• IRF640NPBF TRANS MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
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IRF640NPBF TRANS MOSFET N-CH 200V 18A TO-220

gestalten: SMD
Leitfähige Typ: Bipolar Integrated Circuit
Integration: MSI
Technics: Halbleiter-IC
Application: Standard Generalized Integrated Circuit
Type: Digital / Analog IC

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Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen

Handelsunternehmen

Grundlegende Informationen.

Modell Nr.
IRF640NPBF
fertigung
infineon
d/C
19+
Paket
To-220
Qualität
Original neues Original
Transportpaket
Box
Herkunft
China
HS-Code
8542390000
Produktionskapazität
1000000PCS

Produktbeschreibung

Beschreibung

IRF640NPBF :  Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-polig (3+Tab) TO-220AB Rohr

Paket: BGA

Mfr. Teil#: IRF640NPBF

MFR.: INFINEON

Datenblatt: pdf
IRF640NPBF Trans MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
(E-Mail oder Chat für PDF-Datei)

ROHS-Status: rohs, PB-FREI
IRF640NPBF Trans MOSFET N-CH 200V 18A TO-220

Qualität: 100% Original

Garantie: 180 Tage

 

 

 

Artikelstatus Aktiv  
FET-Typ N-Kanal  
Technologie MOSFET (Metalloxid)  
Abfluss-zu-Quelle-Spannung (Vdss) 200V  
Strom - Dauerentleerung (ID) @ 25 C. 18A (TC)  
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) 10V  
Rds Ein (Max.) @ Id, Vgs 150mOhm @ 11A, 10V  
VGS(th) (max) @ ID 4V @ 250µA  
Gate-Ladung (Qg) (Max.) @ Vgs 67nC @ 10V  
Vgs (Max.) ±20V  
Eingangskapazität (Ciss) (Max.) @ Vds 1160pF @ 25V  
FET-Funktion -  
Verlustleistung (Max.) 150W (TC)  
Betriebstemperatur -55 ~ 175 C (TJ)  
Montageart Durchgangsbohrung  
Gerätepaket Des Lieferanten TO-220AB  
Paket/Karton TO-220-3


HEXFET Power MOSFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumbereich zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET Power MOSFETs bekannt sind, bietet dem Designer ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das TO-220-Gehäuse ist universell für alle gewerblich-industriellen Anwendungen mit Verlustleistung bis ca. 50 Watt bevorzugt. Der niedrige thermische Widerstand und die geringen Paketkosten des TO-220 tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der gesamten Branche bei. Das D2PAK ist ein SMD-Leistungsgehäuse, das Matrizengrößen bis HEX-4 unterstützt. Sie bietet die höchste Leistungskapazität und den niedrigsten möglichen Einschaltwiderstand in jedem vorhandenen SMD-Gehäuse. Der D2PAK ist aufgrund seines geringen internen Anschlusswiderstands für Hochstromanwendungen geeignet und kann in einer typischen Oberflächenmontage bis zu 2,0W abführen.

Hauptfunktionen

  • Fortschrittliche Prozesstechnologie
  • Dynamische dv/dt-Bewertung
  • 175 Grad Betriebstemperatur
  • Schnelles Umschalten
  • Voll Lawinenbewertung
  • Einfache Parallelschaltung
  • Einfache Anforderungen An Das Laufwerk
  • Bleifrei







IRF640NPBF Trans MOSFET N-CH 200V 18A TO-220







 


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Warum wir uns entscheiden

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