| Batch Nummer: | 2023 |
|---|---|
| Fertigungstechnologie: | Optoelektronisches Halbleitergerät |
| Material: | Standard |
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Die Serie G11475 bis G11478 ist ein linearer InGaAs-Bildsensor für die nah-Infrarot-Mehrkanal-Spektralphotometrie. Diese linearen Bildsensoren bestehen aus einem InGaAs Photodiodenarray und Ladungsverstärkern, Offset-Kompensationsschaltung, Schaltregister und Timing-Generator, die auf einem CMOS-Chip gebildet werden. Ladungsverstärker sind mit CMOS-Transistor-Array konfiguriert und an jedes Pixel des InGaAs Photodiode-Arrays angeschlossen. Da das Signal jedes Pixels im Ladungsintegrationsmodus gelesen wird, werden im nahen Infrarotbereich hohe Empfindlichkeit und stabiler Betrieb erreicht. Diese Sensoren zeichnen sich durch höhere Datenraten und bessere Linearitätseigenschaften bei hoher Verstärkung aus als die Vorgängerprodukte. Das Paket ist hermetisch abgedichtet und bietet eine ausgezeichnete Zuverlässigkeit. Die Signalverarbeitungsschaltung auf dem CMOS-Chip ermöglicht die Auswahl eines Konvertierungswirkungsgrades (CE) aus den beiden verfügbaren Typen unter Verwendung von externer Spannung.
Funktionen
- rauscharm, geringer Dunkelstrom
- wählbar aus zwei Arten von Konvertierungseffizienz
- integrierte Sättigungsgegenvermessung Schaltung
- eingebaute CDS Schaltung
- eingebauter Thermistor
- Einfache Bedienung (eingebauter Timing Generator)
| Hersteller | Hamamatsu |
| Name | Nah-Infrarot-Sensoren |
| Paket | 1PCS/BEUTEL |
| HS | 8536.90.4000 |
| Bildgröße | 12,8 x 0,25 mm |
|---|---|
| Pixelgröße | 50 x 250 μm |
| Pixelabstand | 50 μm |
| Anzahl der Pixel insgesamt | 256 Pixel |
| Paket | Metall |
| Kühlung | Zweistufig TE-gekühlt |
| Leitungsgeschwindigkeit (max.) | 17200 Zeilen/s. |
| Spektralbereich | 900 bis 2550 nm |
| Dunkelstrom (max.) | 1000 PA |
| Messbedingung | Typ. TA=25 ºC, sofern nicht anders angegeben, Tchip=-20ºC |
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G11478-256WB
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H14600-100/103/200/01/04/20
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