Saphir Optische Fenster
ALLGEMEINE chemische Formel Al2O3 Kristallstruktur
Sechseckiges System ((hk o 1), Abmessungen der Einzelzelle A=4,758 Å, Å c=12,991 Å, c:a=2,730
PHYSIKALISCHE Metrik Englisch (zöllig) Dichte 3,98 g/cc 0,144 lb/in3
Härte 1525 - 2000 Knoop, 9 mhos Schmelzpunkt 3700 Grad Celsius
| ALLGEMEIN |
| Chemische Formel |
|
Al2O3 |
| Kristallstruktur |
|
Sechskantsystem ((hk o 1) |
| Abmessungen Der Einheitenzelle |
|
A=4,758 Å,Å c=12,991 Å, c:a=2,730 |
| PHYSISCH |
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Metrisch |
Englisch (Imperial) |
| Dichte |
|
3,98 g/cc |
0,144 lb/in3 |
| Härte |
|
1525 - 2000 Knoop, 9 mhos |
3700 GRAD F |
| Schmelzpunkt |
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2310 K (2040 GRAD) |
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| STRUKTURELL |
| Zugfestigkeit |
|
275 MPa bis 400 MPa |
40.000 bis 58.000 psi |
| |
Bei 20 Grad |
400 MPa |
58.000 psi (min. Auslegung) |
| |
Bei 500 Grad Celsius |
275 MPa |
40.000 psi (min. Auslegung) |
| |
Bei 1000 Grad Celsius |
355 MPa |
52.000 psi (min. Auslegung) |
| Biegefestigkeit |
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480 MPa bis 895 MPa |
70.000 bis 130.000 psi |
| Druckfestigkeit |
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2,0 GPa (ultimativ) |
300.000 psi (ultimativ) |
Galliumnitrid (GaN) auf Silizium (Si) Epitaxiewafer
Das Kyropoulos-Verfahren (KY-Verfahren) für das Wachstum von Saphirglas wird derzeit von vielen Unternehmen in China zur Herstellung von Saphir für die Elektronik- und Optikindustrie verwendet.
Hochreines Aluminiumoxid wird in einem Tiegel bei über 2100 Grad Celsius geschmolzen. Typischerweise wird der Tiegel aus Wolfram oder Molybdän. Ein exakt ausgerichteter Samenkristall wird in die geschmolzene Aluminiumoxid getaucht. Der Samenkristall wird langsam nach oben gezogen und kann gleichzeitig gedreht werden. Durch die präzise Steuerung der Temperaturgradienten, der Zuggeschwindigkeit und der Geschwindigkeit der Temperaturabnahme ist es möglich, aus der Schmelze einen großen, einkristallinen, grob zylindrischen Ingot zu erzeugen.
Nach dem Anbau von Saphirboule aus einem Glas werden sie in zylindrische Stäbe gebohrt, die Stäbe in die gewünschte Fensterdicke aufgeschnitten und schließlich auf die gewünschte Oberflächengüte poliert.
Wird als Fenstermaterial verwendet
Synthetischer Saphir (manchmal auch als Saphirglas bezeichnet) wird häufig als Fenstermaterial verwendet, weil er sowohl für Wellenlängen von Licht zwischen 150 nm (UV) und 5500 nm (IR) hochtransparent ist (das sichtbare Spektrum erstreckt sich über etwa 380 nm bis 750 nm und ist außerordentlich kratzfest. Die wichtigsten Vorteile von Saphirfenstern sind:
* sehr breites optisches Übertragungsband von UV bis nah-Infrarot
* deutlich stärker als andere optische Materialien oder Glasfenster
* sehr kratz- und abriebfest (9 auf der Mohs-Skala der Mineralhärte, die 3rd härteste natürliche Substanz neben Moissanit und Diamanten)
* extrem hohe Schmelztemperatur (2030 Grad)
Stock Saphir Wafer Katalog
Standard-Wafer
2 Zoll C-Plane Saphir Wafer SSP/DSP
3 Zoll C-Plane Saphir Wafer SSP/DSP
4 Zoll C-Plane Saphir Wafer SSP/DSP
6 Zoll C-Plane Saphir Wafer SSP/DSP |
Spezialschnitt
A-Plane (1120) Saphirwafer
R-Plane (1102) Saphirwafer
M-plane (1010) Saphirwafer
N-Ebene (1123) Saphirwafer
C-Achse mit einem Rest von 0,5~ 4 Grad, in Richtung A-Achse oder M-Achse
