Transistoren BC547 Bc548 Bc549 Bc557 Bc558 Bc559 Bd139 Bd140 Zoll Bestand
MOQ: 10 Stück
- Struktur: PNP
- Verpackung: Bag
- Standard: DIP/SMD
- Warenzeichen: Original
- Herkunft: Original
-
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- Provinz: Guangdong, China
2450MHz Magnetron 15kw
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Macht Triode,Switching Triode
- Struktur: Legierung
-
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
- Provinz: Shandong, China
Großhandel Original Infineon IGBT-Modul FF200r12kt4 FF300r12kt4 andere Modelle Bitte Wenden Sie Sich An Den Kundendienst
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Struktur: planar
- Verpackung: Original Packaging
- Standard: Standard specifications
-
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- Provinz: Fujian, China
Transistoren Mje340 Mje350 Irf3205 Irfz44n Irf540n Irf9540 auf Lager
MOQ: 10 Stück
- Struktur: PNP
- Verpackung: Bag
- Standard: DIP/SMD
- Warenzeichen: Original
- Herkunft: Original
-
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- Provinz: Guangdong, China
Großhandel Original FUJI IGBT Modul 2mbi450vh-120-50. Für andere Modelle, Bitte konsultieren Sie den Kundendienst
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Struktur: planar
- Verpackung: Original Packaging
- Standard: Standard specifications
-
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
- Provinz: Fujian, China
Original Fdn335 Fdn336 Fdn337 Fdn338 Fdn339 Mosfet Transistor
MOQ: 100 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: SMD Triode
- Leistungspegel: Medium Power
- Stoff: Silizium
- Verpackung: Standard
-
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- Provinz: Guangdong, China
Cj3415 Sot-23 Mosfets Transistor Mit Kunststoffeinkapselung
MOQ: 3.000 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Struktur: NPN
- Verpackung: Carton Box
-
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- Provinz: Guangdong, China
Original Transistor Irf2807 Irf2807zs Irf2807zl MOSFET Transistor TO220 to-262 D2PAK
MOQ: 10 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Leistungspegel: Medium Power
- Stoff: Silizium
- Verpackung: Standard
-
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
- Provinz: Guangdong, China
Großhandel Original FUJI IGBT Modul 2mbi75u4a-120-50. Für andere Modelle, Bitte konsultieren Sie den Kundendienst
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Struktur: planar
- Verpackung: Original Packaging
- Standard: Standard specifications
-
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
- Provinz: Fujian, China
Original MOSFET Array Irf7342 Transistor Irf7342trpbf 55V 3,4A 2W
MOQ: 10 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: SMD Triode
- Leistungspegel: Medium Power
- Stoff: Silizium
- Verpackung: Standard
-
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
- Provinz: Guangdong, China
Großhandel Original Infineon IGBT-Modul Fz400r12ks4 Fz600r12ks4
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Struktur: planar
- Verpackung: Original Packaging
- Standard: Standard specifications
-
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
- Provinz: Fujian, China
Irf7416trpbf P-Kanal 30V 10A (Ta) 2,5W (Ta) MOSFET Transistor IRF 7416
MOQ: 100 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: SMD Triode
- Leistungspegel: Medium Power
- Stoff: Silizium
- Verpackung: Standard
-
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- Provinz: Guangdong, China
Großhandel Original FUJI IGBT-Modul 2 mbi800xne120-50 2 mbi600xne120-50
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Struktur: planar
- Verpackung: Original Packaging
- Standard: Standard specifications
-
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- Provinz: Fujian, China
Original Bss138 N-Kanal 50V 220mA (Ta) 350MW (Ta) Single MOSFET Transistor
MOQ: 100 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: SMD Triode
- Leistungspegel: Medium Power
- Stoff: Silizium
- Verpackung: Standard
-
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
- Provinz: Guangdong, China
Großhandel Original FUJI IGBT Modul 7mbr75vn120-50, Bitte konsultieren Sie den Kundendienst für andere Modelle
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Struktur: planar
- Verpackung: Original Packaging
- Standard: Standard specifications
-
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- Provinz: Fujian, China
Juxing 0,3A 60V 2n7002 N-Kanal-MOSFET mit Sot-23
MOQ: 3.000 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Niederfrequenz
- Leistungspegel: Medium Power
- Funktion: Macht Triode,Switching Triode
