Fertigungstechnik: | Optoelektronische Semiconductor |
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Material: | Element Semiconductor |
Art: | Laserdiode |
Paket: | Durchgangsbohrung |
Signalverarbeitung: | Simulation |
Anwendung: | Medizinische Verwendung, Materialprozesse, Messung |
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Parameter | Symbol | Bewertungen | Einheit |
Optische Ausgangsleistung | Po (CW) | 500 | MW |
Rückwärtsspannung | Vr | 2 | V |
Betriebstemperatur | Oben | -10~40 | ºC |
Lagertemperatur | Tstg | -40~+80 | ºC |
Parameter | Symbole | Bedingungen | Min | Typ | Max | Einheiten | |
Schwellenstrom | Ith | - | - | 50 | 70 | MA | |
Betriebsstrom | Iop | Po=500mW | - | 500 | 600 | MA | |
Betriebsspannung | Vop | Po=500mW | - | 1,8 | 2,1 | Volt | |
Steigung Effizienz |
η |
- | 0,8 |
1,0 |
- |
MW/mA |
|
- | |||||||
Strahldivergenz (FWHM) |
Parallel | θ | Po=500mW | 9 | 12 | 15 | Grad |
Senkrecht | θ⊥ | Po=500mW | 28 | 30 | 35 | Grad | |
Winkel Der Parallelen Abweichung | θ | Po=500mW | -3 | - | 3 | Grad | |
Winkel Der Rechtwinkligen Abweichung | θ⊥ | Po=500mW | -3 | - | 3 | Grad | |
Genauigkeit Der Emissionspunkte | X,Y,Z | Po=500mW | -80 | - | 80 | Äh | |
Lasing-Wellenlänge | λp | Po=500mW | 805 | 808 | 811 | Nm |
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