Transistor, China Transistor Produkte der Kategorie made in China

1270~1610nm CWDM LD-Modul für analoge Anwendung

1625nm DFB Laser-Diodenmodul, Pigtail/Buchse

15mW 660nm Laser-Diodenmodul, Pigtail/Buchse

622m InGaAs Pin-Tia-Modul Pigtail

155Mbps InGaAs Pin-Tia-Modul, Anschlusskabel/Buchse

62,5/125um 850nm LED-Modul, Pigtail/Buchse

2MW 1650nm DFB LD-Modul

1310nm FP OTDR Laserdiodenmodul

1mm InGaAs Gasanalyse Feuchtemessgeräte Pin

4MW 1650nm DFB LD-Modul

2MW 1310&1550nm Laserdiodenmodul

2000um InGaAs Pin to CAN To56 to5 to3

2,5mm-Si-Pin-Fotodiodenmodul, Pigtail/Buchse

450nm Laser-Diodenmodul, Pigtail/Buchse

Gekühlter 1550nm DFB Laser mit Tec Fiber Coupled Laser Diode

Ingaas Apd Pin Module Pin Diode To46/To5

1550nmtx/1310nm Pin-Tia Rx Bidi-Modul

3MW 635nm Laserdiodenmodul

Custom 4-8 Zoll Siliziumkarbid Sic Semiconductor Wafer Substrat Wafer

Kundenspezifisches 4 Zoll 4h-N leitfähiges epitaxiales Substrat Photovoltaik-Silizium Power Semiconductor Devices Siliziumkarbid Sic Wafe

4-8 Zoll Durchmesser Halbleitersubstrat Siliziumkarbid Keramiksubstrat Dummy Waffel Saphir Wafer

Hohe Widerstandsfähigkeit Siliziumwafer 4 Zoll bis 8 Zoll Durchmesser Halbleiterwafer für Siliziumkarbid (SiC)-Substrat

Kundenspezifische 4-8 Zoll 4h-N leitfähige Halbleiterbauelemente Siliziumkarbid Sic Wafe Dicke 0,35 mm bis 0,5 mm Halbleitersubstrat Kristallglas

4h Zero MPD Produktion Standard Grade Dummy Grade Multi-Wafer Single-Wafer Siliziumkarbid Wafer Keramik Halbleiter Saphir Wafer

Exklusiv für Forschungsinstitute 4 Zoll 4h-N leitfähiges Substrat Silizium Halbleiterbauelemente Siliziumkarbid-Wafer

Dicke 0,5 mm Siliziumkarbid sic Semiconductor Kristallwafer

Dicke 0,35--0,5 mm Siliziumkarbid sic Substrat Wafer

4 Zoll Durchmesser Siliziumkarbid (SiC) Substratwafer

Benutzerdefinierte Dicke 0,35-0,5 mm Siliziumkarbid sic Semiconductor Wafer Substrat Halbleitersubstrat Mit 4-8 Zoll Durchmesser

Heißer Verkauf 4 Zoll 4h-N leitfähiger Typ epitaxiales Substrat Photovoltaik Silizium-Leistungshalbleitergeräte Siliziumkarbid-Wafer

1270~1610nm CWDM LD-Modul für analoge Anwendung

1625nm DFB Laser-Diodenmodul, Pigtail/Buchse

15mW 660nm Laser-Diodenmodul, Pigtail/Buchse

622m InGaAs Pin-Tia-Modul Pigtail

155Mbps InGaAs Pin-Tia-Modul, Anschlusskabel/Buchse

62,5/125um 850nm LED-Modul, Pigtail/Buchse

2MW 1650nm DFB LD-Modul

1310nm FP OTDR Laserdiodenmodul

1mm InGaAs Gasanalyse Feuchtemessgeräte Pin

4MW 1650nm DFB LD-Modul

2MW 1310&1550nm Laserdiodenmodul

2000um InGaAs Pin to CAN To56 to5 to3

2,5mm-Si-Pin-Fotodiodenmodul, Pigtail/Buchse

450nm Laser-Diodenmodul, Pigtail/Buchse

Gekühlter 1550nm DFB Laser mit Tec Fiber Coupled Laser Diode

Ingaas Apd Pin Module Pin Diode To46/To5

1550nmtx/1310nm Pin-Tia Rx Bidi-Modul

3MW 635nm Laserdiodenmodul

Custom 4-8 Zoll Siliziumkarbid Sic Semiconductor Wafer Substrat Wafer

Kundenspezifisches 4 Zoll 4h-N leitfähiges epitaxiales Substrat Photovoltaik-Silizium Power Semiconductor Devices Siliziumkarbid Sic Wafe

4-8 Zoll Durchmesser Halbleitersubstrat Siliziumkarbid Keramiksubstrat Dummy Waffel Saphir Wafer

Hohe Widerstandsfähigkeit Siliziumwafer 4 Zoll bis 8 Zoll Durchmesser Halbleiterwafer für Siliziumkarbid (SiC)-Substrat

Kundenspezifische 4-8 Zoll 4h-N leitfähige Halbleiterbauelemente Siliziumkarbid Sic Wafe Dicke 0,35 mm bis 0,5 mm Halbleitersubstrat Kristallglas

4h Zero MPD Produktion Standard Grade Dummy Grade Multi-Wafer Single-Wafer Siliziumkarbid Wafer Keramik Halbleiter Saphir Wafer

Exklusiv für Forschungsinstitute 4 Zoll 4h-N leitfähiges Substrat Silizium Halbleiterbauelemente Siliziumkarbid-Wafer

Dicke 0,5 mm Siliziumkarbid sic Semiconductor Kristallwafer

Dicke 0,35--0,5 mm Siliziumkarbid sic Substrat Wafer

4 Zoll Durchmesser Siliziumkarbid (SiC) Substratwafer

Benutzerdefinierte Dicke 0,35-0,5 mm Siliziumkarbid sic Semiconductor Wafer Substrat Halbleitersubstrat Mit 4-8 Zoll Durchmesser

Heißer Verkauf 4 Zoll 4h-N leitfähiger Typ epitaxiales Substrat Photovoltaik Silizium-Leistungshalbleitergeräte Siliziumkarbid-Wafer