Anpassung: | Verfügbar |
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Verkapselungsstruktur: | Kunststoff Sealed Transistor |
Anwendung: | Elektronische Produkte |
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
Von einer unabhängigen externen Prüfstelle geprüft
Symbole | MB2S | MB4S | MB6S | MB8S | MB10S | Einheiten | |
Maximale repetitive Peak -Rückwärtsspannung | VRMM | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | Volt |
Maximale RMS -Spannung | V EFF | 140 | 280 | 420 | 560 | 700 | Volt |
Maximale DC -Sperrspannung | VDC | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | Volt |
Maximaler durchschnittlicher Vorwärtsgleichstrom bei TA=30C auf Glas-Epoxid P.C.B. Auf Aluminiumsubstrat (Hinweis 1,2) | IF (AV) | 0,5 0,8 | Ampere | ||||
Spitzenstrom Vorwärtsströmung 8,3ms einzelne halbe Sinuswelle Überlast auf Nennlast (JEDEC-Methode) | IFSM | 35,0 | Ampere | ||||
Maximale Durchlassspannung bei 0,4A | VF | 1,0 | Volt | ||||
Maximaler DC -Rückstrom TA =25C bei Nennstromsperre Spannung TA =100C | IR | 5,0 | |||||
Typische Anschlusskapazität pro Bein (Hinweis 3) | CJ | 15,0 | PF | ||||
Typischer Wärmewiderstand pro Bein | RθJA | 75,0 | C/W | ||||
Betriebstemperaturbereich | TJ | -55 bis +150 | C | ||||
Lagertemperaturbereich | TSTG | -55 bis +150 | C |