Type: | Photodiode |
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Output Signal Type: | Analog Type |
Production Process: | Integration |
Material: | Metal |
Feature: | SemiConductor |
IP Rating: | N/a |
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Hamamatsu Si Fotodioden | ||
Typ | Funktionen | Produktbeispiele |
SI-Fotodiode | Diese Fotodioden zeichnen sich durch hohe Empfindlichkeit und geringes Rauschen aus und sind speziell für sie konzipiert Entwickelt für Präzisionsphotometrie und allgemeine Photometrie im Sichtbaren Bereich |
*für UV- bis nah-Infrarot-Bereich *für sichtbaren bis nahen Infrarotbereich *für sichtbaren Bereich * RGB-Farbsensor *für Vakuum-UV (VUV)-Detektion *für monochromatische Lichterkennung *für Elektronenstrahldetektion |
SI PIN Fotodiode | SI PIN Fotodioden liefern eine schnelle Reaktion, wenn sie mit einem betrieben werden Umkehren Spannung angelegt und sind für den Einsatz in Glasfaser-Kommunikation, optisch geeignet Plattenabholungen usw. |
*Grenzfrequenz: 10 MHz oder mehr |
IR-optimiert SI PIN Fotodiode |
Diese Fotodioden haben eine verbesserte Empfindlichkeit im nahen Infrarotbereich Oben 900 nm |
*für YAG-Laserüberwachung |
Mehrere Elemente SI-Fotodiode |
SI Photodioden-Arrays bestehen aus mehreren Elementen, die in einem gebildet werden Linear oder zweidimensional Arrangement in einem Paket. Diese Photodioden-Arrays werden in einer Vielzahl von eingesetzt Anwendungen wie die Erkennung von Lichtpositionen und die Spektralphotometrie |
*segmentierte Fotodiode *eindimensionales Photodiodenarray |
SI-Fotodiode mit Vorverstärker Thermoelektrisch gekühlt SI-Fotodiode |
SI-Fotodioden mit Vorverstärker enthalten eine Fotodiode und einen Vorverstärker in einem Gehäuse, so dass sie sehr unempfindlich gegen externe Geräusche sind und kompakt sind Schaltungsdesign. Thermoelektrisch gekühlte Typen bieten eine drastisch verbesserte S/N. |
*für Analyse und Messung |
1. Fotodioden mit geringerer Anschlusskapazität auswählen.
2. Lastwiderstand reduzieren.
3. Niedrigere Anschlusskapazität durch Anlegen von Rückspannung. (Beachten Sie, dass der Dunkelstrom mit zunehmender Rückwärtsspannung ansteigt.)
Ja, Bereiche (wie Lücken zwischen Elementen), die nicht lichtempfindlich sind, sind lichtempfindlich. Diese Empfindlichkeit entspricht nicht der Empfindlichkeit des effektiven lichtempfindlichen Bereichs.
Bereiche außerhalb des lichtempfindlichen Bereichs sind lichtempfindlich, sodass dort einfallende Lichtverhältnisse Störsignale erzeugen und die Ansprechgeschwindigkeit verzögern können. Dieses Problem kann durch Fokussierung des Lichts auf einen kleinen Punkt behoben werden, sodass es nicht in andere Bereiche als den lichtempfindlichen Bereich eindringen oder die Bereiche außerhalb des lichtempfindlichen Bereichs lichtabschirmt. Alternativ kann auch die Bildung einer Aluminium-Lichtabschirmung oder einer schwarzen Lichtabschirmung auf den anderen Bereichen als dem lichtempfindlichen Bereich auf dem Chip dieses Problem lösen.
Ein Widerstand von mehreren Ohm.
Der Shunt-Widerstand der Hamamatsu-Fotodioden wird durch die folgende Gleichung aus dem Dunkelstrom (ID) berechnet, der bei 10 mV gemessen wird:
RSH [Ω]=0,01 [V]/ID [A]
In einem Wellenlängenbereich, der kürzer als die Wellenlänge der Spitzenempfindlichkeit ist, ist die spektrale Reaktion fast nicht von der Temperatur abhängig. In einem Bereich, der länger als die Wellenlänge der Spitzenempfindlichkeit ist, hat er jedoch einen positiven Temperaturkoeffizienten.
Ein Faktor, der die Reaktionsgeschwindigkeit der Si-Photodiode bestimmt, ist die „Trägerdiffusionsgeschwindigkeit“. Bei der Detektion von langwelligem Licht, das in tiefe Abschnitte von Si-Photodioden eindringt, wird die Wirkung der Trägerdiffusionsgeschwindigkeit deutlicher, was zu einer langsamen Ansprechgeschwindigkeit führt. Bei der Erkennung von kurzwelligem Licht wird die Ansprechgeschwindigkeit jedoch weniger durch die Trägerdiffusionsgeschwindigkeit beeinflusst.
Der Brechungsindex ist n=1,51.
Der Brechungsindex ist n=1,53.
Der Brechungsindex ist n=1,53.
Der Brechungsindex ist n=1,41.
Harz wird häufig zum Abdichten von Fotosensoren (Fensterhaftung und Harzfüllung) verwendet. Die Verwendung eines Reinigungsmittels kann also dazu führen, dass das Harz anschwellen oder schmelzen kann, und in einigen Fällen kann das Lösungsmittel in der Verpackung kriechen. Daher wird empfohlen, nach dem Löten kein sauberes Lot zu verwenden, das nicht gereinigt werden muss.
Wir bieten Produkte an, die bleifreies Lot unterstützen. Die Lötmethoden variieren je nach Produkt, kontaktieren Sie also unser Vertriebsbüro.
Das Glas- und Harzdichtmittel auf dem Lichteingangsfenster ist leicht verkratzt und beschädigt. Wischen Sie sie vorsichtig mit einem Wattestäbchen (Wattestäbchen) ab, das mit Ethanol angefeuchtet ist. Wenn Sie denselben Wattestäbchen immer wieder verwenden, kann dies zu Kratzern im Fenster führen, da sich Schmutz oder Fremdkörper auf dem Wattestäbchen befinden.
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