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Original 2sc5200 2SA1943 Transistor Power MOSFET A1943 C5200
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MOQ: 500 Stück
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Funktion: Macht Triode
- Struktur: NPN
- Stoff: Silizium
- Herkunft: China
-
Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.
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- Provinz: Guangdong, China
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Thyristor Gleichrichter BE138-600E TO-220F 12A 600V zweipolig
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MOQ: 1.000 Stück
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Medium Power
- Struktur: NPN
- Stoff: Silizium
-
EASTRONIC THCHNOLOGY CO., LTD.
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Hochwertiger Original Bt136-600e 4A 600V to-220 Transistor Bt136 600e Bt136-600e
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MOQ: 10 Stück
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Herkunft: China
-
Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.
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Fet47n60c3 Spw47n60c3 to-247 47A 650V N-ChannelMosfet
MOQ: 10 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Funktion: Macht Triode
- Struktur: PNP
-
Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.
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- Provinz: Guangdong, China
Chip Microcontroller Integrated Circuit SMD Transistors Triode
MOQ: 200 Stück
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Medium Power
- Struktur: NPN
- Verpackung: Each Packed in a Polybag
-
Jinjiang Chaote Co., Ltd.
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N-KANAL-MOSFETS AO3407/AO3401 SOT-23 A79T/A19T 2,5A~5,0A 30V TRANSISTOR
MOQ: 1.000 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Funktion: Macht Triode,Switching Triode
- Verpackung: Reel Pack
-
EASTRONIC THCHNOLOGY CO., LTD.
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- Provinz: Guangdong, China
Uln2803 Inline-DIP18 Darlington Transistor-Fahrer-Chip
MOQ: 1.000 Stück
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Funktion: Darlington Rohr,Macht Triode
- Struktur: NPN
- Herkunft: China
-
Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.
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- Provinz: Guangdong, China
Ipd30n10s3l34atma1 MOSFET N-CH 100V 30A To252-3
MOQ: 1 Stück
- Verpackung: N/a
- Standard: DIP/SMD
- Warenzeichen: N/A
- Herkunft: Original
-
Shenzhen Jxsq Technology Development Co., Ltd.
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- Provinz: Guangdong, China
Si4435ddy-T1-Ge3 P-Channel30-v (D-S) Mosfet
MOQ: 200 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Overclocking
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Macht Triode
-
Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.
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- Provinz: Guangdong, China
Ztl431bfta IC Vref Shunt 20V 0,5 % SOT23
MOQ: 100 Stück
- Produktionskapazität: 49960 in Stock
-
IBE Electronics Co., Ltd.
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- Provinz: Guangdong, China
Tip41 BJT Bipolare Transistoren NPN 6A/100V to-220 Tip41c
MOQ: 100 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Funktion: Macht Triode,Switching Triode
- Produktionskapazität: 10000
-
Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.
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- Provinz: Guangdong, China
Original SPTECH Silizium-NPN-Leistungstransistor 2SC3856 TO-3PN mit O/P/Y
MOQ: 1.000 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Macht Triode
- Struktur: NPN
-
EASTRONIC THCHNOLOGY CO., LTD.
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BTA16 Standard-Transistor Störungsbesuch-16A 400V 600V 700V 800V 50mA
MOQ: 240 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Funktion: Macht Triode
- Stoff: Silizium
-
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- Provinz: Guangdong, China
Günstige Irfb4410zpbf Irfb18n50kpbf MOSFET N-Kanal 100V 97A (TC) 230W (TC)
MOQ: 10 Stück
- Installation: Plug-in-Triode
- Verpackung: Foam Packing
- Herkunft: China
- HS-Code: 8541100000
- Produktionskapazität: No Limit
-
Shenzhen Jxsq Technology Development Co., Ltd.
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Kocher-Bereich-Effekt-Transistor IGBT 25A/1200V der Induktions-Fga25n120
MOQ: 450 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Niederfrequenz
- Leistungspegel: Medium Power
- Funktion: lichtempfindlich,Darlington Rohr,Macht Triode,Switching Triode
-
Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.
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Silizium-NPN-Leistungstransistor 2SC3856 TO-3PN mit O/P/Y
MOQ: 1.000 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Macht Triode
- Struktur: NPN
-
EASTRONIC THCHNOLOGY CO., LTD.
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Irf9540n P-Channelbereich-Effekt-TransistorMosfet
MOQ: 10 Stück
- Funktion: Macht Triode
- Stoff: Silizium
- Standard: Operating Temperature -55C ~ 150C (TJ)
- Herkunft: China
- Produktionskapazität: 10000
-
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N-Kanal-MOSFET 150V 51A (TC) 3,8W (Ta) to-220AB Irfb52n15dpbf Irfb260npbf
MOQ: 10 Stück
- Installation: Plug-in-Triode
- Verpackung: Foam Packing
- Herkunft: China
- HS-Code: 8541100000
- Produktionskapazität: No Limit
-
Shenzhen Jxsq Technology Development Co., Ltd.
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P-Channelverbesserungs-Modus-Bereich-Effekt-Transistor Fds9435A 9435A
MOQ: 10 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Medium Power
- Funktion: Macht Triode
- Standard: Height: 1.75 mm Length: 4.9 mm
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Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.
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- Provinz: Guangdong, China
Tipp42c Tipp42 PNP Energien-Transistor
MOQ: 100 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
- Leistungspegel: Medium Power
- Funktion: Macht Triode,Switching Triode
- Standard: Operating Temperature 150C (TJ)
- Herkunft: China
-
Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.
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180V Original SPTECH Silizium-NPN-Leistungstransistor 2SC3856 TO-3PN
MOQ: 1.000 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Macht Triode
- Struktur: NPN
-
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Zweipoliger Transistor PNP Darlington Tipp147
MOQ: 100 Stück
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Funktion: Macht Triode
- Stoff: Silizium
- Herkunft: China
- Produktionskapazität: 10000
-
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2SC5200 TO-3PL 2SA1943 Kostenloser bipolarer PNP-Audio-Leistungstransistor
MOQ: 1.000 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Macht Triode
- Struktur: PNP
-
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Neuer Leistungs-Transistor 2n3773 16A 160V der Vorlagen-NPN
MOQ: 100 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Macht Triode
- Struktur: NPN
- Stoff: Silizium
-
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Leistungstransistor 2SC5200 TO-3PL 2SA1943 230V Silizium PNP
MOQ: 1.000 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Macht Triode
- Struktur: PNP
-
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Infineon ursprünglicher Ihw15n120r3 15A 1200V IGBT Energien-Transistor
MOQ: 10 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Darlington Rohr,Macht Triode
- Stoff: Silizium
-
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- Provinz: Guangdong, China
PNP-Leistungstransistor aus Silikon 2SC5200 TO-3PL 2SA1943 mit guter Qualität
MOQ: 1.000 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Macht Triode
- Struktur: PNP
-
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Uln2803APG oktale Hochspannung, hohe aktuelle Darlington Transistor-Reihen
MOQ: 1.000 Stück
- Funktion: Darlington Rohr,Macht Triode
- Struktur: NPN
- Verpackung: Tube Loading
- Warenzeichen: TOSHIBA
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Kostenloser bipolarer PNP-Audio-Leistungstransistor 2SC5200 TO-3PL 2SA1943
MOQ: 1.000 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Macht Triode
- Struktur: PNP
-
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Smcj45ca Smcj vorübergehende Spannungs-entstör-Diode
MOQ: 500 Stück
- Zertifizierung: RoHS
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: SMD Triode
- Arbeitsfrequenz: Niederfrequenz
- Verpackung: Standard
-
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