Fertigungstechnik: | Diskrete Geräte |
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Material: | Element Semiconductor |
Art: | N and P Channel |
Paket: | SMD |
Signalverarbeitung: | Analog Digital Composite und Funktion |
Anwendung: | High Power and Current Handing Capability |
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
Die komplementären 100V~12V (N- und P-Typ komplementär) MOSFETs von NCE werden durch die Integration von P-Typ und N-Typ Trench Power MOSFETs in komplementären hoch- und Niederseitenkonfigurationen in einem einzigen Gehäuse optimiert. Diese komplementären MOSFETs verbessern nicht nur die Effizienz der Entwickler, sondern optimieren auch die Systemarchitektur. Basierend auf der kompakten Paketform, können Konstrukteure mit kostenoptimierten und zuverlässigeren Lösungen. Diese Produkte werden häufig in DC/DC-Umwandlungen, Motorsteuerungen und Batteriemanagementsystemen eingesetzt.
Ergänzende MOSFETs sind erhältlich in den Jahren DFN2*2, DFN3,3*3,3, DFN5*6, SOP-8, SOT-23-6L, Und TO-252-4L-Pakete.
Paketkennz. Und Bestellinformationen | ||||||||
Marke | Teilenummer | Gerätepaket | SPQ | MOQ | ||||
NCE | NCE603S | SOP-8 | 4000pcs/Rolle | 4000pcs |
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