35A/1200V IGBT für den Wechselrichter und die Motorsteuerung und Antriebe Legm35be120e2Hz
| 17,36 - 18,80 $ | 50 Stücke (MOQ) |
Hafen:
Zhengzhou, China
Produktionskapazität:
500000pices/Jahr
Zahlungsbedingungen:
T/T
Leading Energy (Beijing)Electronic Technology Co., Ltd.
Beijing, China
Letzter Log-in:
Nov 01, 2025
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Produktbeschreibung
Firmeninfo
Die Anschrift:
Beijing, China
Unternehmensart:
Hersteller/Werk
Geschäftsbereich:
Elektronik, Industrielle Anlagen und Zusatzteile
Zertifizierung des Managementsystems:
ISO 9001
Hauptprodukte:
IGBT, IGBT-Chip, IGBT-Modul, diskrete IGBT-Bauelemente
Firmenvorstellung:
Leading Energy (Beijing) Electronic Technology Co., Ltd
. (Im Folgenden: LEADING-ENERGY) ist ein nationales High-Tech-Unternehmen mit Schwerpunkt auf Forschung
und Entwicklung, Produktion und Vertrieb von Leistungshalbleiterchips und -Bauelementen. Es wurde
am 8. Juli 2014 in Peking mit einem Grundkapital von 27,78 Millionen Yuan gegründet. Seine Produkte
decken IGBT-Chips, IGBT-Hochleistungsmodule und diskrete Geräte ab und arbeiten im
Bereich der Siliziumkarbid-Leistungsbauelemente. Darüber hinaus verfügt das Unternehmen über unabhängige Rechte an geistigem
Eigentum mit allen seinen Produkten und hält eine Reihe von Erfindungspatenten.
Geschlossene Testproduktionsbasis bei Henan Leading Energy Electronic Technology Co., Ltd. Befindet sich in Xinxiang, Provinz Henan, auf
einer Fläche von 2500 Quadratmetern. Es ist eine Produktionsbasis für Geräteverpackungen und Tests.
Mit selbst gebauten Labors bietet es eine komplette Palette von Test- und Experimentierplattformen.
Das Unternehmen forscht und produziert unabhängig voneinander, begrüßt aber auch Kunden aus allen Gesellschaftsschichten, die zur Probenverarbeitung kommen und Kunden bei der Anpassung ihrer Produkte unterstützen
. (Im Folgenden: LEADING-ENERGY) ist ein nationales High-Tech-Unternehmen mit Schwerpunkt auf Forschung
und Entwicklung, Produktion und Vertrieb von Leistungshalbleiterchips und -Bauelementen. Es wurde
am 8. Juli 2014 in Peking mit einem Grundkapital von 27,78 Millionen Yuan gegründet. Seine Produkte
decken IGBT-Chips, IGBT-Hochleistungsmodule und diskrete Geräte ab und arbeiten im
Bereich der Siliziumkarbid-Leistungsbauelemente. Darüber hinaus verfügt das Unternehmen über unabhängige Rechte an geistigem
Eigentum mit allen seinen Produkten und hält eine Reihe von Erfindungspatenten.
Geschlossene Testproduktionsbasis bei Henan Leading Energy Electronic Technology Co., Ltd. Befindet sich in Xinxiang, Provinz Henan, auf
einer Fläche von 2500 Quadratmetern. Es ist eine Produktionsbasis für Geräteverpackungen und Tests.
Mit selbst gebauten Labors bietet es eine komplette Palette von Test- und Experimentierplattformen.
Das Unternehmen forscht und produziert unabhängig voneinander, begrüßt aber auch Kunden aus allen Gesellschaftsschichten, die zur Probenverarbeitung kommen und Kunden bei der Anpassung ihrer Produkte unterstützen
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