Fertigungstechnik: | Laser Diode |
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Material: | Element Semiconductor |
Art: | N-Typ-Halbleiter |
Paket: | To18-5.6mm |
Signalverarbeitung: | Simulation |
Anwendung: | Direct Imaging for PCB, Laser Module, Industry |
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Element |
Symbol |
Absolute Höchstwerte |
Einheit |
Optische Ausgangsleistung |
Po |
500 | MW |
LD-Umkehrspannung |
IR (LD) |
5 |
V |
Lagertemperatur |
Tstg |
-35 bis +85 |
ºC |
Temperatur Des Betriebsgehäuses |
Tc |
0 bis +30 |
ºC |
Parameter | Symbol | Min | Typ | Max | Einheit | Testbedingung |
Lasing-Wellenlänge | λp | 398 | 404 | 410 | Nm | Po=500mW |
Schwellenstrom | Ith | - | - | 160 | MA | - |
Betriebsstrom | Iop | - | 390 | 420 | MA | Po=400mW |
Betriebsspannung | Vop | - | - | 5, 5 | V | Po=400mW |
Strahldivergenz parallel zur Kreuzung | - | 5 | 13 | 25 | Nr. | Po=400mW, Vollwinkel |
Strahldivergenz senkrecht zur Kreuzung | - | 30 | 45 | 60 | Nr. | Po=400mW, Vollwinkel |
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