Andere benutzerdefinierte Ausrichtung |
Benutzerdefinierte Größe
10 * 10mm Saphirwafer
20 * 20mm Saphirwafer
Ultradünne (100um) Saphirscheiben
8-Zoll-Saphirglas |
Gemustertes Saphirsubstrat (PSS)
2 Zoll C-Plane PSS
4 Zoll C-Plane PSS |
| 2inch |
DSP C-ACHSE 0,1mm/ 0,175mm/0,2mm/0,3mm/0,4mm/0,5mm/1,0mmt SSP C-Achse 0,2/0,43mm(DSP&SSP) A-Achse/M-Achse/R-Achse 0,43mm |
| 3inch |
DSP/SSP C-Achse 0,43mm/0,5mm |
| 4inch |
dsp c-Achse 0,4mm/ 0,5mm/1,0mmssp c-Achse 0,5mm/0,65mm/1,0mmt |
| 6inch |
ssp c-AXIS 1,0mm/1,3mmm dsp c-AXIS 0,65mm/ 0,8mm/1,0mmt |
Eigenschaften eines Saphirsubstrats
Ein Stoff, der bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen verwendet wird, ist ein Saphirsubstrat. Für High-Tech-Anwendungen machen ihn seine ausgezeichnete Leitfähigkeit und thermische Stabilität zum idealen Material. Wir werden in diesem Artikel einige der Eigenschaften von Saphir-Wafern und GaN auf Saphir aufführen. Wir werden auch über die elektrische Leitfähigkeit und thermische Stabilität von Saphirscheiben sprechen.
C-plane Wafer aus Saphir
Es ist gängige Praxis, auf C-Ebene Saphirwafer-Materialien Oxid- und III-V-Nitrid-Halbleiterfilme mit breitem Spalt herzustellen. Durch den Einsatz von Molecular Beam Epitaxy und Metal-Organic Vapor Deposition werden sie auch zur Herstellung von LED Epitaxie Wafern eingesetzt.
Die ideale Oberflächenrauheit für Saphirscheiben hängt von der Temperatur und der Kristallausrichtung ab. C-Plane Saphir ist ideal für Anwendungen, die eine hohe optische Qualität und Haltbarkeit erfordern.
Die größte Option ist C-Plane Saphir. Außerdem ist diese Substanz eher abrasiv. Es besitzt auch hervorragende chemische und elektrische Eigenschaften.
Die Materialien für C-plane Saphirscheiben sind in verschiedenen Stärken und Ausrichtungen erhältlich. Sie sind aufgrund ihrer extremen Härte perfekt für die Herstellung von Halbleitern geeignet. Außerdem haben sie eine geringe Wärmeleitfähigkeit und einen geringen Widerstand. Diese Materialien, die sich von anderen Substraten dadurch unterscheiden, dass sie auch kratzfest sind, sind für viele mikroelektronische Anwendungen vorteilhaft.
Die Nachfrage nach Halbleitern ist der Hauptfaktor für den Preis von Saphirscheiben. Der Bedarf an leistungsfähigen Halbleiterbauelementen wächst mit zunehmender LED- und Mobiltelefon-Nutzung. Darüber hinaus wird der zunehmende Einsatz von Saphiren in Automobilanwendungen das Wachstum im Laufe des geplanten Zeitraums ankurbeln.
Es ist möglich, Solarzellen und Leuchtdioden mit C-Plane Saphir Wafer Technologie zu erzeugen. Die Gesamtgröße und das Gewicht der LEDs werden durch den niedrigen Wärmeausdehnungskoeffizienten, die elektrische Isolierung und das hohe Verhältnis von Oberfläche und Volumen verringert.
Das perfekte Substrat für heteroepitaxiales Siliziumwachstum ist C-Plane Saphir. Die Kristallstruktur der C-plane Saphir Wafer Materialien macht es einfach, nanostrukturiertes Silizium zu bauen. Durch die Verwendung von Computersimulationen kann die asymmetrische Entwicklung von Silizium auf einem Saphirsubstrat leicht fixiert werden.
Jede Kristallebene wurde zehnmal dem gleichen Verfahren unterzogen. Darüber hinaus zeigte die C-Ebene im Vergleich zu früheren Kristallebenen eine deutlich verbesserte Verarbeitungsqualität. Andere Kristallebenen konnten nicht den zerstörungsfreien Oberflächeneffekt erzeugen, den dieses Verfahren hatte.
Geprüfter Lieferant 
