdetails
Verkapselungsstruktur: To-220-3
Installation: Durchgangsbohrung
Funktion: Macht Triode, mosfet
Noch unentschlossen? Holen Sie sich Muster für $ !
Muster anfordern

360° virtueller Rundgang

Diamond-Mitglied Seit 2016

Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen

Geprüfter Lieferant

Von einer unabhängigen externen Prüfstelle geprüft

Anzahl der Angestellten
18
Gründungsjahr
2008-09-17
  • Irf9540n P-Kanal-Feldeffekttransistor Mosfet
  • Irf9540n P-Kanal-Feldeffekttransistor Mosfet
  • Irf9540n P-Kanal-Feldeffekttransistor Mosfet
  • Irf9540n P-Kanal-Feldeffekttransistor Mosfet
Ähnliche Produkte finden

Grundlegende Informationen.

Modell Nr.
IRF9540N
Stoff
Silizium
Spannung zwischen Abfluss und Quelle (vdss)
100 V
Zusätzliche Funktion
Lawinengefahr, hohe Reliabilienrate
Konfiguration
Einfach mit integrierter Diode
Versand durch
dhl\ups\fedex\ems\hk postdhl\ups\fedex\ems\hk post
Bedingung
Brandneu und Original
Abflussstrom-max (id)
23 a
fet-Technologie
Metalloxid-Halbleiter
Gehäusematerial verpacken
Kunststoff/Epoxid
Unterkategorie
Andere Transistoren
Polarität/Kanaltyp
p-Kanal
Gepulster Drain-Strom-max (idm)
76 a
Verlustleistung Ambient-max
94 W
Technologie
mosfet (Metalloxid)
Paket
Rohr
Spezifikation
Betriebstemperatur -55c ~ 150c (tj)
Herkunft
China
Produktionskapazität
10000

Produktbeschreibung

Irf9540n P-Channel Field Effect Transistor Mosfet
Irf9540n P-Channel Field Effect Transistor Mosfet

Produkt Paramenters


 
Kategorie Getrennte Halbleiter-Produkte
Transistoren - FETs, MOSFETs - sondern aus
Paket Gefä ß
Fet-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Aktuell - kontinuierlicher Abfluss (Identifikation) @ 25° C 23A (Tc)
Spannung (maximales RDS an, Minute RDS an) fahren 10V
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs 117mOhm @ 11A, 10V
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation 4V @ 250µ A
Vgs (maximal) ± 20V
Fet-Merkmal -
Energien-Ableitung (maximal) 140W (Tc)
Betriebstemperatur - 55° C ~ 150° C (TJ)

Irf9540n P-Channel Field Effect Transistor Mosfet
Firma-Profil
Irf9540n P-Channel Field Effect Transistor Mosfet

Irf9540n P-Channel Field Effect Transistor Mosfet
 


Irf9540n P-Channel Field Effect Transistor MosfetIrf9540n P-Channel Field Effect Transistor Mosfet

Produktverpacken
Irf9540n P-Channel Field Effect Transistor Mosfet
FAQ


1. Who sind Sie?
Wir sind Hersteller von Qualitä Ts-Chinas eigener Chips eingeschlossener IS, Transistor, Widerstand, Kondensatoren,
Speicher, IGBT, Mosfet, Traic/SCR, Optoelectronics. Almost alle Bauteile von Elektronik in unserer Produktion

2. Do Sie ursprü Ngliche Teile auch verkaufend?
Ja liefern wir auch ursprü Ngliches Materialien bcz, das alle unsere konzipierten Chips auf der Vorlage basieren, so wir
arbeiten mit irgendeiner Vorlage der Entwurfs-und Entwicklungs-Abteilung zusammen, dass wir gute Quellen der Vorlage haben

3. What ist Ihr Vorteil?
Unsere Qualitä Ts-Produkte mit angemessenem Preis kö Nnen die ursprü Nglichen Bauteile vollstä Ndig ersetzen

4. Can erbringen Sie Soem-Dienstleistung?
Ja kö Nnen wir, wenn Sie Projekte haben und um PLZ in Verbindung treten mit uns bitten

5. Can I Kauf alle requireing Bauteile im von Ihnen?
Selbstverstä Ndlich ja, von der Bom Listenpreisangabe bis Haus-Hausexpreß Dienst, haben wir
Berufsverkä Ufe, zum an Sie stä Ndig anzuschließ En.



Irf9540n P-Channel Field Effect Transistor Mosfet


Senden Sie Ihre Anfrage direkt an Lieferanten

*von:
*bis:
*Meldung:

Geben Sie zwischen 20 bis 4.000 Zeichen.

Das ist nicht das, wonach Sie suchen? Jetzt Beschaffungsanfrage Posten
Kontakt Lieferant