Favoriten

Stromsensor der Serie HS55-AP

Type: Hall Type
Output Signal Type: Analog Output
Production Process: Integration
Material: Plastic
Customized: Customized
Warenzeichen: TRANSFAR

Wenden Sie sich an den Lieferanten

Gold Mitglied Seit 2024

Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen

Hersteller/Werk, Handelsunternehmen, Konzerngesellschaft

Grundlegende Informationen.

Modell Nr.
HS55
Herkunft
China
HS-Code
9030339000

Produktbeschreibung

BESCHREIBUNG:     
                                                                                                                                                 
Zur elektronischen Messung von Strömen : DC, AC, gepulst..., mit galvanischer Trennung zwischen dem Primärkreis und dem Sekundärkreis.

FUNKTIONEN:                  
                                                                                                                                         
Open  Loop mit Hall ASIC Effekt  
Alvanische Trennung zwischen dem Primärkreis und dem Sekundärkreis
Geringer Stromverbrauch
Große Auswahl
Keine Einfügungsdämpfung
Rohstoffe, die gemäß UL 94-V0 anerkannt sind


ANWENDUNGEN:  
                                                                                                                                                  
  Motorsteuerung
  Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)
  Statische Wandler für DC-Motorantriebe  
  Schaltnetzteil (SMPS)
  Netzteile für Schweißanwendungen  
 
PRODUKTMODELL
Modell Nenneingangsstrom IPN  (A) Messbereich IPM (A)
HS55-200 AP 200 ±200
HS55-300 AP 300 ±300
HS55-400 AP 400 ±400
HS55-500 AP 500 ±500
HS55-600 AP 600 ±600
HS55-800 AP 800 ±800
HS55-900 AP 900 ±900
MODELLLISTEN:

HS55-200A-P SPEZIFIKATION
Parameter Symbol  Einheit Min Typ Max Kommentar
Elektrische Daten
Nennstrom Primärseite IPN A - 200 -  
Messbereich für Primärstrom IPM A -200 - 200  
Versorgungsspannung VC V 4,75 5,0 5,25  
Ausgangsspannung VOUT V VOUT=(VC/5) x (2,5+GthxIP) @  VC=5V
Ausgangsspannung Null VQOV V 2,475 2,5 2,525 @VC=5V UND  IP=0A
Theoretischer Gewinn Gth MV/A - 10 -  
Stromaufnahme IC MA - 12 20 @VC=5V
Lastwiderstand RL 10 - Unbegrenzt @VOUT zu GND
Belastbarkeit C2 NF - 4,7 -  
Leistungsfilter Kondensator C1 µF - - -  
Leistungsdaten
Verstärkungsfehler G % -1 - 1  
Temperaturdrift der Verstärkung Fehler TCG %/ºC -0,05 ±0,025 ±0,05 @TA  -40ºC~125ºC
Nullpunktfehler IOE A -1,2 ±0,5 1,2 @VC=5V &IP=0A
Temperaturdrift von Null-Fehler TCIOE MA/ºC -8 ±2 8 @TA  -40ºC~125ºC
Magnetischer Offsetstrom EAM A -1,4 ±0,8 1,4  
Nichtlinearer Fehler L % der  IPN -1 - 1 VOE Null ausschließen  
Reaktionszeit tr µs - 1,5 3  
Bandbreite ( -3dB) SW KHz 30 - -  
Phasenverschiebung Grad - - -  
Ausgangsrauschen VNO vp Mk - - 40 @DC bis 1MHz
Allgemeine Daten
Umgebungstemperatur bei Betrieb TA ºC -40~+125  
Umgebungstemperatur bei Lagerung TS ºC -55~+150  
Gewicht M G 21  

