gestalten: | TAUCHEN |
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Leitfähige Typ: | Unipolare Integrated Circuit |
Integration: | LSI |
Technics: | Dünnfilm-IC |
Farbe: | Schwarz |
Transportpaket: | Carton |
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
* Allgemeine Beschreibung
SVF7N60T/F/S/K/MJ/D ist ein N-channelverbesserungsmodusenergie MOS-Bereicheffekttransistor, der using Silanproprietary F-CellTMstructure VDMOS Technologie produziert wird.
Die verbesserte planare Streifenzelle und das verbesserte Schutzringterminal sind besonders hergestellt worden, um Aufzustand Widerstand herabzusetzen, ü Berlegene Schaltungsleistung zur Verfü Gung zu stellen, und Hochenergieimpuls im Lawinen- und Umwandlungmodus zu widerstehen
Diese Einheiten sind in den AC-DC Energienlieferanten, IN DEN DC-DC Konvertern und in den H-Brü Cke PWM Bewegungsfahrern am meisten benutzt
* Merkmale
1. | 7A, 600V, RDS (an) (typ. ) =0.96@VGS=10V Niedrige Gatterladung |
2. | Niedriges Crss |
3. | Schnelle Schaltung |
4. | Verbesserte dv/dt Fä Higkeit |
* Typisches Anwendungsdiagramm
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