Halbleiter 2N7002 SOT-23 MOSFET N-Kanal Enhancement Mode Feldeffekttransistor

• Verkapselungsstruktur: N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
• Anwendung: Battery operated systems
• Zertifizierung: RoHS, CE, ISO, CCC
• Device marking code: MBR4045PT
• Lieferzeit: 6~8weeks
• Average Rectified Output Current: 40A
• Modell Nr.: 2N7002 SOT-23
• Repetitive Peak-Rückwärtsspannung: 45V
• Surge(Non-repetitive)Forward Current: 300A
• Lagertemperatur: -55 ~ +150
• Temperatur der Verbindungsstelle: -55 ~ +150
• Grad: Industrie
• Typ: n
• VDSS (V): 60
• ID (A): 0.34
• PD (W): 0.35
• Transportpaket: 3000PCS
• Warenzeichen: YANGJIE
• Herkunft: Made in China
• HS-Code: 8542329000

Produktbeschreibung

MOSFET
TEILENUMMER: 2N7002 SOT-23 F2

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Lieferzeit: 6~8weeks  


Produktübersicht
- VDS 60V
- ID 340mA
- RDS(ON)( bei VGS=10V) <2,5ohm
- RDS(ON)( bei VGS=4,5V) <3,0ohm


Allgemeine Beschreibung
- Trench Power MV MOSFET Technologie
- Spannungsgesteuerter kleiner Signalschalter
- niedrige Eingangskapazität
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit
- Low Input / Output Leakage
 

Anwendungen
- batteriebetriebene Systeme
- Halbleiterrelais
- direkte Logik-Ebene Schnittstelle:TTL/CMOS

Datenblatt