Direct Bond Kupfer Dbc Metallisierung Hochleistungs-Aln Aluminium Nitrid Substrat

• Anwendung: Laser Diode (Ld)
• Fertigprodukt: Keramikplatine
• Substratmaterial: Aluminium Nitride (Aln) Ceramic
• Oberflächenmetallisierung: Direct Bond Copper (Dbc / Dcb)
• Funktion: Starke Haftfestigkeit zwischen Keramik und Metall
• Transportpaket: Vacuum Packaging
• Modell Nr.: Customized
• Spezifikation: According to the Drawing
• Warenzeichen: JingHui
• Herkunft: China
• HS-Code: 8547100000

Produktbeschreibung

Direct Bond Kupfer DBC Metallisierung Hochleistungs-AlN-Aluminiumnitrid Substrat
 

Produkteinführung

Was ist Direct Bond Copper (DBC) Technologie?

Direct Bond Copper (DBC) Technologie ist eine Metallisierungsmethode zum Verkleben von Kupferfolie auf der keramischen Oberfläche (hauptsächlich Al2O3 und AlN). Das Grundprinzip ist es, Sauerstoffelement zwischen Cu und Keramik einzuführen, dann Cu / O eutektische flüssige Phase bei 1065-1083 Grad Celsius zu bilden, und dann mit keramischen Substrat und Kupferfolie zu reagieren, um CuAlO2 oder Cu(AlO2)2 zu bilden, und die Bindung zwischen Kupferfolie und Substrat unter der Wirkung von Mesophase zu realisieren.  

Da AlN zu den Nichtoxidkeramiken gehört, ist es der Schlüssel zur Oberflächenkupferbeschichtung, eine Al2O3-Übergangsschicht auf ihrer Oberfläche zu bilden und die effektive Bindung zwischen der Kupferfolie und der Grundkeramik unter der Einwirkung der Übergangsschicht zu realisieren.


Was sind die Merkmale der  DBC -Technologie?

In den folgenden beiden Tabellen erfahren Sie mehr über DBC.



 

Produktionsprozess

Die DBC-Methode verwendet ein Hochtemperatur-Schmelz- und Diffusionsverfahren, um das keramische Substrat und hochreines sauerstofffreies Kupfer miteinander zu verbinden.

Die geformte Metallschicht hat eine gute Wärmeleitfähigkeit, eine hohe Haftfestigkeit, ausgezeichnete mechanische Eigenschaften, einfaches Ätzen, hohe Isolierung und hohe thermische Zykluskapazität.


 

Unsere Vorteile

DBC-Keramiksubstrate werden häufig in der Verpackung und Wärmeableitung von IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), Laserdiode (LD) und Concentrator Photovoltaics (CKV) verwendet. Jinghui Ceramic kontrolliert streng die eutektische Temperatur und Sauerstoffgehalt in den Prozess der Herstellung von DBC-keramischen Substraten. Die DBC-Technologie hat das branchenführende Niveau erreicht und verdient Ihr Vertrauen.
 

Produktinspektion

Um die beste Leistung unserer Keramikplatinen zu gewährleisten, müssen alle Produkte vor dem Ausgehen eine strenge Inspektion bestehen.