Art: | Halle Typ |
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Ausgangssignaltyp: | Analogausgang |
Fertigungsprozess: | Integrierte Halbleiter |
Material: | Kunststoff |
Genauigkeitsklasse: | 0.5G |
Anwendung: | Elevator Current Detection |
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* Einfache Installation
Elektrische Daten:(Ta=25ºC,VC=+5,0VDC,RL=2Kilohm,CL=10000pF) | ||||||
Parmeter Ref |
CHB03ES5S6H | CHB10ES5S6H | CHB25ES5S6H | CHB50ES5S6H | CHB75ES5S6H | CHB100ES5S6H |
Nenneingang IPN(A) | 03 | 10 | 25 | 50 | 75 | 100 |
Messbereich IP(A) | 0~±9,6 | 0~±32 | 0~±80 | 0~±120 | 0~±150 | 0~±150 |
Drehungsverhältnis NP/NS (T) | 1:960 Uhr | 1:800 Uhr | 1:2000 Uhr | 1:2000 Uhr | 1:2000 Uhr | 1:2000 Uhr |
Innenwiderstand RM (Ohm) | 50±0,1 % | 50±0,1 % | 50±0,1 % | 25±0,1 % | 16,5±0,1 % | 16,5±0,1 % |
Ausgangsspannung Vo (V) | 2,500±0,625* (IP/IPN) | |||||
Ausgangsspannung Vo (V) | @IP=0,T=25 2,500 C | |||||
Referenzspannung VR (V) | @interne Referenz, RE out 2,500 | |||||
Versorgungsspannung VC(V) | +5,0 ±5 % | |||||
Genauigkeit XG (%) | IPN, T = 25 < ±C 0,2 @ | |||||
Offset-Spannung VOE (mV) | @IP=0,T=25 < ±C 10 | |||||
Temperaturschwankung des VOE -DREHS (mV/C) | @IP=0,-40 ~ +85 < ±C 0,05 |
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Linearitätsfehler εr(%FS) | < 0,1 | |||||
Di/dt genau befolgt (A/µs) | > 50 | |||||
Reaktionszeit tra(µs) | @90 % von IPN < 1,0 | |||||
Leistungsaufnahme IC (mA) | 10+ Is | |||||
Bandbreite BW (KHZ) | @-3dB, IPN DC-200 | |||||
Isolationsspannung VD (KV) | @50/60Hz, 1min, AC 3,0 |
Allgemeine Daten: | |
Parameter | Wert |
Betriebstemperatur TA (C) | -40 ~ +85 |
Lagertemperatur TS ( C ) | -55~ +125 |
Masse M(g ) | 13 |
Kunststoffmaterial | PBT G30/G15, UL94- V0; |
Standards | IEC60950-1:2001 UHR |
EN50178:1998 UHR | |
SJ20790-2000 |
Abmessungen (mm): | |
Verbindung | |
Allgemeine Toleranz | |
Allgemeine Toleranz:< ±0,2mm Primäre Durchgangsbohrung: D8,2±0,15mm; Sekundärer Stift: 4pin 0,65*0,65; |
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