HS55-300A-P SECIFICATION
Parameter Symbol  Einheit Min Typ Max Kommentar
Elektrische Daten
Nennstrom Primärseite IPN A - 300 -  
Messbereich für Primärstrom IPM A -300 - 300  
Versorgungsspannung VC V 4,75 5,0 5,25  
Ausgangsspannung VOUT V VOUT=(VC/5) x (2,5+GTH  x  IP) @  VC=5V
Ausgangsspannung Null VQOV V 2,475 2,5 2,525 @VC=5V UND  IP=0A
Theoretischer Gewinn Gth MV/A - 6,67 -  
Stromaufnahme IC MA - 12 20 @VC=5V
Lastwiderstand RL 10 - Unbegrenzt @VOUT zu GND
Belastbarkeit C2 NF - 4,7 -  
Leistungsfilter Kondensator C1 µF - - -  
Leistungsdaten
Verstärkungsfehler G % -1 - 1  
Temperaturdrift der Verstärkung Fehler TCG %/ºC -0,05 ±0,025 ±0,05 @TA  -40ºC~125ºC
Nullpunktfehler IOE A -1,2 ±0,5 1,2 @VC=5V &IP=0A
Temperaturdrift von Null-Fehler TCIOE MA/ºC -8 ±2 8 @TA  -40ºC~125ºC
Magnetischer Offsetstrom EAM A -1,4 ±0,8 1,4  
Nichtlinearer Fehler L % der  IPN -1 - 1 VOE Null ausschließen  
Reaktionszeit tr µs - 1,5 3  
Bandbreite (-3dB) SW KHz 30 - -  
Phasenverschiebung Grad - - -  
Ausgangsrauschen VNO vp Mk - - 40 @DC bis 1MHz
Allgemeine Daten
Umgebungstemperatur bei Betrieb TA ºC -40~+125  
Umgebungstemperatur bei Lagerung TS ºC -55~+150  
Gewicht M G 21  

HS55-400AP SPEZIFIKATION
Parameter Symbol  Einheit Min Typ Max Kommentar
Elektrische Eigenschaften
Nennstrom Primärseite IPN A - 400 -  
Messbereich für Primärstrom IPM A -400 - 400  
Versorgungsspannung VC V 4,75 5,0 5,25  
Ausgangsspannung VOUT V VOUT=(VC/5) x (2,5+GTH  x  IP) @VC=5V
Ausgangsspannung Null VQOV V 2,475 2,5 2,525 @VC=5V UND  IP=0A
Theoretischer Gewinn Gth MV/A - 5 -  
Stromaufnahme IC MA - 12 20 @VC=5V
Lastwiderstand RL 10 - Unbegrenzt @VOUT zu GND
Belastbarkeit C2 NF - 4,7 -  
Leistungsfilter Kondensator C1 µF - - -  
Leistungsdaten
Verstärkungsfehler G % -1 - 1  
Temperaturdrift der Verstärkung Fehler TCG %/ºC -0,05 ±0,025 ±0,05 @TA  -40ºC~125ºC
Nullpunktfehler IOE A -1,2 ±0,5 1,2 @VC=5V &IP=0A
Temperaturdrift von Null-Fehler TCIOE MA/ºC -8 ±2 8 @TA  -40ºC~125ºC
Magnetischer Offsetstrom EAM A -1,4 ±0,8 1,4  
Nichtlinearer Fehler L % der  IPN -1 - 1 VOE Null ausschließen  
Reaktionszeit tr µs - 1,5 3  
Bandbreite (-3dB) SW KHz 30 - -  
Phasenverschiebung Grad - - -  
Ausgangsrauschen VNO vp Mk - - 40 @DC bis 1MHz
Allgemeine Daten
Umgebungstemperatur bei Betrieb TA ºC -40~+125  
Umgebungstemperatur bei Lagerung TS ºC -55~+150  
Gewicht M G 21  

