China Siliziumkarbid Beschichteter Hersteller Ätzring

Produktdetails
Anpassung: Verfügbar
Beschichtung Farbe: Silbergrau
Anwendung: Halbleiter-Epitaxie
Gold Mitglied Seit 2025

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Grundlegende Informationen.

Modell Nr.
CVD SIC COATING
Merkmal
Korrosionsbeständig, oxidationsbeständigen, Hitzebeständigkeit, Verschleißfestigkeit
Beschichtungsstruktur
Dünner Film
Beschichtungsmaterial
Sic
Substrat
Isostatischer Graphit
Beschichtung
β-sic
Schichtdicke
100-150μm
Biegefestigkeit
≥50mpa
Materialkonsistenz
Über 95 %
Materialreinheit
99.9995%
Transportpaket
Holzkiste
Spezifikation
Anpassbar
Warenzeichen
dz
Herkunft
China
Produktionskapazität
80000pcs/Jahr

Produktbeschreibung

Unternehmensprofil


Hunan Dezhi New Material Co., Ltd. Ist ein High-Tech-Unternehmen, das sich auf die Forschung, Entwicklung, Produktion und den Vertrieb von High-End-Materialien wie Kohlenstoff-basierte und Keramik konzentriert. Dezhi ist das erste Unternehmen , das in  China eine Massenproduktion von festen SiC-Ätzkomponenten für Halbleiter erzielt, und verfügt über High-End-Technologie, Ausrüstung und ein hochrangiges F&E-Team. Das Unternehmen beschäftigt derzeit über 300 Mitarbeiter, davon entfallen 20 % auf das F&E-Personal. Unsere F&E-Fähigkeiten und Produktqualität werden von der Industrie einstimmig anerkannt und die wichtigsten Produkte umfassen CVD@SiC-Beschichtungen, Solid SiC, Sin@SiC-SiC, CVD@TAC-Beschichtungen und andere Produktserien, die in der LED-Optoelektronik, integrierten Schaltungen, Halbleitern der dritten Generation und anderen Bereichen weit verbreitet sind.
China Silicon Carbide Coated Manufacturer Etching Ring

Produktbeschreibung


Die hochentwickelten Materialprodukte von Dezhi umfassen Kohlenstoff-, Keramik- und andere High-End-Materialien, die in allen Bereichen der Halbleiterchip-Herstellung verwendet werden, wie beispielsweise Einkristall-Wachstum, Epitaxie, Ätzung, Diffusion, CVD, PVD usw.  

 

Produktleistung:

 

 

Hohe Temperaturbeständigkeit

 

Hohe Druckfestigkeit

 

Verschleißfestigkeit

 

Hohe Lebensdauer

 

Korrosionsbeständigkeit

 

Hohe Reinheit

 

Materialien und Eigenschaften

Substrat:  SintersiC (Dicke>0,5mm)

Beschichtung:   β-SiC (Dicke<300μm)

 

Anwendungsszenarien

Herstellung Von Wafern

• Epitaxial

• Diffusion

 

Implementierungstechnologie

• Präzisionsbearbeitung (Graphit)

• Niederdruck Chemischer Dampfabscheidung

 

Leistungsanforderungen

• hohe Dichte

• starke Kombination

• hohe Reinheit

• hohe Wärmeleitfähigkeit

• Korrosionsbeständigkeit

• Beständigkeit gegen Rissbildung

 

Anwendungsbereiche

• LED Photoelektrisch

• integrierte Schaltungen

• Halbleiter der dritten Generation

Detaillierte Fotos

China Silicon Carbide Coated Manufacturer Etching RingChina Silicon Carbide Coated Manufacturer Etching Ring

Produktparameter
Produktpalette Materialien und Eigenschaften Anwendungsszenario Implementierungstechnologie Leistungsanforderungen
CVD@SiC-Beschichtungsserie Substrat: Isostatischer Graphit  (Stärke 1~20 mm)        Beschichtung: β-SiC (Stärke <100 μm) Wafer-Fertigung   – epitaxiales Wachstum        Diffusion Präzisionsbearbeitung (Graphit)                Niederdruck-chemische Gasphasenabscheidung   (LPCVD) Hohe Dichte                              Starke Bindung                             Hohe Reinheit                             Hohe Wärmeleitfähigkeit                     Korrosionsbeständigkeit                         Anti-Rissbildung

China Silicon Carbide Coated Manufacturer Etching Ring

Unsere Vorteile

Vorteile des SiC beschichteten Graphit Wafer Carrier
1. Verbesserte Haltbarkeit: Die SiC-Beschichtung erhöht die Verschleißfestigkeit des Graphitmaterials, wodurch das Risiko einer Degradation über mehrere Verwendungen reduziert wird.

2. Hochtemperaturstabilität: Der Wafer Carrier kann die extremen Temperaturen, die in epitaxialen Wachstumsöfen üblich sind, tolerieren und seine strukturelle Integrität ohne Verzug oder Rissbildung beibehalten.

3. Verbesserte Ausbeute und Prozesseffizienz: Durch die sichere und konsistente Handhabung der Wafer trägt der SiC-beschichtete Graphit Wafer Carrier zur Verbesserung der Gesamtausbeute und Effizienz des epitaxialen Wachstumsprozesses bei.

4. Anpassungsoptionen: Der Träger kann in Bezug auf Größe und Konfiguration angepasst werden, um die spezifischen Anforderungen verschiedener Epitaxierreaktoren zu erfüllen und bietet Flexibilität für eine Vielzahl von Halbleiteranwendungen.

Vorteile von Hunan Dezhi New Materail
1. Schnelle Lieferantwort: Musterlieferung 7-15 Tage & Massenlieferung 1 Monate
2. Flexibler Anpassungsservice: Dedizierte Produktionslinien, um die Bedürfnisse der Kunden zu erfüllen & personalisierter Service für Produktlösungsunterstützung
3. Professionelle technische Unterstützung: Professionelle Materialprüfung und Analyse-Center & schnell mit Entwicklung und Verifikation Bedürfnisse zu kooperieren
4. Robuste Lieferkette: Stabiles Lieferkettensystem, viele langfristig kooperative Lieferanten mit gutem Ruf.  

Zertifizierungen

China Silicon Carbide Coated Manufacturer Etching Ring

FAQ

F. sind Sie eine Fabrik oder ein Handelsunternehmen?
A: Wir sind die führende Fabrik für SiC-Materialkomponenten für Halbleiter in China.  

F.  Wann kann ich den Preis bekommen?
A: Wir zitieren in der Regel innerhalb von 24 Stunden nach dem Erhalten Ihrer detaillierten Anforderungen, wie Größe, Menge usw. .
Wenn es sich um eine dringende Bestellung handelt, können Sie uns direkt anrufen.

F. Was ist mit der Vorlaufzeit für Massenprodukte?
A: Die Vorlaufzeit basiert auf den Details des Produkts, in der Regel 20-30 Werktage.

Q.Was sind Ihre Lieferbedingungen?
A: Wir akzeptieren FOB, CFR, CIF, EXW, etc. Sie können die bequemste Art und Weise für Sie wählen.
Außerdem können wir auch mit Air und Express versenden.

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