Dmth46m7sfvwq-7 MOSFET Bvdss: 31V~40V Powerdi3333-8/SWP T&R 2K
MOQ: 10 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: SMD Triode
- Funktion: lichtempfindlich,Darlington Rohr,Macht Triode,Switching Triode
- Struktur: NPN
- Stoff: Silizium
-
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- Provinz: Guangdong, China
Original Infineon IGBT-Modul FF400r17ke4 FF500r17ke4
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Struktur: planar
- Verpackung: Original Packaging
- Standard: Standard specifications
-
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- Provinz: Fujian, China
Original Thyristoren Bt134-600e, 127 Transistoren Bt134 Triac Sens Gate 600V 4A Sot82-3 Bom Service
MOQ: 10 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Installation: Plug-in-Triode
- Verpackung: Package
- Standard: SMT/DIP
- Warenzeichen: Original
- Herkunft: Original
-
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- Provinz: Guangdong, China
Stwa60n043dm9 600V 38 MOhm Typ 56 A MDmesh Dm9 Leistung Mosfet
MOQ: 10 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: SMD Triode
- Funktion: lichtempfindlich,Darlington Rohr,Macht Triode,Switching Triode
- Struktur: NPN
- Stoff: Silizium
-
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- Provinz: Guangdong, China
Großhandel Original Infineon IGBT-Modul Fz900r12ke4. Für andere Modelle, Bitte konsultieren Sie den Kundenservice
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Struktur: planar
- Verpackung: Original Packaging
- Standard: Standard specifications
-
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- Provinz: Fujian, China
Transistoren Ipf012n06NF2satma1 bis-263-7 1,2 MOHMS 60V 282A
MOQ: 10 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: SMD Triode
- Funktion: lichtempfindlich,Darlington Rohr,Macht Triode,Switching Triode
- Struktur: NPN
- Stoff: Silizium
-
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- Provinz: Guangdong, China
Original neuer 45V 0,1A NPN Transistor BC547
MOQ: 100 Stück
- Funktion: Macht Triode,Switching Triode
-
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- Provinz: Guangdong, China
Transistoren Ipb023n04NF2satma1 D2PAK-3 2,35 MOHMS 122A 40V Elektronik
MOQ: 10 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: SMD Triode
- Funktion: lichtempfindlich,Darlington Rohr,Macht Triode,Switching Triode
- Struktur: NPN
- Stoff: Silizium
-
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- Provinz: Guangdong, China
Cja9452 Sot-89-3L MOSFETs Transistor mit Kunststoffeinkapselung
MOQ: 3.000 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Struktur: NPN
- Verpackung: Carton Box
-
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- Provinz: Guangdong, China
Psmn012-100ysfx MOSFET NextPower 100 V 11,8 MOhm N-Kanal
MOQ: 10 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: SMD Triode
- Funktion: lichtempfindlich,Darlington Rohr,Macht Triode,Switching Triode
- Struktur: NPN
- Stoff: Silizium
-
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- Provinz: Guangdong, China
Rhrp1560 Gleichrichterdiode Mur840g Mur860g 15A 600V
MOQ: 100 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Overclocking
- Leistungspegel: Medium Power
- Funktion: lichtempfindlich
-
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- Provinz: Guangdong, China
Imyh200r012m1hxksa1 Durchkontaktierte to-247-4 1 Kanal 16,5 MOHMS Transistoren
MOQ: 10 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: SMD Triode
- Funktion: lichtempfindlich,Darlington Rohr,Macht Triode,Switching Triode
- Struktur: NPN
- Stoff: Silizium
-
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- Provinz: Guangdong, China
Ipw90r120c3 Infineon MosfetN-Channel 9r120c
MOQ: 250 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Overclocking
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Verpackung: Carton
-
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- Provinz: Guangdong, China
Transistoren Tw030z120c, S1F G3 1200V sic-MOSFET to-247-4L 30mohm
MOQ: 10 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: SMD Triode
- Funktion: lichtempfindlich,Darlington Rohr,Macht Triode,Switching Triode
- Struktur: NPN
- Stoff: Silizium
-
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- Provinz: Guangdong, China
Juxing -2,8A -20V Si2301 P-Kanal-Enhancement-Modus-MOSFET mit Sot-23
MOQ: 3.000 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Niederfrequenz
- Leistungspegel: Medium Power
- Funktion: Macht Triode,Switching Triode
-
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- Provinz: Guangdong, China
Großhandel Original Infineon Hochfrequenz-IGBT-Modul FF100r12ks4 FF150r12ks4 FF200r12ks4 FF300r12ks4
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: CE
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Struktur: planar
- Verpackung: Original Packaging
