Grundlegende Informationen
Modell Nr.
6Inch Dummy Grade
Anwendung
Diode, Leistungselektronische Bauteile, Semiconductor
Zertifizierung
CCC, CE, RoHS
Fertigungstechnologie
Pvt
Paket
Epi-Ready with Vacuum Packaging
Transportpaket
Multi-Wafer oder Single Wafer Kassette Verpackung
Produktbeschreibung
Halbisolierende Siliziumkarbid-Substrate sind Einzelkristallscheiben, die durch Schneiden, Schleifen, Polieren, Reinigen und andere Prozesse von halbisolierenden Siliziumkarbid-Kristallen gebildet werden. Als wichtiger Rohstoff für Halbleiter der dritten Generation können Einkristall-Substratscheiben durch heteroepitaxiales Wachstum und die Herstellung von Bauelementen zu Siliziumkarbid-basierten Hochfrequenzbauelementen hergestellt werden. Sie sind wichtige Ausgangsmaterialien für die Entwicklung der Halbleiterindustrie der dritten Generation. Um die Kundennachfrage nach 4,6-Zoll-Produkten zu decken, bietet das Unternehmen in- und ausländischen Kunden 4,6-Zoll-halbisolierende Substratprodukte mit hoher Kostenleistung in Chargen an. Nachgelagerte Produkte und Anwendungen Hochreines, halbisoliertes Siliziumkarbid-Einkristall-Substrat wird hauptsächlich in 5G-Kommunikation, Radarsystem, Seeker, Satellitenkommunikation, Flugzeugen und anderen Bereichen verwendet, mit den Vorteilen der Verbesserung des Hochfrequenzbereichs, Ultra-Langstrecken-Erkennung, Anti-Interferenz, High-Speed, große Kapazität Informationsübertragung und anderen Anwendungen, Und gilt als das ideale Substrat für die Herstellung von Mikrowellengeräten. 6inch High Purity Semi-isolierendes SiC-Substrat |
Nein | Elemente | Einheit | Produktion | Dummy |
1.Crystal-Parameter |
1,1 | Polytyp | -- | 4H | 4H |
1,2 | Flächenausrichtung auf Achse | -- | <0001> | <0001> |
1,3 | Flächenausrichtung außerhalb der Achse | Nr. | 0±0,25 Grad | 0±0,25 Grad |
1,4 | (0004) (FWHM) | Arcsec | ≤45arcsec | ≤100arcsec |
2. Elektrische Parameter |
2,1 | Typ | -- | HPSI | HPSI |
2,2 | Widerstand | ohm·cm | ≥1E8 Ohm·cm | 70 % Fläche > 1E5 Ohm·cm |
3.Mechanische Parameter |
3,1 | Durchmesser | Mm | 150±0,2mm | 150±0,2mm |
3,2 | Dicke | μm | 500±25μm | 500±25μm |
3,3 | Ausrichtung der Kerbe | Nr. | [1-100]±5 Grad | [1-100]±5 Grad |
3,4 | Kerbtiefe | Mm | 1~1,25mm | 1~1,25mm |
3,5 | LTV | μm | ≤3μm(10mm*10mm) | ≤10μm(10mm*10mm) |
3,6 | TTV | μm | ≤5μm | ≤15μm |
3,7 | Schleife | μm | -25μm~25μm | -45μm~45μm |
3,8 | Verformen | μm | ≤35μm | ≤55μm |
3,9 | (AFM) Rauheit der Vorderseite (Si-Fläche) | Nm | RA≤0,2nm(5μm*5μm) | RA≤0,2nm(5μm*5μm) |
4.Struktur |
4,1 | Dichte der Mikropipe | ea/cm2 | ≤1 pro Jahr/cm2 | ≤10ea/cm2 |
4,2 | Dichte der Kohlenstoffeinschlüsse | ea/cm2 | ≤1 pro Jahr/cm2 | ENTFÄLLT |
4,3 | Sechseckige Leere | -- | Keine | ENTFÄLLT |
4,4 | Metallverunreinigungen | Atome/cm2 | ≤5E12 | ENTFÄLLT |
5. Qualität |
5,1 | Vorne | -- | Si | Si |
5,2 | Oberflächengüte | -- | CMP Si-Face CMP | CMP Si-Face CMP |
5,3 | Partikel | ea/Wafer | ≤60(Größe≥0.3μm) | ENTFÄLLT |
5,4 | Kratzer | ea/mm | ≤5 , Gesamtlänge≤Durchmesser | ENTFÄLLT |
5,5 | Orange Abrieb/Gruben/Flecken/Streifen/Risse/Verschmutzung | -- | Keine | ENTFÄLLT |
