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Freistehende GaN-Substrate

Materialien: Galliumnitrid-Substrate
Dicke: 350um
Größe: 2inch bis 4 Zoll
Fertigungstechnologie: optoelektronischer Halbleiter
Material: Verbindungshalbleiter
Typ: n-Halbleiter

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Gold Mitglied Seit 2018

Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen

Bewertung: 5.0/5
Handelsunternehmen

Grundlegende Informationen.

Modell Nr.
FW-GaN
Anwendung
Fernseher
Marke
Fein
Transportpaket
Box
Spezifikation
2INCH
Warenzeichen
FineWin
Herkunft
Jiaozuo City Henan Province
Produktionskapazität
1000 PCS/Month

Produktbeschreibung

Freistehende GaN-Substrate

1. Was sind GaN-Substrate
Galliumnitrid ist eine Art von Verbindungshalbleitern mit breiter Lücke. Es wird mit Original HVPE-Methode und Wafer-Verarbeitungstechnologie hergestellt, die ursprünglich seit vielen Jahren entwickelt wurde.

2.Anwendung
 
Laserdioden für Blu-ray Disc Player und Lichtprojektoren
Zukünftige Anwendung: Gan PN-Diode mit hoher Durchschlagspannung über 3.000V und niedrigem Einschaltwiderstand von 1mΩ·cm2
Langlebige, effiziente und zuverlässige optoelektronische und elektronische Geräte
LEDs mit hoher Helligkeit für allgemeine Beleuchtung und Hochfrequenz-Transistoren mit hoher Leistung für Mobilfunk-Basisstationen und Verteidigungsanwendungen.

3.Produkt verfügbar

2-GaN-Substrate  
Kleine Stücke (10*10,5mm) für Ihre Testzwecke
Gan-Template mit hochdotierter n-Typ-Schicht (n=<1e19/cm3)
Ntype (ungedotiert), Ntype (Gedoped) und Halbisolierende (Fe-dopiert) Substrate sind erhältlich
Unpolare und semipolare GaN-Substrate



4. Funktionen
 Hohe kristalline, gute Gleichmäßigkeit und überlegene Oberflächenqualität
XRD-FWHM 002 102
350μm FSGaN 25-45 20-55
Free-Standing GaN Substrates Wafers Used for LED
5. Spezifikation
 Element GAN-FS-C-U-C50 GAN-FS-C-N-C50 GAN-FS-C-SI-C50
Abmessungen Ф 50,8 mm ± 1 mm
Dicke 350 ± 25 µm
Nutzbare Fläche > 90 %
Ausrichtung C-Ebene (0001) aus Winkel zur M-Achse 0,35± 0,15 Grad
Ausrichtung Flach (1-100) ± 0,5 16,0, ± 1,0 mm
Sekundäre Ausrichtung Flach (11-20) ± 3 8,0, ± 1,0 mm
TTV
(Gesamtdicke Variation)
≤ 15 µm
SCHLEIFE ≤ 20 µm
Leitungstyp N-Typ
(Ungeschliffen)
N-Typ
(GE-dotiert)
Halbisolierend
(Fe-dotiert)
Widerstand (300K < 0,5 Ω·cm < 0,05 Ω·cm >106 Ω·cm
Dislokationsdichte 1~9x105 cm-2 5 x 105 cm - 2
~3x106 cm-2
1~9x105 cm-2
1~3x106 cm-2 1~3x106 cm-2
Polieren Oberfläche: RA < 0,2 nm. EPI-Ready poliert
Oberfläche: Feiner Boden
Paket Verpackt in Reinraumumgebungen der Klasse 100, in einzelnen Wafer-Behältern, unter Stickstoffatmosphäre.

6. Bilder
Free-Standing GaN Substrates Wafers Used for LED

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Ausstellung Im Ausland
Free-Standing GaN Substrates Wafers Used for LEDFree-Standing GaN Substrates Wafers Used for LED
FAQ:

F: Wie ist der Versand und die Kosten?

A: (1) Wir akzeptieren DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS etc.

   (2) Wenn Sie Ihre eigenen Express-Konto haben, ist es great.If nicht, könnten wir Ihnen helfen, sie zu versenden.  

 F: Wie bezahlen?

A: T / T, Paypal, etc

F: Was ist Ihr MOQ?

A:  (1) für die Bestandsaufnahme ist die MOQ 5pcs.

   (2) für kundenspezifische Produkte ist der MOQ 10pcs-25pcs.

F: Wie lange ist die Lieferzeit?

A:  (1) für die Standardprodukte

          Zur Warenannahme: Die Lieferung erfolgt 5 Werktage nach Ihrer Bestellung.

          Für kundenspezifische Produkte: Die Lieferung ist 2 oder 3 Wochen nach der Bestellung.

     (2) bei den Sonderformen beträgt die Lieferung 4 oder 6 Arbeitswochen nach der Bestellung.

F: Haben Sie Standardprodukte?

A: Unsere Standardprodukte auf Lager.

F: Kann ich die Produkte auf meine Bedürfnisse anpassen?

A: Ja, wir können das Material, die Spezifikationen und die optische Beschichtung für Ihre optischen Komponenten auf Ihre Bedürfnisse anpassen.

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