Verbesserte dv/dt-Fähigkeit elektronischer DC/DC-SVF7N65F MOSFET 7A 650V

• gestalten: TAUCHEN
• Leitfähige Typ: Unipolare Integrated Circuit
• Integration: LSI
• Technics: Dünnfilm-IC
• Farbe: Schwarz
• Transportpaket: Carton
• Modell Nr.: SVF7N65F
• Spezifikation: AC 85-265V
• Warenzeichen: Silan
• Herkunft: China
• HS-Code: 8542399000
• Produktionskapazität: 10000000

Produktbeschreibung

-Datenblatt
 

* Allgemeine Beschreibung

SVF7N65T/F/K/S ist ein MOS-Feldeffekttransistor im N-Kanal-Enhancement-Modus, der mit der Silan-proprietären F-CellTM-Struktur-VDMOS-Technologie hergestellt wird.

Die verbesserte planare Streifenzelle und die verbesserte Schutzringklemme wurden speziell auf die Minimierung des Einschaltwiderstands, die überlegene Schaltleistung und die Widerstandsfähigkeit gegen energiereiche Impulse im Lawinen- und Kommutierungsmodus zugeschnitten.

Diese Geräte werden häufig in AC-DC-Stromversorgern, DC-DC-Wandlern und H-Bridge-PWM-Motortreibern verwendet.



* Eigenschaften

1.	7A,650V,RDS(ein)(Typ.)=0,96@VGS=10V Niedrige Gate-Ladung
2.	Niedrige Crs
3.	Schnelles Umschalten
4.	Verbesserte dv/dt-Fähigkeit

 

* Typische Anwendung schematisch
 

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Hinweise

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