5,6 | Kantenspäne/Einrückungen/Bruch | -- | Keine | Keine |
5,7 | Polytype-Bereiche | -- | Keine | ≤30 % (kumulierter Bereich) |
5,8 | Vordere Laserbeschriftung | -- | Keine | Keine |
6. Rückqualität |
6,1 | Zurück beenden | -- | CMP C-FACE CMP | CMP C-FACE CMP |
6,2 | Kratzer | ea/mm | ≤5 , Gesamtlänge≤2*Durchmesser | ENTFÄLLT |
6,3 | Rückfehler (Kante Späne/Einzüge) | -- | Keine | Keine |
6,4 | Rauheit des Rückens | Nm | RA≤0,2nm(5μm*5μm) | RA≤0,2nm(5μm*5μm) |
6,5 | Laserbeschriftung hinten | -- | HALB, KERBE | HALB, KERBE |
6,6 | Kante | -- | Fase | Fase |
Anmerkungen: "NA" bedeutet keine Anfrage. Nicht metionierte Elemente können sich auf SEMI-Std beziehen. |
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Q: Was ist die Art und Weise des Versands ? A: Wir akzeptieren DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF und etc F: Wie bezahlen? A: T / T, PayPal und etc.. F: Was ist die Lieferzeit? A: Für Warenbestand: Die Lieferzeit beträgt 10 Werktage. Für kundenspezifische Produkte: Die Lieferzeit beträgt 10to 25 Werktage. Je nach Menge. F: Kann ich die Produkte auf meine Bedürfnisse anpassen? A: A: Ja, wir können die Spezifikationen nach Ihren Bedürfnissen anpassen.
Die Anschrift:
No. 666, Tianmushan West Road, Yuhang District, Hangzhou, Zhejiang, China
Unternehmensart:
Hersteller/Werk, Handelsunternehmen
Geschäftsbereich:
Chemische Produkte, Elektronik, Industrielle Anlagen und Zusatzteile
Zertifizierung des Managementsystems:
ISO 9001
Firmenvorstellung:
Hangzhou HC Jingrui Technology Co., Ltd. Befindet sich in Hangzhou, das als "Silicon Valley of Paradise" bekannt ist. Es ist ein professioneller Anbieter von Halbleitermaterial-Lösungen, der sich verpflichtet hat, globalen Kunden die kostengünstigsten Halbleitermaterial-Lösungen zu bieten. Das Unternehmen verfügt über ein starkes technisches F&E-Team, bestehend aus Studenten und Ärzten, mit einem fleißigen Team und starken F&E-Fähigkeiten. Die technischen Hinterbeine des Unternehmens sind seit vielen Jahren in der Materialaufbereitung und der Entwicklung der zugehörigen Ausrüstung tätig und haben eingehende Forschung zu den physikalischen, chemischen und elektrischen Eigenschaften von Materialien und Materialaufbereitungsprozessen. Die Ansammlung von Jahren der theoretischen Akkumulation und der praktischen Erfahrung des wissenschaftlichen und technologischen Personals hat es dem Unternehmen ermöglicht, einzigartige Einblicke und einzigartige Vorteile in der Entwicklung von verwandten Materialien und Geräten zu haben, Dabei wird sichergestellt, dass die Produktleistung und die Lösungen für die Geräteentwicklung den tatsächlichen technischen und prozessspezifischen Anforderungen der Anwender entsprechen. Das Unternehmen besteht darauf, "Kunden mit Qualität und Innovation zu gewinnen, Kunden mit Professionalität und Effizienz zu bedienen", Kundenvertrauen ist unsere treibende Kraft, Kundenwünsche sind unsere Richtung, Kundenzufriedenheit ist unser Ziel, und wir streben danach, ein führendes Unternehmen im Halbleitermaterialsegment zu werden!