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Hochleistungs-10W 808nm-C-Mount-Halbleiter-Laserdiode mit Einfachemitter

Zertifizierung: ISO
Anwendung: Sender
Struktur: Sch

Kontakt Lieferant

Gold Mitglied Seit 2022

Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen

Hersteller/Werk

Grundlegende Informationen.

Modell Nr.
CM808DL10
Produktionskapazität
1000PCS/Month

Produktbeschreibung

10W 808nm C-Mount-Diodenlaser mit Einfachemitter
Funktionen:
CM808DL10 ist eine hochwertige C-Mount-Laserdiode, die Fabry-Perot Laser auf Basis modernster, quantenwell-epitaxialer Schichtwachstum und zuverlässiger Ridge-Wellenleiter-Struktur. Das CM808DL10 ist einfach zu montieren und bietet einen guten thermischen Kontakt, wodurch es die ideale Wahl für Hochleistungsanwendungen und OEM-Anwendungen ist.  C-Mount-Gehäuse hat zwei geschweißt Gold-Kontakte zu den n- und p-dotierten Halbleiterschichten.
CM808DL10 Single Emitter Laserdioden-Serie, die auf Quantum-Well Epitaxie und Ridge Waveguide Struktur Design basiert. C-Mount-gepackte Einzelstrahler bieten eine ausgezeichnete Zuverlässigkeit und Leistung. Mittenwellenlänge umfasst 635nm, 650nm, 670nm, 785nm, 808nm, 830nm, 9xxnm und 1064 nm. Die Gehäusetaugungen umfassen HALTERUNGEN, CoS-Halterungen, C-Halterungen und F-Halterungen. Bereitstellung von Strahlforming-Services wie schnelle Komprimierung gemäß Kundenanforderungen.

High Power 10W 808nm C-Mount Semiconductor Laser Diode Single Emitter

Datenblatt:

Artikelnr.: CM808DL10

Optisch  
Mittlere Wellenlänge λ 808nm
Wellenlängentoleranz ±5nm
Ausgangsleistung 10W
Neigungseffizienz 1,1W/A
Elektrisch  
Betriebsstrom Iop 5A
Schwellenwert Strom Ith 0,3A
Betriebsspannung Vop 2V
Effizienz Der Leistungsumwandlung 50 %
Thermisch  
Betriebstemperatur 15~35ºC
Lagertemperatur -40~80ºC
Temperaturkoeffizient Der Wellenlänge 0,3nm/ºC
 

Detailzeichnung:
High Power 10W 808nm C-Mount Semiconductor Laser Diode Single Emitter
 

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