Halbleiter YJQ40G10A DFN3333-8L MOSFET N-Kanal Enhancement Mode Feldeffekttransistor

• Technics: Halbleiter-IC
• Application: Standard Generalized Integrated Circuit
• Teilenummer: YJQ40G10A
• Grad: Industrie
• Paket: DFN3333-8L
• Status: Aktiv
• Modell Nr.: YJQ40G10A DFN3333-8L
• ESD: Nein
• Konfiguration: Einzeln
• VDSS (V): 100
• ID (A): 40
• Lieferzeit: 6~8 Wochen
• Transportpaket: 5000PCS
• Warenzeichen: YANGJIE
• Herkunft: Made in China
• HS-Code: 8542329000

Produktbeschreibung

TEILENUMMER: YJQ40G10A DFN3333-8L  
N-Kanal-Enhancement-Modus-Feldeffekttransistor

Lieferzeit : 6~8weeks

Produktübersicht

- VDS 100V
- ID 40A
- RDS(ON)( bei VGS=10V) <18,5 mohm
- RDS(ON)( bei VGS=4,5V) <22,5 mohm
- 100% EAS getestet


Allgemeine Beschreibung

- Split Gate Trench MOSFET Technologie
- ausgezeichnetes Paket für Wärmeableitung
- Hochdichte Zellkonstruktion für niedrige RDS(ON)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeit 3
- Epoxid erfüllt UL 94 V-0 Entflammbarkeitsklasse
- Halogenfrei


Anwendungen
- Verbraucher elektronische Stromversorgung
- Motorsteuerung
- Synchrongleichrichtung
- isolierter DC/DC-Wandler
- Inverter