HS55-500AP SPEZIFIKATION
Parameter Symbol  Einheit Min Typ Max Kommentar
Elektrische Daten
Nennstrom Primärseite IPN A - 500 -  
Messbereich für Primärstrom IPM A -500 - 500  
Versorgungsspannung VC V 4,75 5,0 5,25  
Ausgangsspannung VOUT V VOUT=(VC/5) x (2,5+GTH  x  IP) @VC=5V
Ausgangsspannung Null VQOV V 2,475 2,5 2,525 @VC=5V UND  IP=0A
Theoretischer Gewinn Gth MV/A - 4 -  
Stromaufnahme IC MA - 12 20 @VC=5V
Lastwiderstand RL 10 - Unbegrenzt @VOUT zu GND
Belastbarkeit C2 NF - 4,7 -  
Leistungsfilter Kondensator C1 µF - - -  
Leistungsdaten
Verstärkungsfehler G % -1 - 1  
Temperaturdrift der Verstärkung Fehler TCG %/ºC -0,05 ±0,025 ±0,05 @TA  -40ºC~125ºC
Nullpunktfehler IOE A -1,2 ±0,5 1,2 @VC=5V &IP=0A
Temperaturdrift von Null-Fehler TCIOE MA/ºC -8 ±2 8 @TA  -40ºC~125ºC
Magnetischer Offsetstrom EAM A -1,4 ±0,8 1,4  
Nichtlinearer Fehler L % der  IPN -1 - 1 VOE Null ausschließen  
Reaktionszeit tr µs - 1,5 3  
Bandbreite ( -3dB) SW KHz 30 - -  
Phasenverschiebung Grad - - -  
Ausgangsrauschen VNO vp Mk - - 40 @DC bis 1MHz
Allgemeine Daten
Umgebungstemperatur bei Betrieb TA ºC -40~+125  
Umgebungstemperatur bei Lagerung TS ºC -55~+150  
Gewicht M G 21  
 
Parameter Symbol  Einheit Min Typ Max Kommentar
Elektrische Daten
Nennstrom Primärseite IPN A - 600 -  
Messbereich für Primärstrom IPM A -600 - 600  
Versorgungsspannung VC V 4,75 5,0 5,25  
Ausgangsspannung VOUT V VOUT=(VC/5) x (2,5+GTH  x  IP) @VC=5V
Ausgangsspannung Null VQOV V 2,475 2,5 2,525 @VC=5V UND  IP=0A
Theoretischer Gewinn Gth MV/A - 3,33 -  
Stromaufnahme IC MA - 12 20 @VC=5V
Lastwiderstand RL 10 - Unbegrenzt @VOUT zu GND
Belastbarkeit C2 NF - 4,7 -  
Leistungsfilter Kondensator C1 µF - - -  
Leistungsdaten
Verstärkungsfehler G % -1 - 1  
Temperaturdrift der Verstärkung Fehler TCG %/ºC -0,05 ±0,025 ±0,05 @TA  -40ºC~125ºC
Nullpunktfehler IOE A -1,2 ±0,5 1,2 @VC=5V &IP=0A
Temperaturdrift von Null-Fehler TCIOE MA/ºC -8 ±2 8 @TA  -40ºC~125ºC
Magnetischer Offsetstrom EAM A -1,4 ±0,8 1,4  
Nichtlinearer Fehler L % der  IPN -1 - 1 VOE Null ausschließen  
Reaktionszeit tr µs - 1,5 3  
Bandbreite ( -3dB) SW KHz 30 - -  
Phasenverschiebung Grad - - -  
Ausgangsrauschen VNO vp Mk - - 40 @DC bis 1MHz
Allgemeine Daten
Umgebungstemperatur bei Betrieb TA ºC -40~+125  
Umgebungstemperatur bei Lagerung TS ºC -55~+150  
Gewicht M G 21  
HS55-600AP SEPCIFICATION


HS55-800AP SPEZIFIKATION
Parameter Symbol  Einheit Min Typ Max Kommentar
Elektrische Daten
Nennstrom Primärseite IPN A - 800 -  
Messbereich für Primärstrom IPM A -800 - 800  
Versorgungsspannung VC V 4,75 5,0 5,25  
Ausgangsspannung VOUT V VOUT=(VC/5) x (2,5+GTH  x  IP) @VC=5V
Ausgangsspannung Null VQOV V 2,475 2,5 2,525 @VC=5V UND  IP=0A
Theoretischer Gewinn Gth MV/A - 2,5 -  
Stromaufnahme IC MA - 12 20 @VC=5V
Lastwiderstand RL 10 - Unbegrenzt @VOUT zu GND
Belastbarkeit C2 NF - 4,7 -  
Leistungsfilter Kondensator C1 µF - - -  
Leistungsdaten
Verstärkungsfehler G % -1 - 1  
Temperaturdrift der Verstärkung Fehler TCG %/ºC -0,05 ±0,025 ±0,05 @TA  -40ºC~125ºC
Nullpunktfehler IOE A -1,2 ±0,5 1,2 @VC=5V &IP=0A
Temperaturdrift von Null-Fehler TCIOE MA/ºC -8 ±2 8 @TA  -40ºC~125ºC
Magnetischer Offsetstrom EAM A -1,4 ±0,8 1,4  
Nichtlinearer Fehler L % der  IPN -1 - 1 VOE Null ausschließen  
Reaktionszeit tr µs - 1,5 3  
Bandbreite ( -3dB) SW KHz 30 - -  
Phasenverschiebung Grad - - -  
Ausgangsrauschen VNO vp Mk - - 40 @DC bis 1MHz
Allgemeine Daten
Umgebungstemperatur bei Betrieb TA ºC -40~+125  
Umgebungstemperatur bei Lagerung TS ºC -55~+150  
Gewicht M G 21  


