Manufacturing Technology: | Optoelectronic Semiconductor |
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Material: | Element Semiconductor |
Type: | Laser Diode |
Package: | Though Hole |
Signal Processing: | Simulation |
Application: | Beauty Equipment, Re-Writable DVD Drives, etc |
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Parameter | Symbol | Bewertungen | Einheit |
Lichtleistung | IM UHRZEIGERSINN | 200 | MW |
Puls | 500 | MW | |
Rückwärtsspannung (LD) | VR | 2 | V |
Betriebstemperatur | Oben | -10~+75 | ºC |
Lagertemperatur | Tstg | -40~+100 | ºC |
Element |
Symbol | Min | Typ | Max | Einheit | Testbedingung |
Schwellenstrom | Ith | - | 80 | - | MA | IM UHRZEIGERSINN |
Betriebsstrom | Iop | - | 280 | MA | CW, Po=180mW | |
Betriebsspannung | Vop | - | 2,5 | 3,0 | V | CW, Po=180mW |
Neigungseffizienz | H | - | 0,95 | - | W/A | CW, Po=180mW |
Abstrahldivergenzwinkel (parallel) | θ | 7 | 10 | 12 | º | CW, Po=180mW |
Abweichungswinkel des Strahls (senkrecht) | θ⊥ | 14 | 17 | 20 | º | CW, Po=180mW |
Spitzenwellenlänge | λp | 650 | 660 | 665 | Nm | CW, Po=180mW |
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