Art: | Halle Typ |
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Ausgangssignaltyp: | Analogausgang |
Fertigungsprozess: | Integrierte Halbleiter |
Material: | Kunststoff |
Genauigkeitsklasse: | 0.5G |
Anwendung: | Schaltnetzteil |
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Elektrische Daten (Ta=25ºC±5ºC ) |
Typ | B3-50A | B3-100A | B3-200A | B3-300A | Einheit |
Nennstrom (IPN) | ±50 | ±100 | ±200 | ±300 | A |
Messbereich (IP) | 0 - ±75 | 0 - ±150 | 0 - ±300 | 0 -±400 | A |
Drehungsverhältnis (NP/NS) | 1:1000 Uhr | 1:2000 Uhr | 1:2000 Uhr | 1:3000 Uhr | T |
Widerstand messen Mit±15V |
@ ±50Amax 0(min)500(max) |
@ ±100Amax 0(min)245(max) |
@ ±200Amax 0(min)75(max) |
@ ±300Amax 0(min)52(max) |
Ω |
@ ±75Amax 0(min)245(max) |
@ ±150Amax 0(min)118(max) |
@ ±300Amax 0(min)33(max) |
@ ±400Amax 0(min)20(max) |
Ω | |
Spulenwiderstand | 10 | 42 | 42 | 75 | Ω |
Nennleistung | 50 | 50 | 100 | 100 | MA |
Versorgungsspannung | ±12, ±15, ±18 | V | |||
Stromverbrauch | ≤20 + IPX (NP/NS) | MA | |||
Offset-Strom | @Ip=0 ±0,15 | MA | |||
Offset-Drift | @ -40~+85ºC ≤±0,4 | MA | |||
Linearität | @Ip=0-±Ipn ≤0,1 | %FS | |||
Reaktionszeit | @50A/μS, 10 %-90 % ≤1 | μs | |||
Galvanische Trennung | @ 50Hz, AC, 1min 3 | KV | |||
Di/dt | >100 | A/US | |||
Bandbreite | @ -1dB 0~150 | KHZ |
Anwendungen |
Gebrauchsanweisung |
Standards |
Allgemeines Datum |
Wert | Einheit | |
Betriebstemperatur (TA) | -40 bis +85 | ºC |
Lagertemperatur (TS) | -40 bis +125 | ºC |
Masse (ca.) (M) | 40 | G |
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