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(AO4264) Gt12n06s 60V 12A Silizium-Triode-Transistor-MOSFET für Ladegerät
Shield Gate Trench MOSFET, im Vergleich zu gewöhnlichen Trench MOS, SGTMOS hat die Durchbruchelektrik Feld verbessert, kleiner
Chip-Größe und bessere Rdson.
| Teilenummer | GT12N06S |
| VDSS | 60V |
| ID | 12A |
| RDS | 7,6 mΩ @ vgs=10V |
| Vth | 1,7V |
| Paket | SOP-8 |
| Ciss | 1988 pF |
| Crs | 14 pF |
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Mit Büros in den USA, Hongkong, Australien, Shenzhen und Jiang Su.
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Beziehung zu Fab Fabriken und gute Marketing-Fähigkeit.
Wir bieten eine starke technische Unterstützung für unsere Produkte. Mit großen Volumen des Umsatzes, können wir die gute Wettbewerbsfähigkeit sowohl in
Qualität und Preis. Wir möchten mit Freunden weltweit zusammenarbeiten.
Unsere Produktanwendungen sind: Motorsteuerung, Handy-Adapter oder Ladegerät, elektronische Zigaretten, LED-Beleuchtung, Dimmen und Welligkeit
remover Anwendung, mobile Stromversorgung, synchron, Rektifikation Schaltung, E-Tools und ups oder Wechselrichter, digitale Elektronik, etc.
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