HS55-900AP SPEZIFIKATION
Parameter Symbol  Einheit Min Typ Max Kommentar
Elektrische Parameter
Nennstrom Primärseite IPN A - 900 -  
Messbereich für Primärstrom IPM A -900 - 900  
Versorgungsspannung VC V 4,75 5,0 5,25  
Ausgangsspannung VOUT V VOUT=(VC/5) x (2,5+GTH  x  IP) @VC=5V
Ausgangsspannung Null VQOV V 2,475 2,5 2,525 @VC=5V UND  IP=0A
Theoretischer Gewinn Gth MV/A - 2,22 -  
Stromaufnahme IC MA - 12 20 @VC=5V
Lastwiderstand RL 10 - Unbegrenzt @VOUT zu GND
Belastbarkeit C2 NF - 4,7 -  
Leistungsfilter Kondensator C1 µF - - -  
Leistungsdaten
Verstärkungsfehler G % -1 - 1  
Temperaturdrift der Verstärkung Fehler TCG %/ºC -0,05 ±0,025 ±0,05 @TA  -40ºC~125ºC
Nullpunktfehler IOE A -1,2 ±0,5 1,2 @VC=5V &IP=0A
Temperaturdrift von Null-Fehler TCIOE MA/ºC -8 ±2 8 @TA  -40ºC~125ºC
Magnetischer Offsetstrom EAM A -1,4 ±0,8 1,4  
Nichtlinearer Fehler L % der  IPN -1 - 1 VOE Null ausschließen  
Reaktionszeit tr µs - 1,5 3  
Bandbreite ( -3dB) SW KHz 30 - -  
Phasenverschiebung Grad - - -  
Ausgangsrauschen VNO vp Mk - - 40 @DC bis 1MHz
Allgemeine Daten
Umgebungstemperatur bei Betrieb TA ºC -40~+125  
Umgebungstemperatur bei Lagerung TS ºC -55~+150  
Gewicht M G 21  

Hinweis:
 
  1. Die Ausgangsspannung Uout , die Offsetspannung UQOV , und die Empfindlichkeit GTH sind völlig proportional zur Stromversorgung VC;
 
  1. Die Frequenz des zu messenden Stroms muss innerhalb des Frequenzbandes des Sensors begrenzt werden, da sonst Kern und Chip überhitzen;
 
  1. Eine falsche Verdrahtung kann den Sensor beschädigen;

Isolationsdaten:
 
Parameter Symbol  Einheit Wert Kommentar
AC-Isolationswiderstandsprüfung RMS @ 50Hz, 1min UD KV 1,5  
Impulsspannungsfestigkeit 1,2/50us UW KV 2   
Schalenmaterial - - UL94-V0 PA66-GF25
Relativer Tracking-Index CTI V -  
Kriechstrecke DCP Mm >1,7  
Elektrischer Abstand DCI Mm >2,55  


Höchstgrenze:
 
Parameter Symbol  Einheit Wert
Versorgungsspannung VC V 7
Kontinuierlicher Ausgangsstrom Iout MA ±10
Elektrostatische Entladung - Kontaktentladung VESD KV 2

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an Lieferanten

*von:
*bis:
*Meldung:

Geben Sie zwischen 20 bis 4.000 Zeichen.

Das ist nicht das, wonach Sie suchen? Jetzt Beschaffungsanfrage Posten

Vielleicht Gefällt Dir

Wenden Sie sich an den Lieferanten

Gold Mitglied Seit 2024

Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen

Hersteller/Werk, Handelsunternehmen, Konzerngesellschaft
Stammkapital
47686000 RMB
Blumenbeet
>2000 Quadratmeter