Juxing 80A30V Jx3080K N-Kanal-MOSFET mit to-252

• Anpassung: Verfügbar
• Zertifizierung: RoHS, CE, ISO, CCC
• Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
• Modell Nr.: JX3080K
• Arbeitsfrequenz: Niederfrequenz
• Leistungspegel: Mittlere Leistung
• Funktion: Macht Triode, Schalttriode
• Struktur: planar
• Stoff: Silizium
• i d: 80A
• v dss: 30V
• Paket: To-252
• Fall: Geformter Kunststoff
• Transportpaket: tr/RE/crt
• Spezifikation: 2,5K/tr
• Warenzeichen: Juxing
• Herkunft: China
• HS-Code: 85411000
• Produktionskapazität: 10kk Stück/m

Produktbeschreibung

Produktbeschreibung

 

Ein MOSFET, der für Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor steht, ist eine Art Halbleiterbauelement, das in elektronischen Schaltungen für Schalt- und Verstärkungszwecke weit verbreitet ist. Sie ist ein grundlegender Bestandteil moderner integrierter Schaltungen und spielt eine entscheidende Rolle in der digitalen Elektronik.

MOSFETs gibt es in verschiedenen Typen, einschließlich:

1. **N-Kanal-MOSFET (NMOS)**: In einem N-Kanal-MOSFET sind die meisten Ladungsträger, die für den Stromfluss verantwortlich sind, Elektronen. Diese Geräte werden eingeschaltet, wenn eine positive Spannung an das Gate relativ zur Quelle angelegt wird.

2. **P-Kanal MOSFET (PMOS)**: In einem P-Kanal MOSFET sind die meisten Ladungsträger Löcher. Diese Geräte werden eingeschaltet, wenn eine negative Spannung an das Gate relativ zur Quelle angelegt wird.

3. **Komplementärer MOSFET (CMOS)**: CMOS-Technologie kombiniert N-Kanal- und P-Kanal-MOSFETs zu Schaltungen mit niedrigem Stromverbrauch und hoher Störfestigkeit. CMOS wird häufig in digitalen Logikschaltungen, Mikrocontrollern und Mikroprozessoren eingesetzt.

Der Grundaufbau eines MOSFET besteht aus drei Hauptklemmen:

1. **Gate**: Der Gate-Anschluss dient zur Steuerung des Stromflusses zwischen den beiden anderen Klemmen, der Quelle und dem Abfluss.

2. **Quelle**: Die Quelle ist, wo die meisten Ladungsträger das Gerät betreten oder verlassen.

3. **Drain**: Der Drain ist, wo die meisten Ladungsträger verlassen oder geben Sie das Gerät.

Der Betrieb eines MOSFET basiert auf der Modulation der Leitfähigkeit eines Halbleiterkanals zwischen den Quellen- und Drain-Klemmen, die durch ein elektrisches Feld gesteuert wird, das an der Gate-Klemme angebracht ist. Wenn eine Spannung an das Gate angelegt wird, wird in der Oxidschicht ein elektrisches Feld erzeugt, das wiederum die Ladungsträger im Kanal beeinflusst und den Stromfluss zwischen Quelle und Drain-Klemmen ermöglicht oder verhindert.

MOSFETs sind entscheidende Komponenten in einer Vielzahl von elektronischen Anwendungen, einschließlich digitaler Schaltungen (wie CPUs und Speicherchips), analoger Schaltungen (Verstärker und Filter), Leistungsmanagement (Spannungsregler und Leistungsverstärker) und mehr. Sie werden aufgrund ihrer geringen Größe, hohen Schaltgeschwindigkeiten und des geringen Stromverbrauchs geschätzt, was sie für moderne elektronische Geräte und Systeme unerlässlich macht.






 

