3A 800V Stromversorgung Einheit der Mosfet-SVF3N80M/MJ/F/D/T elektronisches Bauelement

• gestalten: TAUCHEN
• Leitfähige Typ: Unipolare Integrated Circuit
• Integration: LSI
• Technics: Dünnfilm-IC
• Application: Standard Generalized Integrated Circuit
• Type: Digital / Analog IC
• Modell Nr.: SVF3N80M/MJ/F/D/T
• Farbe: Schwarz
• Transportpaket: Carton
• Spezifikation: AC 85-265V
• Warenzeichen: Silan
• Herkunft: China
• HS-Code: 8541290000

Produktbeschreibung

- Leistungsblatt
 

* Allgemeine Beschreibung

SVF3N80M/MJ/F/D/T ist ein N-channelverbesserungsmodusenergie MOS-Bereicheffekttransistor, der using Silanproprietary F-CellTM Technologie der Zelle VDMOS produziert wird.    

Die verbesserte planare Streifenzelle und das verbesserte Schutzringterminal sind besonders hergestellt worden, um Aufzustand Widerstand herabzusetzen, ü Berlegene Schaltungsleistung zur Verfü Gung zu stellen, und Hochenergieimpuls im Lawinen- und Umwandlungmodus zu widerstehen.  

Diese Einheiten sind in den AC-DC Energienlieferanten, IN DEN DC-DC Konvertern und in den H-Brü Cke PWM Bewegungsfahrern am meisten benutzt


* Merkmale

1.	3A, 800V, RDS (an) (typ. ) =3.8@VGS=10V
2.	Niedrige Gatterladung
3.	Niedriges Crss
4.	Schnelle Schaltung
5.	Verbesserte dv/dt Fä Higkeit

 

* Typisches Anwendungsdiagramm
 

Warum uns wä Hlen?

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Anmerkungen

* Die Fotos werden durch Kamera gemacht
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