-
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
- Provinz: Guangdong, China
Original Aon6404 N-Kanal 30V 25A (Ta) , 85A (TC) MOSFET Transistor
MOQ: 100 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: SMD Triode
- Leistungspegel: Medium Power
- Stoff: Silizium
- Verpackung: Standard
-
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
- Provinz: Guangdong, China
Großhandel Original Infineon IGBT-Modul FF450r12kt4. Für andere Modelle, Bitte konsultieren Sie den Kundenservice
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Struktur: planar
- Verpackung: Original Packaging
- Standard: Standard specifications
-
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
- Provinz: Fujian, China
Original MOSFET P-Kanal 200 V 11A 125W Durchgangsbohrung to-220AB To220ab Irf9640
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: ISO
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Switching Triode
-
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
- Provinz: Guangdong, China
Original MOSFET Irfsl3306pbf N-Kanal 60 V 120A 230W Durchgangsbohrung To-262 Irfsl3306
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: ISO
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Overclocking
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Macht Triode
-
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
- Provinz: Guangdong, China
Großhandel Original FUJI IGBT Modul 2mbi1400vxb-170p-54. Für andere Modelle, Bitte konsultieren Sie den Kundendienst
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Struktur: planar
- Verpackung: Original Packaging
- Standard: Standard specifications
-
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
- Provinz: Fujian, China
Original STP55NF06 MOSFET N-Kanal 60 V 50A 110W Durchgangsbohrung To-220 STP55
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: ISO
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Overclocking
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Macht Triode
-
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
- Provinz: Guangdong, China
Großhandel Original Infineon IGBT-Modul Fz800r12ke3 für andere Modelle, Bitte konsultieren Sie den Kundenservice
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Struktur: planar
- Verpackung: Original Packaging
- Standard: Standard specifications
-
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
- Provinz: Fujian, China
Original Bcm847BS135 Bipolarer Transistor Array 2NPN Matched Pair 45V 100mA 250MHz Bcm847
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: ISO
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Switching Triode
-
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
- Provinz: Guangdong, China
Großhandel Original Infineon IGBT-Modul FF450r12kt4. Für andere Modelle, Bitte konsultieren Sie den Kundenservice
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Struktur: planar
- Verpackung: Original Packaging
- Standard: Standard specifications
-
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
- Provinz: Fujian, China
Original Irf640nlpbf MOSFET N-Kanal 200 V 18A 150W Durchgangsbohrung To-262 Irf640
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: ISO
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Overclocking
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Macht Triode
-
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
- Provinz: Guangdong, China
2n7002K Sot-23 Kunststoff-Kapselung MOSFETs Transistor
MOQ: 3.000 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Struktur: NPN
- Verpackung: Carton Box
-
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
- Provinz: Guangdong, China
Großhandel Original Starpoewr IGBT Modul Gd40piy120c5s. Für andere Modelle, Bitte konsultieren Sie den Kundendienst
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Struktur: planar
- Verpackung: Original Packaging
- Standard: Standard specifications
-
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
- Provinz: Fujian, China
Original auf Lager NTD3055L170t4g MOSFET Transistor N-Kanal 60V 9A (Ta)
MOQ: 20 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: SMD Triode
- Leistungspegel: Medium Power
- Stoff: Silizium
- Verpackung: Standard
-
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
- Provinz: Guangdong, China
Juxing -4A -20V Ao3415 P-Kanal-Enhancement-Modus-MOSFET mit Sot-23
MOQ: 3.000 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Niederfrequenz
- Leistungspegel: Medium Power
- Funktion: Macht Triode,Switching Triode
-
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
- Provinz: Guangdong, China