Produktparameter

TYP	POLARITÄT	PD	ID	VBR (DSS)	RDS(EIN)(MAX)			VGS(th)		GFS		Paket
		(w)	A)	(V)	(Ω)	ID(A)	VGS (V)	(V)	ID(μA)	(S)	VDS(V)
JX2060K	N-Kanal-MOS	37	60	20	0,058	25	4,5	1,2	250		10	TO-252
JX2090K	N-Kanal-MOS	83	90	20	0,033	30	7,4	1,2	250		10	TO-252
JX3080K	N-Kanal-MOS	46	80	30	0,046	30	10	2,2	250		15	TO-252
JX3090K	N-Kanal-MOS	65	90	30	0,036	30	10	2,5	250		15	TO-252
SI2302	N-Kanal-MOS	1,25	3	20	0,072	3,6	4,5	0,65~1,2	50	8,5	5	SOT-23
SI2305	P-ch MOS	1,7	-5,8	-8	0,035	-4,4	-4,5	-0,4~-1	-250	17	-4	SOT-23
SI2306	N-Kanal-MOS	1,25	3,5	30	0,057	3,5	10	1~3	250	6,9	4,5	SOT-23
SI2310	N-Kanal-MOS	1,25	4,5	20	0,035	4,5	10	0,65~-0,8	250	25	15	SOT-23
BSS123	N-Kanal-MOS	0,35	0,17	100	6	0,17	20	1,6~-2,8	250	0,08	10	SOT-23
BSS138	N-Kanal-MOS	0,35	0,22	50	3,5	0,22	20	0,8~-1,5	1000	0,12	10	SOT-23
BSN20	N-Kanal-MOS	0,3	0,1	50	15	0,1	10	0,4~-1,8	10	0,08	10	SOT-23
BSS84	P-ch MOS	0,225	-0,13	-50	8	-0,13	-10	-0,9~-2	-250	0,05	-25	SOT-23
2N7002	N-Kanal-MOS	0,225	0,115	60	5	0,5	10	1~2,5	250	0,08	10	SOT-23
2N7002K	N-Kanal-MOS	0,35	0,34	60	5	0,5	10	1~2,5	1000	-	-	SOT-23
AO3400	N-Kanal-MOS	0,35	5,8	30	0,035	5,8	10	0,7~1,4	250	8	5	SOT-23
AO3401	P-ch MOS	0,35	-4,2	-30	0,065	-4,2	-10	-0,7~-1,3	-250	7	-5	SOT-23
AO3402	N-Kanal-MOS	0,35	4	30	0,055	4	10	0,6~1,4	250	8+	15	SOT-23
AO3407	P-ch MOS	0,35	-4,1	-30	0,06	-4,1	-10	-1~-3	-250	5,5	-5	SOT-23
AO3415	P-ch MOS	0,35	-4	-20	0,05	-4	-4,5	-0,3~-1	-250	8	-5	SOT-23
AO4459	P-ch MOS	0,35	-5	-30	0,046	-5	-10	-1,4~-2,4	-250	11	-5	SOT-23
AO3460	N-Kanal-MOS	1,4	0,65	60	1,7	0,65	10	1~2,5	250	0,8	5	SOT-23
AO4812	Zweifach N-Kanal MOS	2	6,9	30	0,028	6,9	10	1~3	250	15,4	5	SOT-23
AO8820	Zweifach N-Kanal MOS	1,5	7	20	0,021	7	10	0.5~1	250	25	5	SOT-23
SI2300	N-Kanal-MOS	1,25	3,8	20	0,04	3,8	4,5	0,6~1,5	250	5	5	SOT-23
SI2301	P-ch MOS	1,25	-2,8	-20	0,12	-2,8	-4,5	-0,45~-0,95	-250	8	-5	SOT-23

Produkte Anwendungen

MOSFETs finden aufgrund ihrer Vielseitigkeit, Effizienz und Regelbarkeit Anwendungen in einer Vielzahl von elektronischen Schaltungen und Systemen. Hier sind einige häufige Anwendungsbereiche von MOSFETs:

Digitale Logikschaltungen: MOSFETs werden in digitalen Schaltungen verwendet, um Schalter und Gates für die Verarbeitung und Übertragung binärer Signale in Computern, Mikrocontrollern und Speichergeräten zu erstellen.

Power Management: MOSFETs werden in Spannungsreglern, Netzteilen und DC/DC-Wandlern verwendet, um die Stromverteilung effizient zu steuern und zu verwalten.

Verstärker: MOSFETs werden in Verstärkerschaltungen für Audio- und Hochfrequenzanwendungen verwendet. Sie können eine hohe Eingangsimpedanz und Verstärkung liefern.

Schaltkreise: MOSFETs werden als elektronische Schalter in einer Vielzahl von Anwendungen, einschließlich Relaisaustausch, Motorsteuerung und Hochfrequenz-Signalschaltung verwendet.

Motorsteuerung: MOSFETs sind wesentliche Komponenten in Motorantriebsschaltungen, die eine präzise Steuerung der Motordrehzahl und -Richtung in Anwendungen wie Robotik und Automatisierung ermöglichen.

Hochfrequenz (RF) Anwendungen: MOSFETs werden in HF-Verstärkern und Mischern für drahtlose Kommunikationssysteme wie Mobilfunknetze und WiFi verwendet.

LED-Treiber (Light Emitting Diode): MOSFETs werden in LED-Treiberschaltungen verwendet, um die Helligkeit von LEDs in Beleuchtungsanwendungen zu steuern.

