Anpassung: | Verfügbar |
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Fertigungstechnologie: | Diskretes Gerät |
Typ: | n-Halbleiter |
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
Von einer unabhängigen externen Prüfstelle geprüft
PARAMETER | SYMBOL | WERT | EINHEIT | ||
5N20/I5N20/E5N20/B5N20/D5N20 | F5N20 | ||||
Drian-Source-Spannung | VDS | 200 | V | ||
Gate-Drain-Spannung | VGS | ±30 | V | ||
Ablassstrom (kontinuierlich) | ID(T=25ºC) | 5 | A | ||
(T=100ºC) | 3,4 | A | |||
Ablassstrom (Gepulst) | IDM | 20 | A | ||
Single Pulse Avalanche Energy | EAS | 125 | MJ | ||
Peak Diode Recovery dv/dt | dv/dt | 5 | V/ns | ||
Gesamtableitung | TA=25ºC | Ptot | 2 | 2 | W |
TC=25ºC | Ptot | 40 | 20 | W | |
Temperatur Der Verbindungsstelle | Tj | -55~150 | ºC | ||
Lagertemperatur | Tstg | -55~150 | ºC |
Funktionen |
Schnelles Umschalten |
Niedriger WIDERSTAND (Rdson≤0.65Ω) |
Niedrige Gate-Ladung (Typ. 7nC) |
Niedrige Kapazität für Rückwärtsgang (Typ. 8pF) |
100 % Single Pulse Avalanche Energy Test |
100 % ΔVDS-Test |
Anwendungen |
Wird in verschiedenen Leistungsschaltungen zur Miniaturisierung des Systems und zur Steigerung des Wirkungsgrades verwendet. |
Netzschalter des Adapters und des Ladegeräts. |
Produktspezifikationen und Verpackungsmodelle | |||||
Produktmodell | Pakettyp | Markenname | RoHS | Paket | Menge |
5N20 | TO-220C | 5N20 | PB-frei | Rohr | 1000/Karton |
F5N20 | TO-220F | F5N20 | PB-frei | Rohr | 1000/Karton |
B5N20 | TO-251 | B5N20 | PB-frei | Rohr | 3000/Karton |
D5N20 | TO-252 | D5N20 | PB-frei | Band Und Rolle | 2500/Karton |
I5N20 | TO-262 | I5N20 | PB-frei | Rohr | 1000/Karton |
E5N20 | TO-263 | E5N20 | PB-frei | Band Und Rolle | 800/Karton |