Art: | Halle Typ |
---|---|
Ausgangssignaltyp: | Analogausgang |
Fertigungsprozess: | Integrierte Halbleiter |
Material: | Kunststoff |
Genauigkeitsklasse: | 0,2 G |
Anwendung: | Photovoltaic Inverter Detection |
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
* Einfache Installation
Elektrische Daten:(Ta=25ºC,VC= ±24VDC) | ||||
Parmeter Ref |
CHB300LFD24D150S2 | CHB600LFD24D120S2 | CHB1000LFD24D200S2 | CHB2000LFD24D240S2 |
Nenneingang IPN(A) | 300 | 600 | 1000 | 1200 |
Messbereich IP(A) | 0~±900 | 0~±1500 | 0~±1500 | 0~±1900 (Normalzustand) |
0~±2400 (Übergangszustand) |
||||
Drehungsverhältnis NP/NS (T) | 1:2000 Uhr | 1:5000 Uhr | 1:5000 Uhr | 1:5000 Uhr |
Ausgangsstrom eff IST (mA) | ±150*IP/IPN | ±120*IP/IPN | ±200*IP/IPN | ±240*IP/IPN |
Widerstand Sekundärspule RS (Ohm) | 25 | 39 | 39 | 39 |
Innenwiderstand RM (Ohm) | [(VC-0,5V)/(IS*0,001)]-RS | |||
Versorgungsspannung VC(V) | ±24 ±5 % | |||
Genauigkeit XG (%) | IPN, T = 25 < ±C 0,2 @ | |||
Offset Strom IOE (mA) | @IP=0,T=25 < ±C 0,2 | |||
Temperaturschwankungen des IOE IOT (mA/oC) | @IP=0,-40 ~ +85 < ±C 0,5 |
|||
Linearitätsfehler εr(%FS) | < 0,1 | |||
Di/dt genau befolgt (A/µs) | > 100 | |||
Reaktionszeit tra(µs) | @90 % von IPN < 1,0 | |||
Leistungsaufnahme IC (mA) | 20+ Is | |||
Bandbreite BW (KHZ) | @-3dB, IPN DC-150 | |||
Isolationsspannung VD (KV) | @50/60Hz, 1min, AC 6,0 |
Allgemeine Daten: | |
Parameter | Wert |
Betriebstemperatur TA (C) | -40 ~ +85 |
Lagertemperatur TS ( C ) | -55~ +125 |
Masse M(g ) | 620 |
Kunststoffmaterial | PBT G30/G15, UL94- V0; |
Standards | IEC60950-1:2001 UHR |
EN50178:1998 UHR | |
SJ20790-2000 |
Abmessungen (mm): | |
Verbindung | |
Allgemeine Toleranz | |
Allgemeine Toleranz:< ±0,5mm Primäre Durchgangsbohrung: D 38,5±0,2 Anschluss der sekundären : VH3,96-03P (S2) |
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen