Hochspannungsdiode 500kV

13,50 $ / Stück

Glaspassivierte Dreiphasen-Gleichrichterbrücke VRRM=800 bis 1800V ID=75A UL anerkannt, beantragt unter Aktenzeichen E360040 Merkmale Anwendungen MD75S-M2 Bilder & Fotos

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Was ist ein Glaspassivierte Dreiphasen-Gleichrichterbrücke VRRM=800 bis 1800V ID=75A UL anerkannt, beantragt unter Aktenzeichen E360040 Merkmale Anwendungen MD75S-M2?

Name: Glaspassivierte Dreiphasen-Gleichrichterbrücke VRRM=800 bis 1800V ID=75A UL anerkannt, beantragt unter Aktenzeichen E360040 Merkmale Anwendungen MD75S-M2
Uploaded: 2025-08-08T04:15:28+08:00
Description: Glaspassivierte dreiphasige Gleichrichterbrücke VRRM=800 bis 1800V ID=75A UL-Zulassung für Datei-Nr. beantragt E360040 ruft Anwendungen ab MD75S-m2 Funktionen - Dreiphasengleichrichter

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Über diesen Artikel

Preis

Mindest. Befehl Referenz FOB Preis

8 Stücke 13,50 $ / Stück

Spezifizierungen

Zertifizierung RoHS
Funktion Schalttransistor
Verkapselungsstruktur M2
Stoff Silizium
Features1 Extrem geringe Schaltverluste
features2 Ausgezeichnete Stabilität und Gleichmäßigkeit
features3 100% Lawinenerprobt
features4 Integrierte esd-Diode
application1 Schaltnetzteil (smps)
Application2 Leistungsfaktorkorrektur (pfc)
application3 Unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV)
application4 ac/dc-Wandler
application5 telekommunikation
application6 tv-Stromversorgung und LED-Beleuchtung
Transportpaket Kunststoffgehäuse
Spezifikation Angepasst
Warenzeichen mr
Herkunft guangdong, china

Produktbeschreibung

Glaspassivierte dreiphasige Gleichrichterbrücke VRRM=800 bis 1800V ID=75A UL-Zulassung für Datei-Nr. beantragt E360040 ruft Anwendungen ab MD75S-m2 Funktionen - Dreiphasengleichrichter - Sperrspannung: 800 bis 1800V - Wärmeübertragung durch Aluminiumoxid DBC Keramik ...

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Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

Diamond-Mitglied Seit 2021

Geprüfter Lieferant

Bewertung & Rezensionen: 5.0/5.0

(6 Bewertungen)

Unternehmensart Hersteller/Werk
Geschäftsbereich Alltagsgegenstände, Beleuchtung, Elektronik, Konsumelektronik
Hauptprodukte Diode, Transistor, Mosfet, Brücke, IC, integrierte Schaltungen, Mikrocontroller, Schottky-Dioden, Super-Junction-Mosfets, TVS-ESD-Schutz
Art des Eigentums Gesellschaft mit beschränkter Haftung
Hauptmärkte Nordamerika, Südamerika, Osteuropa, Südostasien, Afrika, Ozeanien, Mittlerer Osten, Ostasien, Westeuropa
Durchschnittliche Lieferzeit Vorlaufzeit In Der Hauptsaison: Innerhalb von 15 Werktagen
Vorlaufzeit Außerhalb Der Saison: Innerhalb von 15 Werktagen

Hochspannungsdiode 500kV Vergleich

	Glaspassivierte Dreiphasen-Gleichrichterbrücke VRRM=800 bis 1800V ID=75A UL anerkannt, beantragt unter Aktenzeichen E360040 Merkmale Anwendungen MD75S-M2 Jetzt Kontaktieren	Flammhemmender PVC-beschichteter Metallschlauch Jetzt Kontaktieren	Original Hy5110na2w 100V 295A Hy5110 Hy5110A Hy5110W 5110 N-Kanal Mosfet Transistor Jetzt Kontaktieren	Original CS3205b8 CS3205 60V 120A N-Kanal Leistung Mosfet Transistor Jetzt Kontaktieren	Ursprünglicher L4310trpbf Mosfet N-Kanal Transistor 400V 1.7A Irfr310pbf Irfr310trlpbf Irfr310trpbf-Be3 L4310 Jetzt Kontaktieren

