gestalten: | TAUCHEN |
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Leitfähige Typ: | Unipolare Integrated Circuit |
Integration: | LSI |
Technics: | Dünnfilm-IC |
Application: | Standard Generalized Integrated Circuit |
Type: | Digital / Analog IC |
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
* Allgemeine Beschreibung
SVF3N80M/MJ/F/D/T ist ein MOS -Feldeffekttransistor im N-Kanal-Enhancement-Modus, der mit der silanproprietären F-CellTM Structure VDMOS -Technologie hergestellt wird.
Die verbesserte planare Streifenzelle und die verbesserte Schutzringklemme wurden speziell auf die Minimierung des Einschaltwiderstands, die überlegene Schaltleistung und die Widerstandsfähigkeit gegen energiereiche Impulse im Lawinen- und Kommutierungsmodus zugeschnitten.
Diese Geräte werden häufig in AC-DC-Stromversorgern, DC-DC-Wandlern und H-Bridge-PWM-Motortreibern verwendet.
* Eigenschaften
1. | 2A,650V, RDS(ein)(Typ.)=4,3@VGS=10V Niedrige Gate-Ladung |
2. | Niedrige Crs |
3. | Schnelles Umschalten |
4. | Verbesserte dv/dt-Fähigkeit |
* Typische Anwendung schematisch
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