Fortgeschrittenes Fuanshi-450 Thyristormodul für effiziente Elektronik

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Grundlegende Informationen

Modell Nr.
FUANSHI-450
Anwendung
Detektor, Diode, LCD-Display-Controller, elektronische Bauteile, Radio, Kühlschrank, Solarzelle, Fernseher, Temperaturmessung
Chargennummer
2023+
Zertifizierung
ccc, ce
Fertigungstechnologie
Integrierte Schaltungen Gerät
Material
Leistungshalbleiter
Signalverarbeitung
Analog Digital Composite und Funktion
Modell
Mt57/16e
Paket
Kunststoffdichtung
Transportpaket
Papierkarton
Spezifikation
20cm*12cm*5cm
Warenzeichen
fuanshi
Herkunft
China
HS-Code
8541300000

Produktbeschreibung

 
Advanced Fuanshi-450 Thyristor Power Module for Efficient Electronics
Parameter Symbol Testbedingungen Werte Einheit
Geben Sie den durchschnittlichen Strom an IF (AV) Einphasig, Halbwelle 180 Grad Leitung
TC=85ºC
110 A
Überspannungsstrom IFSM t=10ms TJ =45ºC 2250 A
Maximal I2t für die Fixiererzahl I2t t=10ms TJ =45ºC 25000 A2s

Trennbruchspannung (R.M.S)

Visol
Ac,50HZ;R.M.S;1min 2500 V
Ac,50HZ;R.M.S;1sec 3500 V
Betriebstemperatur TJ   -40~+125 ºC
Lagertemperatur Tstg   -40~+125 ºC

Anzugsdrehmoment
Mt Zu Klemmen(M5) 3±15 %
Nm
Frau Zum Kühlkörper (M6) 5±15 %
Modul (Ca.) Gewicht   100 G
Elektrische Eigenschaften

Parameter

Symbol

Testbedingungen
Werte
Einheit
      Min. Typ. Max.  
Maximaler Spannungsabfall bei Vorlauf VFM T=25ºC, WENN =110A - 1,05 1,2 V
Maximaler Repetitiver Spitzenstrom
IRRM
TJ=25ºC VRD=VRRM - - 100 UA
    TJ=150ºC VRD=VRRM - - 5 MA
Thermische Eigenschaften
Parameter Symbol Testbedingungen Werte Einheit
Maximale interne thermische Temperatur
Widerstand, Übergang zum Gehäuse pro Bein
RTH (J-C) Pro Diode 0,26 ºC/W
Typischer thermischer Widerstand, Fall zu
Kühlkörper pro Modul
RTH (C-S) Modul 0,10 ºC/W
Maximale Bewertungen
Parameter Symbol Testbedingungen Werte Einheit
Durchschnittlicher Strom Im Zustand Ein ITAV SINUS 180ºC;TC=85ºC 110 A

Überspannungsstrom

ITSM
t = 10ms TJ = 45ºC 2250
A
    t = 10ms TJ = 125ºC 1900  

MaximumI2tfor  Fixiererfest

I2t
t = 10ms TJ = 45ºC 25000
A2s
    t = 10ms TJ = 125ºC 18000  

Trennbruchspannung (R.M.S)

Visol
AC 50HZ; R.M.S.; 1MIN 2500 V
    Ac,50HZ;R.M.S;1sec 3500 V
Betriebstemperatur TJ   -40~+125 ºC
Lagertemperatur Tstg   -40~+125 ºC

Anzugsdrehmoment
Mt Zu Klemmen(M5) 3±15 %
Nm
  Frau Zum Kühlkörper (M6) 5±15 %  

Maximale nicht wiederholende Anstiegsrate des eingeschaltetem Stroms

Di/dt
TJ=25ºC AB 0,67VDRM ,
ITM=π× IT(AV) ,IG=500mA  tr<0,5us
tp>6us

150

A/US
Maximale kritische Steigsrate von dv/dt TJ =125ºC,VD=2/3VDRM 1000 V/US
Spannung aus        
Maximal zulässige Beschleunigung A   50 M/s2
Elektrische Eigenschaften

Parameter

Symbol

Testbedingungen
Werte
Einheit
      Min. Typ. Max.  
Maximale Spitzenspannung Bei Ein VTM ITM =110A, TJ=25ºC     1,25 V
Maximale Repetitive Peak-Umkehrstrom/ Maximale Repetitive
Stromstärke aus

IRRM/IDRM

TJ=125ºC VRD=VRRM
   
20

MA
Ein-Zustand-Schwellenspannung FFZ Nur für Berechnungen mit Leistungsverlust
TJ=125ºC
    0,9 V
Maximaler Wert der Steigung im Zustand
Widerstand
RT TJ=125ºC     2,0
Maximale erforderliche Gate-Spannung bis
Trigger

VGT
TJ=25ºC,VD=6V    
3

V
Maximaler Gate-Strom erforderlich bis
Trigger
IGT TJ=25ºC,VD=6V     150 MA
Maximale Gate-Spannung, die nicht möglich ist
Trigger
VGD TJ=125ºC,VD=2/3VDRM     0,25 V
Maximaler Gate-Strom, der nicht erreicht wird
Trigger
IGD TJ=125ºC,VD=2/3VDRM     6 MA
Maximaler Raststrom IL TJ=25ºC,IG=1,2IGT   250 600 MA
Maximaler Haltestrom IH TJ=25ºC,IT=1A   200 250 MA
Gate-gesteuerte Verzögerungszeit tgd TJ=25ºC,IG=1A ,Dig/dt=1A/US 1 USA
Keks-kommutated Abschaltzeit tq TJ=125ºC 250 USA
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