Informationen zur Transaktion
	Glaspassivierte Dreiphasen-Gleichrichterbrücke VRRM=800 bis 1800V ID=75A UL anerkannt, beantragt unter Aktenzeichen E360040 Merkmale Anwendungen MD75S-M2 Jetzt Kontaktieren	Flammhemmender PVC-beschichteter Metallschlauch Jetzt Kontaktieren	Original Hy5110na2w 100V 295A Hy5110 Hy5110A Hy5110W 5110 N-Kanal Mosfet Transistor Jetzt Kontaktieren	Original CS3205b8 CS3205 60V 120A N-Kanal Leistung Mosfet Transistor Jetzt Kontaktieren	Ursprünglicher L4310trpbf Mosfet N-Kanal Transistor 400V 1.7A Irfr310pbf Irfr310trlpbf Irfr310trpbf-Be3 L4310 Jetzt Kontaktieren
Preis	13,50 $ / Stück	Verhandelbar	0,80 $ / Stück	0,25 $ / Stück	0,10 $ / Stück
Mindestbestellmenge	8 Stücke	100 Meter	100 Stücke	100 Stücke	2.500 Stücke
Zahlungsbedingungen	LC, T/T	LC, T/T, D/P, PayPal, Western Union	LC, T/T	LC, T/T	LC, T/T
Qualitätskontrolle
Produktzertifizierung	RoHS	-	RoHS	RoHS	RoHS
Zertifizierung des Managementsystems	-	-	-	-	-
Handelskapazität
Exportmärkte	Nordamerika, Südamerika, Osteuropa, Südostasien, Afrika, Ozeanien, Mittlerer Osten, Ostasien, Westeuropa	Nordamerika, Südamerika, Osteuropa, Südostasien, Afrika, Ozeanien, Mittlerer Osten, Ostasien, Westeuropa	Nordamerika, Südamerika, Europa, Südostasien/Mittlerer Osten, Ostasien (Japan/Südkorea), Australien	Nordamerika, Südamerika, Europa, Südostasien/Mittlerer Osten, Ostasien (Japan/Südkorea), Australien	Nordamerika, Südamerika, Europa, Südostasien/Mittlerer Osten, Ostasien (Japan/Südkorea), Australien
Jährliche Exporteinnahmen	-	-	-	-	-
Geschäftsmodell	-	Own Brand, OEM	Own Brand, ODM	Own Brand, ODM	Own Brand, ODM
Durchschnittliche Lieferzeit	Vorlaufzeit In Der Hauptsaison: Innerhalb von 15 Werktagen Vorlaufzeit Außerhalb Der Saison: Innerhalb von 15 Werktagen	Vorlaufzeit In Der Hauptsaison: 1-3 Monate Vorlaufzeit Außerhalb Der Saison: Ein Monat	Vorlaufzeit In Der Hauptsaison: Innerhalb von 15 Werktagen Vorlaufzeit Außerhalb Der Saison: Innerhalb von 15 Werktagen	Vorlaufzeit In Der Hauptsaison: Innerhalb von 15 Werktagen Vorlaufzeit Außerhalb Der Saison: Innerhalb von 15 Werktagen	Vorlaufzeit In Der Hauptsaison: Innerhalb von 15 Werktagen Vorlaufzeit Außerhalb Der Saison: Innerhalb von 15 Werktagen
Produkteigenschaften
Spezifikation	Funktion: Schalttransistor; Verkapselungsstruktur: M2; Stoff: Silizium; Features1: Extrem geringe Schaltverluste; features2: Ausgezeichnete Stabilität und Gleichmäßigkeit; features3: 100% Lawinenerprobt; features4: Integrierte esd-Diode; application1: Schaltnetzteil (smps); Application2: Leistungsfaktorkorrektur (pfc); application3: Unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV); application4: ac/dc-Wandler; application5: telekommunikation; application6: tv-Stromversorgung und LED-Beleuchtung;	Stoff: Galvanisch verzinkt von Stahlband;	Gestalten: Einbruch; Abschirmungstyp: Remote-Cut-Off-Schlauch Abschirmung; Kühlungsmethode: Natürlich gekühltes Rohr; Funktion: mosfet-Transistor; Verkapselungsstruktur: Einbruch; Stoff: Silizium; Ablassquelle (vdss): 100V; Kontinuierlicher Ablassstrom (id): 295A; Abflussquelle ein Widerstand (rds(ein)@vgs,: 2.4mω@10V,100a; Verlustleistung (pd): 500W; Gate-Schwellenspannung (vgs(th)@id): 3V@250ua; Kapazität für Reverse Transfer (crss@vds): 638pf@50v; Typ: n-Kanal; Eingangskapazität (ciss@vds): 14,818nf@50v; Gesamtladung Gate (qg@vgs): 286,5nc@10V;	Gestalten: Einbruch; Abschirmungstyp: Remote-Cut-Off-Schlauch Abschirmung; Kühlungsmethode: Natürlich gekühltes Rohr; Funktion: mosfet-Transistor; Verkapselungsstruktur: Einbruch; Stoff: Silizium; Ablassquelle (vdss): 60V; Kontinuierlicher Ablassstrom (id): 120A; Abflussquelle ein Widerstand (rds(ein)@vgs,: 8mω@10V,50a; Verlustleistung (pd): 230W; Gate-Schwellenspannung (vgs(th)@id): 4V@250ua; Typ: n-Kanal;	Gestalten: Metall-Porzellan-Schlauch; Abschirmungstyp: Remote-Cut-Off-Schlauch Abschirmung; Kühlungsmethode: Natürlich gekühltes Rohr; Funktion: mosfet-Transistor; Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor; Stoff: Silizium; Polarität des Transistors: n-Kanal; Anzahl der Kanäle: 1 Kanäle; vds - Durchschlagspannung der Drain-Source: 400 V; id - Dauerstrom: 1.7 a;
Name des Lieferanten	Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.	Huatong (FATO) Group Co., Ltd.	ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.	ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.	ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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