Anpassung: | Verfügbar |
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Gestalten: | DIP/smd |
Leitfähiger Typ: | k. A. |
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
Von einer unabhängigen externen Prüfstelle geprüft
Artikelstatus
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Aktiv
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FET-Typ
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N-Kanal
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Technologie
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MOSFET (Metalloxid)
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Abfluss-zu-Quelle-Spannung (Vdss)
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100 V
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Strom - Dauerentleerung (ID) @ 25 C.
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7,7A (TC)
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Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
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4V, 5V
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Rds Ein (Max.) @ Id, Vgs
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270mOhm @ 4,6A, 5V
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VGS(th) (max) @ ID
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2V @ 250µA
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Gate-Ladung (Qg) (Max.) @ Vgs
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12 Öffner @ 5 V
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Vgs (Max.)
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±10V
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Eingangskapazität (Ciss) (Max.) @ Vds
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490 pF @ 25 V
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FET-Funktion
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-
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Verlustleistung (Max.)
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2,5W (Ta), 42W (TC)
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Betriebstemperatur
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-55 ~ 150 C (TJ)
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Montageart
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Smd
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Gerätepaket Des Lieferanten
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D-Pak
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Paket/Karton
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TO-252-3, DPAK (2 Ableitungen + Lasche), SC-63
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Basisproduktnummer
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IRLR120
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