- Standard: Standard specifications
-
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- Provinz: Fujian, China
Sij4819dp-T1-GE3 MOSFET PowerPak so-8L, 20,7 MOhm a. 10V, 29,6 Mohm a. 4,5V
MOQ: 10 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: SMD Triode
- Funktion: lichtempfindlich,Darlington Rohr,Macht Triode,Switching Triode
- Struktur: NPN
- Stoff: Silizium
-
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
- Provinz: Guangdong, China
Großhandel Original Infineon IGBT-Leistungsmodul Fp25r12W2t7 Fp35r12W2t7 Fp50r12W2t7
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: CE
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Struktur: planar
- Verpackung: Original Packaging
- Standard: Standard specifications
-
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- Provinz: Fujian, China
Sqj409ep-T1_Be3 Transistoren P-Kanal 40-V (D-S) 175c MOSFET
MOQ: 10 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: SMD Triode
- Funktion: lichtempfindlich,Darlington Rohr,Macht Triode,Switching Triode
- Struktur: NPN
- Stoff: Silizium
-
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
- Provinz: Guangdong, China
Tw045z120c S1F MOSFET G3 1200V sic-MOSFET to-247-4L 45mohm
MOQ: 10 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: SMD Triode
- Funktion: lichtempfindlich,Darlington Rohr,Macht Triode,Switching Triode
- Struktur: NPN
- Stoff: Silizium
-
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
- Provinz: Guangdong, China
Großhandel Original Infineon IGBT-Leistungsmodul FF200r12ke4 FF300r12ke4 FF450r12ke4
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: CE
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Struktur: planar
- Verpackung: Original Packaging
- Standard: Standard specifications
-
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- Provinz: Fujian, China
Elektronik Irfr320trpbf-Be3 MOSFET N-Kanal 400V SMD/SMT
MOQ: 10 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: SMD Triode
- Funktion: lichtempfindlich,Darlington Rohr,Macht Triode,Switching Triode
- Struktur: NPN
- Stoff: Silizium
-
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
- Provinz: Guangdong, China
FUJI IGBT-Modul 2mbi75u4a-120-50. Für andere Modelle wenden Sie sich bitte an den Kundendienst
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Struktur: planar
- Verpackung: Original Packaging
- Standard: Standard specifications
-
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
- Provinz: Fujian, China
Elektronische Komponente Psmnr90-50slhax Sot1235 Lfpak88 900uohms 410A 50V
MOQ: 10 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: SMD Triode
- Funktion: lichtempfindlich,Darlington Rohr,Macht Triode,Switching Triode
- Struktur: NPN
- Stoff: Silizium
-
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
- Provinz: Guangdong, China
Großhandel Infineon IGBT-Modul FF150r12rt4. Für andere Modelle, Bitte wenden Sie sich an den Kundenservice
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Struktur: planar
- Verpackung: Original Packaging
- Standard: Standard specifications
-
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
- Provinz: Fujian, China
Triode Sidr626ep-T1-RE3 MOSFET N-Kanal 60 V MOSFET Pwrpak
MOQ: 10 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: SMD Triode
- Funktion: lichtempfindlich,Darlington Rohr,Macht Triode,Switching Triode
- Struktur: NPN
- Stoff: Silizium
-
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
- Provinz: Guangdong, China
Original Infineon IGBT-Modul Leistung FF200r12kt4/FF300r12kt4/FF450r12kt4 auf Lager
MOQ: 1 Stück
- Zertifizierung: CE
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Struktur: planar
- Verpackung: Original Packaging
- Standard: Standard specifications
-
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- Provinz: Fujian, China
Elektronik SMD/SMT Ssm6j825r MOSFET Rollenware Pmpb09r1xnx
MOQ: 10 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
- Installation: SMD Triode
- Funktion: lichtempfindlich,Darlington Rohr,Macht Triode,Switching Triode
- Struktur: NPN
- Stoff: Silizium
-
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
- Provinz: Guangdong, China
Cjk3407 Sot-23 -3L MOSFETs Transistor mit Kunststoffeinkapselung
MOQ: 3.000 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Struktur: NPN
- Verpackung: Carton Box
-
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
- Provinz: Guangdong, China
Juxing -5,8A -8V Si2305 P-Kanal-Enhancement-Modus-MOSFET mit Sot-23
MOQ: 3.000 Stück
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO,CCC
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Installation: Plug-in-Triode
- Arbeitsfrequenz: Niederfrequenz
- Leistungspegel: Medium Power
- Funktion: Macht Triode,Switching Triode
-
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
- Provinz: Guangdong, China