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Transistor SBD10C200F mit geringer Verlustleistung, Doide Schottky

shape: DIP
Conductive Type: Unipolar Integrated Circuit
Integration: LSI
Technics: Thin Film IC
Farbe: Schwarz
Transportpaket: Carton

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Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen

Bewertung: 5.0/5

Grundlegende Informationen.

Modell Nr.
SBD10C200F
Spezifikation
AC 85-265V
Warenzeichen
Silan
Herkunft
China
HS-Code
8542399000
Produktionskapazität
10000000

Produktbeschreibung

-Datenblatt
 

* Allgemeine Beschreibung

SBD10C200T/F/D/S ist die schottky-Gleichrichterdiode, die die epitaxiale Siliziumtechnologie übernimmt,

Es ist weit verbreitet in Schaltnetzteil, Schutzschaltungen und so weiter verwendet.





* Eigenschaften

1. Schutzring für Spannungsschutz
2. Hohe Überspannungskapazität
3. Geringer Leistungsverlust, hoher Wirkungsgrad
4. Niedriger Spannungsabfall bei Vorlauf




* Typische Anwendung schematisch
 


Low power loss Transistor SBD10C200F Doide Schottky
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Low power loss Transistor SBD10C200F Doide Schottky



Low power loss Transistor SBD10C200F Doide Schottky
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Stammkapital
1.85 Million USD
OEM/ODM-Verfügbarkeit
Yes