Audioverstärker: MOSFETs werden in Audioverstärkern aufgrund ihrer Fähigkeit verwendet, hohe Genauigkeit und effiziente Leistungsabgabe zu bieten.

Schaltnetzteile (SMPS): MOSFETs werden in SMPS verwendet, um Spannung zu regulieren und effizient zwischen verschiedenen Spannungspegeln umzuwandeln.

Spannungswechselrichter: MOSFETs werden in Spannungswechselrichterschaltungen verwendet, um Wechselstromsignale zu erzeugen oder DC in AC umzuwandeln.

Batteriemanagement: MOSFETs werden in Batterieschutzschaltungen verwendet, um Überladung, Überentladung und Kurzschlüsse zu verhindern.

Synchrone Gleichrichtung: MOSFETs werden in synchronen Gleichrichtungsschaltungen verwendet, um die Effizienz von Schaltnetzteilen und DC/DC-Wandlern zu verbessern.

Photovoltaikanlagen: MOSFETs werden in Solaranlagen zur maximalen Leistungspunktverfolgung und zur Steuerung des Energieflusses aus Solarmodulen eingesetzt.

Automobilelektronik: MOSFETs werden in Automobilanwendungen wie Motorsteuerung, Beleuchtungssteuerung und Energiemanagement eingesetzt.

Elektronische Vorschaltgeräte: MOSFETs werden in Leuchtstofflampen und Vorschaltgeräten mit hoher Intensität für eine effiziente Beleuchtungssteuerung eingesetzt.

Wechselrichter: MOSFETs werden in Wechselrichter verwendet, um Gleichstrom aus Quellen wie Batterien in Wechselstrom für den Einsatz in Haushaltsgeräten umzuwandeln.

Audioverarbeitung: MOSFETs werden in Audioverarbeitungsschaltkreisen für Equalizer, Tonsteuerung und Audioeffekte verwendet.

Hochfrequenz-Anwendungen: MOSFETs werden in HF-Schaltern und Mischern für Kommunikations- und Radarsysteme eingesetzt.

Werkseitig

Lager

Zertifizierungen

 

FAQ

1. Welche Hauptprodukte verkaufen wir?
Wir verkaufen die gesamte Palette von Dioden und Brückengleichrichter. Unsere Vorteile sind die komplette Linie der Niederspannungsabfall schottky Diode, TVS, ESD, MOSFET, Big Bridges, Transistor.
2.wie lange ist ein Angebot gültig?
Alle angegebenen Preise sind 30 Tage ab dem Datum der Offerte gültig.
3.Was sind Zahlungsbedingungen?
Wir bevorzugen die Zahlung im Voraus über TT, Western Union und Paypal (nur für kleine Menge).
4. Wie lange ist die Produktionsvorlaufzeit?
* die meisten Artikel haben wir Lager von kompletten Artikeln;
* die meisten Artikel haben wir Vorrat an Chips, Vorlaufzeit 2~3 Wochen;
* Teilartikel haben nicht Bestand an Chips, Vorlaufzeit 4~5 Wochen.
* Sobald Bestellung bestätigt, können wir die genaue Vorlaufzeit dann überprüfen
5. Was ist die Frachtgebühr, wenn wir Dioden von JUXING kaufen?
Da Fracht wird je nach Größe und Gewicht der Teile, verschiedenen Standort der Kunden variiert, werden wir ab Werk, Fracht zu sammeln und durch Kunden Kurier Konto von DHL, UPS, FEDEX bezahlt Angebot. Oder wir überprüfen die Versandkosten und fügen Sie sie dem Gesamtbetrag hinzu, den der Kunde zahlen sollte.
6. Darf ich einige Proben für Tests haben?
Wir bieten unseren Kunden kostenlose Muster an, die nur die Fracht für Proben bezahlen müssen.
7. Wie kann man sicherstellen, dass Kunden weltweit Komponenten in guter Qualität und Zustand erhalten?
1st, mit modernster Fertigungstechnologie sicherstellen, dass die Zuverlässigkeit der Produkte;
2nd strenges Qualitätskontrollsystem, ISO-registriert;
3rd, Wir werden Datenblatt für alle Komponenten, und wir bevorzugen Kunden Test unsere Teile, volumn Bestellungen nach Test bestanden platziert werden;
4th, Fabrik würde Produkt 100% vor der Lieferung überprüfen, und internationale Sicherheitsverpackung wird angewendet, um sicherzustellen, dass Teile beim Kunden in gutem Zustand ankommen.