Application: | Refractory, Structure Ceramic, Industrial Ceramic, Semiconductor |
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Type: | Ceramic Plate, Ceramic Plates |
Produktname: | Aluminiumnitrid-Keramikplatte |
Farbe: | Grau, gelblich |
moq: | 1pcs pro Bestellung |
Dicke: | Von 0,3mm bis 1mm verfügbar |
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
Material | Aluminiumnitrid (AlN), Tonerde (al2o3), Zirconia (ZrO2), Silikonnitrid (Si3N4), Silikonkarbid (SiC) |
Farbe | Graues, schwarzes, weiß Es, rosafarbenes, ivory, gelbliches erhä Ltliches |
Typische Stä Rke | 0.385mm, 0.50mm, 0.635mm, 1.0mm, 1.2mm und 1.5mm |
Maß Fä Higkeit | Max. Seitelä Nge, zum 500mm durch 400mm, maximaler Auß Endurchmesser zu sein, zum 400mm zu sein |
Toleranz | Auß Endurchmesser kann ± 0.01mm, Stä Rke sein kann ± 0.005mm sein |
Oberflä Chenbehandlung: | natü Rliche Oberflä Che, Einhü Llung, diamantenä Hnliches Polieren, Aufdampfen, glasiert |
Die Hauptmerkmale der keramischen Platte des Aluminiumnitrids
1. Hohe Wä Rmeleitfä Higkeit (170 ~220) W/m. K, ist es 5~8.5mal hö Her als das von Tonerde
2. Ä Hnlicher Wä Rmeausdehnungkoeffizient zu dem des Silikons (Si), hilft es, hohe Zuverlä Ssigkeit des Si-Chips zu erzielen
3. Hoher Isolierungswiderstand und Spannungswiderstandstä Rke, aber niedrige Dielektrizitä Tskonstante und dielektrischer Verlust
4. Hohe mechanische Stä Rke, ist er bis bis 450MPa und zu sehr dichter keramischer Karosserie, die von der Porositä T frei sind
5. Er bietet sehr hohen Reinheitsgrad bis zu 99% an, auch es ist frei von der Giftigkeit und trifft RoHS, REICHWEITE-Regelung
Die Beschreibung der keramischen Platte des Aluminiumnitrids
Das keramische Blatt des Aluminiumnitrids hat eine hohe Wä Rmeleitfä Higkeit von mehr als 170W/m. K, hohe Widerstandskraft, niedriger dielektrischer Verlust, gute Isolierung und einige andere ausgezeichnete Eigenschaften. Die ALN Substratflä Che ist die beste Wahl fü R eine groß E Auswahl des industriellen isolierenden Kü Hlkö Rpermaterials von Leistungs- -sachanlagen wie Hochfrequenzgerä Tensubstratflä Che, Leistungstransistor-Baugruppensubstratflä Che, mit hoher Schreibdichte Hybridschaltungen, MikrowellenStarkstromgerä Te, EnergienHalbleiterelemente, Energien-elektronische Gerä Te, optoelektronische Bauteile, Laser-halbleiter, LED, IS-Produkte und so eingeschaltet
AlN Substratflä Che kann die beste Lö Sung in den Elektronikanwendungen sein, in denen strenge Bedingungen, wie Energienbaugruppee (MOSFET, IGBT), LED-Pakete fü R das Abkü Hlen und die schü Tzenden Kreislä Ufe, Pakete und Baugruppee benö Tigt werden
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Anmerkung:
Wir produzieren eine Auswahl der keramischen Oblaten in den verschiedenen Materialien, kundenspezifische Entwü Rfe, einschließ Lich keramische Oblaten der Tonerde, keramische Oblaten des Zirconia, keramische Oblaten des Silikonnitrids und Silikonkarbidoblaten
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